公开(公告)号：CN114283867A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111600084.9

申请日：2021-12-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 田仲政 ,  于达程 ,  任中阳 ,  田姣姣 ,  李慕禅 ,  于学敏 ,  彭沛 ,  王紫东 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: G11C16/26 ,  H01L45/00

Abstract: 本发明公布了一种提高基于金属隧穿结的存储器耐久性的方法，属于纳米/原子器件领域。本发明利用电流‑焦耳热可以修复隧穿电极尖端损伤、提高强度、增加隧穿结耐久性的原理，在金属隧穿结存储器的正常擦写循环中，插入修复循环，通过控制修复循环的电压波形、限流、时长等因素，减弱电流主导迁移的作用，而增强电流‑焦耳热主导迁移的作用。在修复循环中，金属原子得以充分向隧穿电极尖端迁移，填补电场主导迁移过程中形成的空位，增强隧穿电极尖端的强度，使器件的耐久性提高。

公开(公告)号：CN109941991B

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201910327755.5

申请日：2019-04-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭沛 ,  田仲政 ,  李慕禅 ,  王紫东 ,  于学敏 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: C01B32/186

Abstract: 本发明提出一种可在绝缘衬底表面制备石墨烯的方法，在材料学、微纳电子学等领域具有应用前景。本发明设计了一种堆叠的三明治结构，即缓冲层/吸收层‑金属箔片－目标衬底，提出利用此结构在化学气相沉积(CVD)过程中使石墨烯生长与转移相继进行，并将金属箔片表面生长的石墨烯直接在高温原位转移至蓝宝石和二氧化硅等绝缘衬底表面。其过程是：石墨烯首先生长在铜片或铜镍合金片表面，随后铜片或铜镍合金片逐渐软化并贴合于缓冲层表面，金属原子可有效的扩散穿过缓冲层到达吸收层，从而与吸收体反应而被消耗掉，而原本生长在铜片或铜镍合金片表面的石墨烯会直接原位“落在”绝缘衬底表面，即实现了在直接在绝缘衬底表面制备石墨烯薄膜的目标。

公开(公告)号：CN110211881A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201910417221.1

申请日：2019-05-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭沛 ,  李慕禅 ,  田仲政 ,  于学敏 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明提出了一种调控石墨烯场效应晶体管的M形电阻特性曲线方法，在电子电路、微纳电子学等领域具有应用前景。本发明提出的石墨烯场效应晶体管器件结构：紧靠石墨烯沟道上方栅介质层有两种不同功函数的金属栅。这种结构的石墨烯场效应晶体管可产生M形电阻特性曲线，并且通过选择这两种栅金属的种类和相对长度可实现对M形电阻特性曲线形状的可控调节。