公开(公告)号：CN102402117A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110348752.3

申请日：2011-09-09

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  稻月判臣 ,  小板桥龙二 ,  金子英雄 ,  原口崇 ,  小岛洋介 ,  广濑智一

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/82 ,  G03F1/32

CPC classification number: G03F1/72 ,  G03F1/32 ,  G03F1/48 ,  G03F1/50

Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料和制造方法、光掩模、光图案曝光方法和过渡金属/硅基材料膜的设计方法。本发明特别涉及一种光掩模坯料，其具有过渡金属/硅基材料的膜，该过渡金属/硅基材料包含过渡金属、硅、氧和氮，具有至少3原子％的氧含量，并满足式：4×CSi/100-6×CM/100＞1，其中CSi是以原子％计的硅含量和CM是以原子％计的过渡金属含量。

公开(公告)号：CN101968605A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN201010270048.6

申请日：2010-05-14

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 五十岚慎一 ,  稻月判臣 ,  金子英雄 ,  吉川博树 ,  木名濑良纪

IPC: G03F1/08 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/14 ,  G03F1/30 ,  G03F1/32 ,  G03F1/80 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明披露了一种对形成于衬底上的加工层的干蚀刻方法，包括步骤：在形成于衬底上的加工层上形成硬掩模层，在该硬掩模层上形成抗蚀剂图形，通过使用该抗蚀剂图形而实施的第一干蚀刻将该抗蚀剂图形转移至所述硬掩模层，并且通过使用以上转移至所述硬掩模层得到的硬掩模图形而实施的第二干蚀刻对所述加工层进行图形化，其中通过所述第一干蚀刻对所述硬掩模层进行图形化后，在所述第一干蚀刻已经实施过的蚀刻装置中，通过改变干蚀刻气体中副成分的浓度而不改变干蚀刻气体中主成分的浓度，利用所述第二干蚀刻对所述加工层进行图形化。

公开(公告)号：CN120065617A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202411710047.7

申请日：2024-11-27

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 生越大河 ,  金子英雄 ,  稻月判臣 ,  高坂卓郎

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/62 ,  C23C14/18 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明提供了包括基板、在基板的一个主表面上形成并且反射曝光光的多层反射膜。多层反射膜具有在其中多次堆叠重复单元的周期性层叠结构，重复单元包括高折射率层、低折射率层和中折射率层中的各一个，所述中折射率层具有低于所述高折射率层的折射率并且高于所述低折射率层的折射率的折射率，和在重复单元中，相对于低折射率层，将高折射率层和中折射率层分别设置在基板侧和远离基板的一侧。

公开(公告)号：CN119493328A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411118547.1

申请日：2024-08-15

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 稻月判臣 ,  高坂卓郎 ,  生越大河 ,  樱井敬佑 ,  三村祥平 ,  金子英雄

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/54 ,  G03F1/76 ,  G03F1/80

Abstract: 作为包括含有钌(Ru)的保护膜的反射型掩模坯料，通过包括基板、多层反射膜、保护膜、吸收膜和在保护膜和吸收膜之间的含有铌(Nb)且不含钌(Ru)的蚀刻阻止膜的反射型掩模坯料来提供反射型掩模坯料，其中保护膜难以受损并可抑制厚度的降低。

公开(公告)号：CN109307982B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN201810840145.0

申请日：2018-07-27

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 高坂卓郎 ,  金子英雄 ,  入江重夫 ,  川浦直树

IPC: G03F1/80 ,  G03F1/66 ,  G03F1/76

Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料、光掩模坯料制造方法和光掩模制造方法。提供光掩模坯料，其包括透明衬底、在该衬底上的含铬材料的第一膜和与该第一膜邻接设置的含有硅/氧的材料的第二膜。该第二膜包括与该第一膜邻接的第一层和在膜厚方向上与该第一层间隔的第二层。该第一层的氧含量低于该第二层的氧含量。在该第一膜的蚀刻过程中，该设置防止蚀刻速率在该第一膜与该第二膜之间的界面处加速。

公开(公告)号：CN115494692A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210690653.1

申请日：2022-06-17

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 高坂卓郎 ,  生越大河 ,  稻月判臣 ,  金子英雄

IPC: G03F1/24

Abstract: 本发明涉及反射型掩模坯料和制造反射型掩模的方法。对于在使用EUV光的EUV蚀刻法中使用的反射型掩模用反射型掩模坯料而言，提供包括基板、具有周期性层叠结构的多层反射膜、保护膜和吸收体膜的反射型掩模坯料，其中在所述周期性层叠结构中交替层叠高折射率层和包含含钼材料的低折射率层。所述低折射率层由一个或多个第一低折射率子层和一个或多个具有与所述第一低折射率子层的组成不同的组成的第二低折射率子层组成。

公开(公告)号：CN115016223A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210196580.0

申请日：2022-03-02

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 三村祥平 ,  金子英雄 ,  寺泽恒男

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/26

Abstract: 本发明涉及反射型掩模坯料和反射型掩模。反射型掩模坯料，其为在使用EUV光作为曝光光的EUV蚀刻法中使用的反射型掩模用材料，包括基板、在基板的一个主表面上形成的并反射曝光光的多层反射膜、和在多层反射膜上形成的并吸收曝光光的含有钨、和另一金属、半金属或轻元素的吸收体膜。

公开(公告)号：CN105319835B

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN201510458035.4

申请日：2015-07-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 笹本纮平 ,  金子英雄 ,  稻月判臣 ,  深谷创一

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/26

Abstract: 提供设计包含透明基材和其上的光学膜的光掩模坯料的方法。所述光掩模坯料被加工成具有光学膜图案的透射性光掩模使得在通过光掩模透射曝光光时可转印该膜图案。使用比反射率作为指标来选择该光学膜，该比反射率等于反射率除以膜厚度。

公开(公告)号：CN104635415B

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201410638317.8

申请日：2014-11-06

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 稻月判臣 ,  樱田丰久 ,  金子英雄 ,  高坂卓郎 ,  笹本纮平

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/54

Abstract: 本发明提供包含透明基材和半色调相移膜的半色调相移光掩模坯料。相移膜由Si、N或Si、N和O组成，不具有过渡金属。相移膜具有厚度40‑70nm，相对于最大200nm波长的光提供10‑40％的透射率和150‑200°相移，并且耐清洁用化学品。

公开(公告)号：CN104460224B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201410499396.9

申请日：2014-09-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 吉井崇 ,  河合义夫 ,  稻月判臣 ,  渡边聪 ,  池田显 ,  桜田豊久 ,  金子英雄

IPC: G03F1/50 ,  G03F1/54 ,  G03F1/76 ,  H01L21/033

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/0046 ,  G03F1/0076 ,  G03F1/32 ,  G03F1/50

Abstract: 本发明的课题是涉及一种光掩膜坯料，所述光掩膜坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩膜坯料的制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩膜坯料在透明基板上至少具有含有硅的无机膜，并在该无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩膜坯料的制造方法是在形成前述无机膜后，以高于200℃的温度，在含有氧气的环境中进行热处理，再进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜。