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公开(公告)号:CN102116978B
公开(公告)日:2014-07-30
申请号:CN200910244615.8
申请日:2009-12-31
Applicant: 北京京东方光电科技有限公司
IPC: G02F1/1362 , G02F1/13
CPC classification number: H01L23/544 , G02F2001/13625 , H01L27/1214 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54486 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种TFT-LCD阵列基板、多层图形尺寸检测方法和设备,涉及液晶显示装置制造领域,能够提供更为快速和准确的测试结果,提高测试的效率和精确度。一种TFT-LCD阵列基板,包括:基板以及形成在所述基板上的多层阵列图形,在所述基板上未设置所述多层阵列图形的区域设置有用于分别检测所述多层阵列图形中各阵列图形的尺寸大小的检测标记,所述检测标记包括:与被检测图形同层设置且尺寸相同的检测图案,以及与所述检测图案非同层设置的检测衬底。本发明应用于TFT-LCD阵列基板的制备。
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公开(公告)号:CN103941910A
公开(公告)日:2014-07-23
申请号:CN201410031065.2
申请日:2014-01-22
Applicant: 北京京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
Inventor: 郭建
IPC: G06F3/041
Abstract: 本发明提供了一种触摸面板及其制造方法,所述方法包括:在已形成黑矩阵BM图案的玻璃基板上依次形成第一保护层、第一金属层;对所述第一金属层和第一保护层进行构图,形成第一金属线图案;并去除除第一金属线图案覆盖的第一保护层;形成第二保护层,沉积第二金属层,并形成第二金属线图案。本发明在沉积第一保护层后,直接沉积第一金属层,省去了对第一保护层的掩膜工艺,利用第二保护层对BM材料进行保护,不仅最大限度地利用Array产线进行生产,而且避免了BM材料在金属沉积过程中由于溅射的轰击,对设备造成的污染,能够提高Array产线的产能。
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公开(公告)号:CN103941471A
公开(公告)日:2014-07-23
申请号:CN201410177647.1
申请日:2014-04-29
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC: G02F1/1335 , G02F1/136 , G02F1/1333 , H01L31/075
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种彩膜基板及其制作方法、显示装置,该彩膜基板包括彩色滤光片、以及设置在所述彩色滤光片的正反面的正电极和负电极;所述彩色滤光片的红色色阻由红色的PIN结构非晶硅薄膜制成;所述PIN结构非晶硅薄膜分别与所述正电极和负电极相连。本发明可有效地进行自我充电,成功的解决了智能手机、平板电脑等移动显示装置耗电量大,待机时间短的问题。
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公开(公告)号:CN103928474A
公开(公告)日:2014-07-16
申请号:CN201410130738.X
申请日:2014-03-28
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/12 , H01L27/3227 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L29/41733 , H01L31/028 , H01L31/075 , H01L31/1804 , H01L51/56 , H01L2227/323
Abstract: 本发明提供了一种阵列基板及其制备方法和显示面板,用于将太阳能电池结构的制作与OLED的制作结合在一起,实现太阳能技术与OLED显示技术的结合,以解决现有技术中因太阳能结构与OLED结构独立存在而引起的制作工艺复杂,生产成本较高的问题;所述阵列基板包括衬底基板、扫描线、数据线薄膜晶体管、公共电极和像素电极,所述阵列基板还包括:用于提供背光源的发光结构、太阳能电池结构和电源输出线;所述发光结构设置在所述公共电极和像素电极之间;所述太阳能电池结构设置在所述衬底基板和公共电极之间;所述电源输出线与所述公共电极同层设置,并且与所述太阳能电池结构电连接,将所述太阳能电池结构产生的电能传输给外电路。
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公开(公告)号:CN102629573B
公开(公告)日:2014-03-12
申请号:CN201110192507.8
申请日:2011-07-11
Applicant: 北京京东方光电科技有限公司
IPC: H01L21/77 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板及制作方法,用以降低TFT-LCD阵列基板的不良率。该制作方法包括:在基板上分别形成栅极线,有源层,薄膜晶体管TFT开关,以及信号线,其中,通过形成所述有源层的构图工艺在交叉区域中形成缓冲层,所述交叉区域包括:与栅极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域;在形成了信号线的基板上形成像素电极。
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公开(公告)号:CN103576468A
公开(公告)日:2014-02-12
申请号:CN201210285757.0
申请日:2012-08-10
Applicant: 北京京东方光电科技有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开一种曝光设备及其挡板控制方法,该曝光设备包括:设置有发射器和接收器挡板、和挡板驱动器,挡板和挡板驱动器用于与具有多组感应点的基板配合自动确定挡板的位置。该控制方法包括:挡板和挡板驱动器与具有多组感应点的基板配合自动确定挡板的位置;挡板设置有发射器和接收器,其中,发射器发射探测信号至基板上;接收器采集经基板上感应点反射的反射信号,并根据所述反射信号的光信号形成电信号;挡板驱动器根据所述电信号确定挡板的位置。根据本发明的技术方案,该曝光设备能够自动确定挡板的位置,提高测试精度,降低测试工艺复杂度。
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公开(公告)号:CN102236224B
公开(公告)日:2014-01-15
申请号:CN201010167835.8
申请日:2010-04-30
Applicant: 北京京东方光电科技有限公司
IPC: G02F1/1362
Abstract: 本发明公开了一种显示面板及制造方法和显示器。该显示面板包括多个像素单元,其中每个像素单元包括:第一电极和第二电极,第二电极具有至少一个自由端;数据线,与第一电极和第二电极相连,根据图像信号向第一电极和第二电极通入电荷,第一电极和第二电极各自的电荷之间产生库伦力来驱动第二电极的自由端移动位置,以改变经自由端透射、折射和/或反射出像素单元的光线量。本发明通过库仑力使悬臂梁旋转实现图像显示,简化了制备工艺,节约了设备和资材成本,使显示器可以进一步实现显示屏的薄型化和大型化。
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公开(公告)号:CN103412419A
公开(公告)日:2013-11-27
申请号:CN201310323825.2
申请日:2013-07-30
Applicant: 北京京东方光电科技有限公司
Inventor: 郭建
IPC: G02F1/13 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/1309 , G02F1/1368 , G02F2001/133374 , G02F2001/133388 , G02F2001/136254
Abstract: 本发明提供了一种阵列基板及其制作方法,涉及显示技术领域,解决了现有的阵列基板检测区的检测结果无法反应真实的显示区域的薄膜晶体管的特性的问题。一种阵列基板,包括显示区域和周边区域,其中,显示区域包括多个用于显示的第一像素单元;周边区域包括检测区,在所述检测区设置有用于检测的第二像素单元,每一像素单元对应设置有薄膜晶体管,所述周边区域还包括环绕所述检测区的分隔区,所述分隔区用于使得检测区的薄膜晶体管的特性均匀。
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公开(公告)号:CN102207648B
公开(公告)日:2013-11-20
申请号:CN201010138128.6
申请日:2010-03-31
Applicant: 北京京东方光电科技有限公司
IPC: G02F1/1333
Abstract: 本发明实施例公开了一种基板的保护方法和设备,涉及液晶显示器领域,能够通过改进对基板的保护工艺,提高产品的制备效率和降低产品造价。基板的保护方法包括:在基板上形成图形的一侧均匀地覆上一层保护材料;将覆上了一层保护材料的基板加热,使所述保护材料完全融化;将所述基板冷却,使融化了的保护材料凝固并形成覆盖所述基板的保护层。本发明应用于液晶显示装置的制备。
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公开(公告)号:CN102034749B
公开(公告)日:2013-09-04
申请号:CN200910093196.2
申请日:2009-09-25
Applicant: 北京京东方光电科技有限公司
IPC: H01L21/82 , H01L21/768 , H01L27/02 , H01L23/522 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G03F7/00
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/136236 , G02F2201/123 , H01L27/124
Abstract: 本发明涉及一种阵列基板及其制造方法。该方法包括:在衬底基板上依次形成第一导电图案、第一绝缘层、第二导电图案和第二绝缘层;采用双色调掩膜板对第二绝缘层和第一绝缘层进行构图工艺,在第二绝缘层中至少形成半搭接过孔的图案,在第一绝缘层和第二绝缘层中至少形成全搭接过孔的图案,第二导电图案对应部分半搭接过孔的位置,第一导电图案对应全部全搭接过孔的位置;形成第三导电图案和第四导电图案,第三导电图案通过半搭接过孔形成在第二导电图案和第一绝缘层的表面上,第四导电图案通过全搭接过孔形成在第一导电图案的表面上。本发明基于半曝光构图工艺使半搭接过孔和全搭接过孔在两次刻蚀后形成,避免形成空洞。
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