-
公开(公告)号：CN102065039A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010530676.3
申请日：2010-10-29
Applicant: 北京大学
IPC: H04L25/03
Abstract: 本发明公开了一种高速接口电路自适应均衡方法及电路，属于射频集成电路领域。本发明的方法为：首先对输入信号进行放大、整形，之后将数据分成两路，将一路信号依次进行低通滤波、整形后输入误差放大器的一输入端，将另一路信号进行1/2频率下变频为直流信号后依次进行低通滤波、整形后输入误差放大器的另一输入端；误差放大器对两路输入信号进行比较后输出一电压，来反馈控制所述峰值放大器的零点。本发明电路包括1/2频率混频器、两低通滤波器、两整流器、峰值放大器、误差放大器，采用了单环路控制，锁定时间和稳定性都比传统双环路方案有了显著改进，具有低功耗、可拓展性强、自适应均衡、可移植性强的特点。
-
公开(公告)号：CN101246540A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810102117.5
申请日：2008-03-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种超高频射频电子标签阅读器的泄漏补偿方法及实现上述补偿方法的超高频射频电子标签阅读器的射频前端，属于无线射频技术领域。本发明核心是，采用两个环形隔离器或耦合器，通过控制器件的布局和PCB板的走线，获得信号延迟相同的两路信号，一路为叠加了泄漏信号的有用信号，另一路为与泄漏信号大小相等、幅度相同的补偿信号，两个信号通路通过低噪声放大器做相减操作，即可把泄漏信号去除掉，从而在射频前端获得干净的有用信号，从而提高了超高频射频电子标签阅读器的灵敏度，并极大地降低了传统阅读器结构中各电路模块的设计难度，更易于实现射频电子标签阅读器的系统单片集成。
-
公开(公告)号：CN114639404B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202210232804.9
申请日：2022-03-11
Abstract: 本发明公开一种电荷消除电路模块、MRAM存储单元读出电路及存储系统。该读出电路包括第一位线电容、第二位线电容、位线电荷消除模块、耦合放大模块、耦合电荷消除模块、比较锁存模块，位线电荷消除模块可以将待比较的两条位线放电至相同的低电平或充电至相同的高电平，耦合放大模块不仅能将其两个输入端放电至相同的低电平，也能将输入端的信号放大，耦合电荷消除模块可以将耦合放大模块两个输出端放电至相同的低电平或充电至相同的高电平，防止了预充后两个节点电容上的电荷差、连接两个节点电容的两条支路的失配误差和上一次读出完成后的节点电容上的残余电荷对读出准确率的影响。
-
公开(公告)号：CN114944833B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202210580798.6
申请日：2022-05-28
Applicant: 北京大学
IPC: H03K3/0231 , H03K3/012
Abstract: 本发明公开一种弛豫振荡器、时钟电路及电子芯片，其中，弛豫振荡器，包括：高带宽比较器、唤醒电路、阻容元件组和开关电路，唤醒电路分别与开关电路、高带宽比较器和阻容元件组连接，唤醒电路用于根据监测的充电电容的电压满足预设条件时产生唤醒信号以触发高带宽比较器启动工作及触发开关电路将电阻与参考电流源连接，并在电容复位后重新充电时再次监测充电电容的电压；高带宽比较器用于在唤醒信号使能有效时启动工作，比较充电电容的电压和电阻上产生的参考电压并输出比较结果，当比较结果发生翻转时，电容复位到低电平。本发明具有低功耗和频率稳定效果，适于物联网芯片应用。
-
公开(公告)号：CN117914142A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311656637.1
申请日：2023-12-05
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种双输出整流稳压电路，涉及无线充电技术领域，包括电感、第一电容、第二电容、第三电容、第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第一开关、第二开关、第一比较器、第二比较器、第一迟滞比较器、第二迟滞比较器、自启动电路、时钟产生器、第一分压电路、第二分压电路、基准电压源、线性稳压器和数字控制器。该双输出整流稳压电路基于倍压式的拓扑结构对传统无线充电技术中的整流稳压电路进行优化设计，采用两个场效应晶体管，并与数字控制电路相结合，实现了单级倍压式双输出整流稳压，具有较高的电压转换比，提供了较大的输出功率，并能实现两路不同的输出电压。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117394856A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202310571533.4
申请日：2023-05-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种模拟信息转换器及信号处理系统，其中模拟信息转换器，包括：电平相交检测模块、异步时序控制模块和信息感知模块，电平相交检测模块，根据当前参考电平对输入模拟信号的电压值进行检测，输出触发信号和方向信号；异步时序控制模块，用于根据触发信号生成使能信号以使能控制电平相交检测模块；信息感知模块，用于根据触发信号和方向信号确定输入模拟信号的当前电压值及当前斜率值，并根据当前电压值确定电平相交检测模块下次采样的分辨率范围，以及根据当前斜率值及下次采样的分辨率范围调整确定下次采样的分辨率以控制下次采样的参考电平。本发明能够自适应依据实际应用场景实现对事件信号的信息进行不冗余不遗漏采集。
-
公开(公告)号：CN114678048A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210098641.X
申请日：2022-01-27
Abstract: 本发明公开一种MRAM存储单元写入电路及存储芯片，该写入电路包括：写入模块、比较模块和终止控制模块；终止控制模块根据比较结果信号生成终止控制信号，该信号通过终止控制信号输出端、第一终止控制信号输入端、第二终止控制信号输入端和第三终止控制信号输入端分别传输至写入模块、比较模块和终止控制模块。其中的比较模块可根据终止控制信号控制与直流电源之间的连接，使得在写入完成后断开与直流电源的连接，从而减小比较模块的直流功耗；而终止控制模块可根据终止控制信号锁定终止控制信号输出端的输出结果，有效防止了终止控制模块输出结果的波动，消除了该波动引起的终止控制模块的动态功耗。
-
公开(公告)号：CN112582002A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011218130.4
申请日：2020-11-04
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
IPC: G11C11/419
Abstract: 本申请公开了一种静态随机存取存储器单元电路和存储器，包括：均包括隧穿场效应晶体管的双反相器子电路、第一串联门管子电路、第二串联门管子电路和读缓冲子电路；第一串联门管子电路的第一栅端和第二串联门管子电路的第一栅端均与写字线连接，第二栅端与第一写位线连接，漏端通过第一存储节点与双反相器子电路的一端连接；第二串联门管子电路的第二栅端与第二写位线连接，漏端通过第二存储节点与双反相器子电路的另一端连接以及读缓冲子电路的第一栅端连接；读缓冲子电路的第二栅端与读字线连接，漏端与读位线连接。第一串联门管子电路和第二串联门管子电路能够防止隧穿场效应晶体管产生p‑i‑n电流，从而降低静态功耗，减小静态保持噪声容限退化。
-
公开(公告)号：CN104362095A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410616285.1
申请日：2014-11-05
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66477 , H01L21/761 , H01L29/1033
Abstract: 本发明公开了一种带隔离的隧穿场效应晶体管的制备方法，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。在该方法中，采用相对高阻的p型硅片直接用作TFET器件的沟道区和体区，且相比标准CMOS IC工艺，增加了一块用于注入N—的掩膜版，通过在沟道较深处注入N—隔离区，实现了隧穿场效应晶体管(TFET)在电路应用中器件的隔离，同时不影响器件性能和器件面积。
-
公开(公告)号：CN102638030B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210119083.7
申请日：2012-04-20
Applicant: 北京大学
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明公开了一种基于阻变忆阻器的电压保护电路及其应用。本发明的电压保护电路包括：电阻连接至运算放大器的一个输入端；运算放大器的另一输入端接地；阻变忆阻器连接在电阻连接至运算放大器的一端与运算放大器的输出端之间；阻变忆阻器为双极阻变忆阻器；电阻和阻变忆阻器与运算放大器的连接为同相电压保护电路或者为反相电压保护电路。本发明利用加在阻变忆阻器两端的电压超过发生阻变的阈值时，阻变忆阻器的阻值变小的特性，通过在电阻与运算放大器的输出端之间连接阻变忆阻器，使得当输入电压变大时，输出电压不会过高，从而以起到保护元件的作用。本发明的电压保护电路，可调范围宽，电路稳定，好控制，而且电路简单。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
65
records
(took 0.023 seconds)
