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公开(公告)号：CN119902409A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411465764.8
申请日：2024-10-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明的反射型掩模坯料，用于将EUV光作为曝光光的EUV光刻中使用的反射型掩模的原材料，其特征在于，包括：基板10；在所述基板10的一个主表面上形成的反射曝光光的多层反射膜20；与所述多层反射膜20相接地形成的保护膜50；以及用于吸收在所述保护膜50上形成的曝光光的吸收膜70。所述保护膜50由含有钌(Ru)的膜形成。所述吸收膜70由钽(Ta)和氮(n)构成的单层膜形成，其中，氮的含量为30原子％以上且小于60原子％。对于波长193nm～248nm光，在所述保护膜50的表面的反射光和在所述吸收膜70的表面的反射光的对比度为20％以上。
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公开(公告)号：CN119916636A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411465765.2
申请日：2024-10-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明的反射型掩模坯料包括：基板10；以及形成在基板10的一个主表面上并反射曝光光的多层反射膜50。所述多层反射膜50具有周期性地层叠含有钌(Ru)的低折射率层30、含有硅(Si)的高折射率层20、以及防止钌(Ru)和硅(Si)相互扩散的扩散防止层40而成的周期层叠结构。所述防扩散层40与低折射率层30接触地形成在所述低折射率层30的接近所述基板10的一侧以及所述低折射率层30的远离所述基板10的一侧中的双方或某一方。所述防扩散层40由选自含有氮化硅(SiN)的层、含有碳化硅(SiC)的层、含有钼(Mo)的层、含有氮化钼(MoN)的层、以及含有碳化钼(MoC)的层中的一个以上的副层所构成。
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公开(公告)号：CN118226699A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311757178.6
申请日：2023-12-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/24
Abstract: 一种反射掩模坯料，其是在EUV光作为曝光用光的EUV光刻中使用的反射掩模的材料，所述反射掩模坯料包括：基板；形成在所述基板的一个主表面上、具有周期性层压结构、并且反射曝光用光的反射多层膜，在所述周期性层压结构中，对于曝光用光具有相对低折射率的层和对于曝光用光具有相对高折射率的层被交替层压；与所述反射多层膜接触形成的保护膜；以及与所述保护膜接触形成并吸收曝光用光的吸收膜，其膜应力不大于在将所述吸收膜直接形成在所述基板上的情况下的膜应力。
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公开(公告)号：CN119493328A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411118547.1
申请日：2024-08-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 作为包括含有钌(Ru)的保护膜的反射型掩模坯料，通过包括基板、多层反射膜、保护膜、吸收膜和在保护膜和吸收膜之间的含有铌(Nb)且不含钌(Ru)的蚀刻阻止膜的反射型掩模坯料来提供反射型掩模坯料，其中保护膜难以受损并可抑制厚度的降低。
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公开(公告)号：CN117631434A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310996646.9
申请日：2023-08-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明的反射型掩模坯料包括：基板10；设置在所述基板10的一个面上且至少反射EUV光的多层反射膜20；以及设置在所述基板10的另一个面上的背面导电膜30。所述背面导电膜30具有：膜厚为50nm以上且小于80nm、且含有钽(Ta)、硅(Si)及氮(n)、且氮含量为18原子％以上且小于35原子％、且将硅含量以原子％计为Csi、将钽含量以原子％计设为CTa时，CSi/(CTa+CSi)为3％以上且小于50％的层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116136642A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211432845.9
申请日：2022-11-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及反射型掩模坯料和反射型掩模。所述反射型掩模坯料，包括基板、在所述基板的一个主表面上形成并反射曝光光的多层反射膜。所述多层反射膜具有在其中交替层叠低折射率层和高折射率层的周期性层叠结构部，并且所述低折射率层中的至少一个具有两层结构，所述两层结构由含有钼和至少一种选自由氮、碳、硼、硅和氢构成的组的添加元素的一层和含有钼并基本上不含除钼之外的其它元素的另一层组成。
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公开(公告)号：CN115494692A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210690653.1
申请日：2022-06-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/24
Abstract: 本发明涉及反射型掩模坯料和制造反射型掩模的方法。对于在使用EUV光的EUV蚀刻法中使用的反射型掩模用反射型掩模坯料而言，提供包括基板、具有周期性层叠结构的多层反射膜、保护膜和吸收体膜的反射型掩模坯料，其中在所述周期性层叠结构中交替层叠高折射率层和包含含钼材料的低折射率层。所述低折射率层由一个或多个第一低折射率子层和一个或多个具有与所述第一低折射率子层的组成不同的组成的第二低折射率子层组成。
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公开(公告)号：CN119493327A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411118546.7
申请日：2024-08-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 能够由能够通过使用含有氧(O)的气体的干法蚀刻图案化的吸收膜通过反射型掩模坯料形成细微且良好的吸收膜的图案，该反射型掩模坯料包括基板、在基板的一个主表面上形成的反射曝光光的多层反射膜、在多层反射膜上形成的吸收曝光光的吸收膜、和在吸收膜上的含有铌(Nb)的蚀刻掩模膜。
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公开(公告)号：CN118778342A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410393516.0
申请日：2024-04-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/24
Abstract: 在包括基板、多层反射膜、保护膜、吸收体膜和硬掩模膜的反射掩模坯中，保护膜由含有钌(Ru)的材料组成，吸收体膜由第一层和第二层或第一层、第二层和第三层组成，第一层具有含有钽(Ta)且不含氮(N)的组成，第二层具有含有钽(Ta)和氮(N)的组成，第三层具有含有钽(Ta)、氮(N)和氧(O)的组成，和硬掩模膜由含有铬(Cr)的材料组成。
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公开(公告)号：CN118226700A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311758324.7
申请日：2023-12-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/24
Abstract: 一种反射掩模坯料，其包含基板、形成在所述基板的一个主表面上并且反射曝光用光的多层反射膜、以及形成在所述多层反射膜上且包含钌(Ru)和铌(Nb)的保护膜，所述保护膜包括在厚度方向上与靠近所述多层反射膜的一侧和最远离所述多层反射膜的一侧两者的钌(Ru)含量相比钌(Ru)含量低的部分。
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