公开(公告)号：CN110783453A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910903216.1

申请日：2019-09-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 王宗巍 ,  蔡一茂 ,  康健 ,  鲍盛誉 ,  凌尧天 ,  喻至臻 ,  陈青钰 ,  鲍霖 ,  吴林东 ,  黄如

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种双模阻变存储器，包括衬底和位于衬底上的底电极-阻变层-自选择层-顶电极结构。本发明还提供一种双模阻变存储器的制备方法，包括如下步骤：1)定义底电极图形，按照该图形在衬底上制备底电极；2)采用PVD、ALD或CVD的方法在底电极上淀积阻变层；3)采用PVD或ALD的方法在阻变层上淀积自选择层，并施加退火处理工序；4)定义底电极引出孔图形，按照该图形在阻变层和自选择层刻蚀出底电极引出孔；5)定义顶电极图形，按照该图形在自选择层上制备顶电极。本发明基于采用传统CMOS工艺来实现具有自选择的阻变存储器件，以期降低甚至消除阻变存储器的crossbar结构中存在的串扰问题。

公开(公告)号：CN110751279A

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201910822008.9

申请日：2019-09-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 王宗巍 ,  蔡一茂 ,  凌尧天 ,  郑琪霖 ,  鲍盛誉 ,  喻志臻 ,  陈青钰 ,  鲍霖 ,  吴林东 ,  黄如

IPC: G06N3/063 ,  G06F17/16 ,  G06F7/523

Abstract: 本发明涉及一种铁电电容耦合神经网络电路结构及神经网络中向量与矩阵的乘法运算方法。该铁电电容耦合神经网络电路结构包括基于铁电电容的权值阵列，以及与权值阵列连接的外部电路结构；权值阵列的每一个权值单元包含一个场效应晶体管和一个铁电电容。外部电路结构包括多路选择器和神经元电路。将训练好的神经网络的权值预先写入到权值矩阵中；使用互补时钟控制多路选择器和神经元电路中的开关，实现神经网络中向量与矩阵的乘法运算。本发明利用铁电电容的非易失多值特性，通过电容电荷积累与电荷重分配的特性，可以高速度、低功耗地完成向量与矩阵的乘法，电路结构简单，与现有CMOS工艺兼容，对未来神经网络加速芯片的研究有着重要意义。