公开(公告)号：CN101960558B

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN200980107575.0

申请日：2009-02-17

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 小林德弘 ,  石塚徹 ,  阿贺浩司 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明是一种贴合晶片的制造方法，至少从结合晶片的表面，离子注入氢离子、稀有气体离子中的至少一种气体离子，而在晶片内部形成离子注入层，然后在将结合晶片的离子注入后的表面与基底晶片的表面，直接贴合或是隔着绝缘膜贴合后，以离子注入层为界，使结合晶片剥离，来制作贴合晶片，其中，根据对结合晶片和基底晶片的至少其中一方的贴合面施行等离子体处理，使氧化膜成长，而在对成长后的氧化膜实行蚀刻处理后，与另一方的晶片贴合。由此，当直接贴合或是隔着绝缘膜贴合时，通过减少贴合面的微粒且牢固地进行贴合，便能防止在贴合晶片的薄膜中发生缺陷。

公开(公告)号：CN101765901B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200880100644.0

申请日：2008-07-03

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 小林德弘 ,  阿贺浩司 ,  长冈康男 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/26506

Abstract: 本发明是一种贴合晶片的制造方法，是至少将接合晶片与成为支撑基板的基底晶片接合，该接合晶片具有根据气体离子的注入而形成的微小气泡层，并将前述微小气泡层作为边界来剥离接合晶片，而在基底晶片上形成薄膜的根据离子注入剥离法来制造贴合晶片的方法，其中，将剥离接合晶片后的贴合晶片，利用臭氧水洗净后，在含有氢气的气氛下，进行急速加热和急速冷却处理，接着，在氧化性气体气氛下，进行热处理，而在前述贴合晶片的表层上形成热氧化膜后，进行除去该热氧化膜，之后，在非氧化性气体气氛下，进行热处理。由此，提供一种贴合晶片的制造方法，是使用离子注入剥离法来制造贴合晶片的方法，能除去由于离子注入所造成的损伤，并在没有损及剥离后的贴合晶片的表面粗度的情况下，抑制凹状缺陷的发生。

公开(公告)号：CN102326227A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201080008682.0

申请日：2010-01-08

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 阿贺浩司 ,  横川功 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/31111

Abstract: 本发明是一种SOI晶片的制造方法，从结合晶片的表面，离子注入气体离子而形成离子注入层，然后经由绝缘膜将此结合晶片的注入有离子的表面与基体晶片的表面贴合，并以离子注入层为界来剥离结合晶片，由此制作SOI晶片，其特征在于，具有下述步骤：将以离子注入层为界来剥离结合晶片之前的贴合晶片，浸渍于可溶解绝缘膜的液体中，或者暴露于可溶解绝缘膜的气体中，以此从贴合晶片的外周端，朝向中心方向，蚀刻位于结合晶片与基体晶片之间的绝缘膜。由此，提供一种SOI晶片的制造方法，所述SOI晶片的制造方法可控制使用离子注入剥离法来剥离时所产生的平台宽度，并且可防止会造成良率下降的平台部SOI岛的产生。

公开(公告)号：CN101765901A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200880100644.0

申请日：2008-07-03

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 小林德弘 ,  阿贺浩司 ,  长冈康男 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/26506

Abstract: 本发明是一种贴合晶片的制造方法，是至少将接合晶片与成为支撑基板的基底晶片接合，该接合晶片具有根据气体离子的注入而形成的微小气泡层，并将前述微小气泡层作为边界来剥离接合晶片，而在基底晶片上形成薄膜的根据离子注入剥离法来制造贴合晶片的方法，其中，将剥离接合晶片后的贴合晶片，利用臭氧水洗净后，在含有氢气的气氛下，进行急速加热和急速冷却处理，接着，在氧化性气体气氛下，进行热处理，而在前述贴合晶片的表层上形成热氧化膜后，进行除去该热氧化膜，之后，在非氧化性气体气氛下，进行热处理。由此，提供一种贴合晶片的制造方法，是使用离子注入剥离法来制造贴合晶片的方法，能除去由于离子注入所造成的损伤，并在没有损及剥离后的贴合晶片的表面粗度的情况下，抑制凹状缺陷的发生。

公开(公告)号：CN1748312A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200480003455.3

申请日：2004-02-13

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 横川功 ,  阿贺浩司 ,  高野清隆 ,  三谷清

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/76243 ,  H01L21/26533

Abstract: 本发明提供一种SOI晶片的制造方法，该方法至少从硅晶片一边的主表面，注入氧离子以形成氧离子注入层后，对该硅晶片进行将上述氧离子注入层变成埋入式氧化膜的氧化膜形成热处理，以在埋入式氧化膜上制造具有SOI层的SOI晶片，其中，在上述硅晶片形成埋入式氧化膜时，是将其膜厚形成比上述制成的SOI晶片的埋入式氧化膜更厚，其后，在形成有该埋入式氧化膜的硅晶片上，进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理。通过这种方式，可提供一种SOI晶片的制造方法，其可利用SIMOX法制造高品质的SOI晶片，而该SOI晶片具有膜厚较薄且完全性高的埋入式氧化膜，且SOI层的结晶性及表面质量极好。