公开(公告)号：CN116929868A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202210359227.X

申请日：2022-04-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 田仲政 ,  任中阳 ,  于达程 ,  田姣姣 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: G01N1/28 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明公布了一种控制硒化铋薄膜分形断裂的方法，属于纳米或原子尺度器件领域。该方法在衬底上制备硒化铋薄膜，使用电学设备，使硒化铋在高电流作用下发生初始断裂，产生横向裂纹，在横向裂纹中确定物质桥位置；继续升高施加在硒化铋薄膜沟道两侧的电压，对硒化铋沟道扫描范围从0V开始，最大电压10～100V，使物质桥发生熔断，分形裂纹从物质桥处开始延展，通过施加更高电压的I‑V扫描，控制硒化铋薄膜分形裂纹。本发明使用纯电学方法来控制硒化铋薄膜分形断裂，速度快，工艺简单。

公开(公告)号：CN114283867A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111600084.9

申请日：2021-12-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 田仲政 ,  于达程 ,  任中阳 ,  田姣姣 ,  李慕禅 ,  于学敏 ,  彭沛 ,  王紫东 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: G11C16/26 ,  H01L45/00

Abstract: 本发明公布了一种提高基于金属隧穿结的存储器耐久性的方法，属于纳米/原子器件领域。本发明利用电流‑焦耳热可以修复隧穿电极尖端损伤、提高强度、增加隧穿结耐久性的原理，在金属隧穿结存储器的正常擦写循环中，插入修复循环，通过控制修复循环的电压波形、限流、时长等因素，减弱电流主导迁移的作用，而增强电流‑焦耳热主导迁移的作用。在修复循环中，金属原子得以充分向隧穿电极尖端迁移，填补电场主导迁移过程中形成的空位，增强隧穿电极尖端的强度，使器件的耐久性提高。