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公开(公告)号：CN103969910B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201410187087.8
申请日：2014-05-05
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
Inventor： 沈奇雨
Abstract: 本发明实施例提供一种电泳显示装置及其制造方法、显示方法。涉及显示技术领域，通过控制具有不同颜色的旋转粒子进行旋转以实现电泳显示装置的彩色化显示。包括相对设置的第一基板和第二基板。第一基板包括横纵交叉的栅线和数据线，上述栅线和数据线交叉界定至少一个亚像素。第N个亚像素包括弧形像素电极以及与弧形像素电极相连接的第一薄膜晶体管。在弧形像素电极的表面的凹槽内设置有旋转粒子。旋转粒子上设置有至少两个彩色区域，至少一对彩色区域带有的电荷相异，以使得旋转粒子在第一薄膜晶体管的控制下进行旋转，将预设区域朝向电泳显示装置的显示侧。
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公开(公告)号：CN104090429B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201410268282.3
申请日：2014-06-16
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
Inventor： 沈奇雨
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L27/1248 , G02F1/133512 , G02F1/134363 , H01L27/124 , H01L27/1259
Abstract: 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法和液晶显示装置，涉及液晶显示技术领域，能够防止在存在高度差的位置制作狭缝电极的狭缝末端，使得狭缝电极的狭缝末端图形与预设图形一致，从而避免了压痕(trace mura)现象。该阵列基板包括：由数行栅线和数列数据线交叉定义的数个子像素单元，每个所述子像素单元中设置有第一电极和位于所述第一电极下方的公共电极线，所述第一电极为狭缝电极，在每个所述子像素单元中，所述公共电极线与所述第一电极之间设置有挡光层，所述第一电极的狭缝末端、所述公共电极线以及靠近所述狭缝末端的公共电极线边缘均位于所述挡光层区域内。
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公开(公告)号：CN103413783B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310329856.9
申请日：2013-07-31
Applicant: 北京京东方光电科技有限公司
Inventor： 沈奇雨
IPC: H01L21/77 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1285 , G02F1/1368 , H01L27/1222 , H01L27/1288 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 本发明实施例公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示领域，能够使得LTPS-TFT的两个低掺杂区的长度一致，保证了LTPS-TFT抑制漏电流的能力。该种阵列基板的制作方法，包括：利用掩膜板，在所述阵列基板上形成栅极金属层；利用所述掩膜板，控制曝光能量，使得曝光的特征尺寸大于所述栅极金属层的尺寸，以形成位于栅极金属层的两侧且长度相同的低掺杂区。
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公开(公告)号：CN103941505A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410081554.9
申请日：2014-03-06
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
Inventor： 沈奇雨
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1343 , H01L21/77
CPC classification number: G02F1/136209 , G02F1/1368 , G02F2201/40 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1259 , H01L27/1288 , H01L29/66765 , H01L29/78633 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供了一种阵列基板及其制备方法和显示装置，用以解决现有技术中阵列基板制作工艺复杂、成本高、耗时长的问题，同时达到增大开口率的目的。其中，所述阵列基板包括衬底基板以及在所述衬底基板上呈矩阵排列的像素单元，所述像素单元内设置有薄膜晶体管、第一电极和第二电极，所述薄膜晶体管包括栅极、第一绝缘层、有源层、源极和漏极；所述阵列基板还包括位于所述第一电极上方的黑矩阵，所述黑矩阵覆盖每一像素单元的非显示区域。
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公开(公告)号：CN103807727A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410019355.5
申请日：2014-01-16
Applicant: 北京京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC: F21S9/03 , F21V17/00 , G02F1/13357
CPC classification number: H05B33/0896 , G02F1/133603 , G02F2001/13324 , H01L51/5215 , H01L51/5234 , H01L51/5253 , H01L51/5281 , H01L2251/5323 , H01L2251/5361 , H05B33/28
Abstract: 本发明公开了一种背光模组和显示装置，该背光模组包括背光源和光学薄膜；背光源为有机电致发光器件；光学薄膜直接贴覆于有机电致发光器件面向显示面板的出光侧，有机电致发光显示器件发出的光直接通过光学薄膜后出射。在该背光模组中，采用有机电致发光器件作为背光源，由于有机电致发光器件可以整面发光，因此，与现有的背光模组相比不需要单独设置导光板，从而可以降低背光模组的厚度，进而降低显示装置的厚度；并且由于光学薄膜是直接贴覆于有机电致发光器件面向显示面板的出光侧的，利用有机电致发光器件直接作为光学薄膜的载体，可以省去单独用于承载光学薄膜的基板，从而可以进一步降低显示装置的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103760707A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410010209.6
申请日：2014-01-09
Applicant: 北京京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G02F1/1333 , G02F1/13 , H01L27/12
CPC classification number: G02F1/13318 , G02F1/1313 , G02F1/133555 , G02F1/134309 , G02F1/13439 , G02F1/1368 , G02F2001/13324 , G02F2001/133357 , G02F2001/134345 , H01L25/167 , H01L27/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置，该阵列基板包括衬底基板，设置在衬底基板上的多个像素单元，为各像素单元提供显示信号的驱动模块；与驱动模块电连接的光伏电池组件，光伏电池组件包括多个光伏子电池，每个光伏子电池均包括第一透明电极，光伏薄膜和第二透明电极；光伏薄膜在衬底基板的正投影位于遮光区域内。由于在该阵列基板中设置了与驱动模块电连接的光伏电池组件，所以可以利用光伏电池组件将遮光区域的光能转化为电能，并将电能输出到驱动模块供其使用，从而有效的利用遮光区域的光能，提高阵列基板对光能的利用率。并且由于光伏薄膜在衬底基板的正投影位于遮光区域内，因此不会影响阵列基板中各像素单元的开口率。
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公开(公告)号：CN103413783A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310329856.9
申请日：2013-07-31
Applicant: 北京京东方光电科技有限公司
Inventor： 沈奇雨
IPC: H01L21/77 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1285 , G02F1/1368 , H01L27/1222 , H01L27/1288 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 本发明实施例公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示领域，能够使得LTPS-TFT的两个低掺杂区的长度一致，保证了LTPS-TFT抑制漏电流的能力。该种阵列基板的制作方法，包括：利用掩膜板，在所述阵列基板上形成栅极金属层；利用所述掩膜板，控制曝光能量，使得曝光的特征尺寸大于所述栅极金属层的尺寸，以形成位于栅极金属层的两侧且长度相同的低掺杂区。
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公开(公告)号：CN104376815B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201410746117.4
申请日：2014-12-08
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC: G09G3/3258 , G09G3/3266
Abstract: 本发明提供一种像素驱动电路、方法、显示面板和显示装置。所述像素驱动电路包括驱动晶体管、开关控制单元和阈值控制单元，其中，驱动晶体管为浮栅晶体管；阈值控制单元在每一显示周期内，当扫描信号有效时，控制通过可编程电压调制信号将该驱动晶体管的控制栅的电位充电至预定阈值控制电位，并在扫描信号无效时控制维持驱动晶体管的控制栅的电位为预定阈值控制电位，以将驱动晶体管的阈值电压控制在预定阈值电压范围内。本发明解决现有的电压驱动模式的OLED像素电路由于晶体管的制作工艺过程中结晶稳定性以及掺杂均一性，从而使OLED像素电路中部分晶体管的阈值电压发生漂移而导致的在显示画面时容易产生画面色度或者灰度不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN103913957B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410112466.0
申请日：2014-03-24
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
Inventor： 沈奇雨
Abstract: 本发明实施例提供了一种掩膜版、掩膜图案生成控制系统、掩膜系统及掩膜图案生成控制方法，上述的掩膜版，包括一能够透过曝光激励的本体，所述本体内形成有一图案形成腔，所述图案形成腔的底部为一水平面，所述本体上还设置有一用于容纳能够阻挡曝光激励透过的粉状物质的容纳腔，所述容纳腔与所述图案形成腔连通，使得所述粉状物质能够在一图案生成激励的作用下，进入所述图案形成腔，并在所述水平面上生成与待形成的电路图案相对应的掩膜图案。本发明降低了掩膜版的成本。
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公开(公告)号：CN103913957A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410112466.0
申请日：2014-03-24
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
Inventor： 沈奇雨
Abstract: 本发明实施例提供了一种掩膜版、掩膜图案生成控制系统、掩膜系统及掩膜图案生成控制方法，上述的掩膜版，包括一能够透过曝光激励的本体，所述本体内形成有一图案形成腔，所述图案形成腔的底部为一水平面，所述本体上还设置有一用于容纳能够阻挡曝光激励透过的粉状物质的容纳腔，所述容纳腔与所述图案形成腔连通，使得所述粉状物质能够在一图案生成激励的作用下，进入所述图案形成腔，并在所述水平面上生成与待形成的电路图案相对应的掩膜图案。本发明降低了掩膜版的成本。
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