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公开(公告)号：CN119493328A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411118547.1
申请日：2024-08-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 作为包括含有钌(Ru)的保护膜的反射型掩模坯料，通过包括基板、多层反射膜、保护膜、吸收膜和在保护膜和吸收膜之间的含有铌(Nb)且不含钌(Ru)的蚀刻阻止膜的反射型掩模坯料来提供反射型掩模坯料，其中保护膜难以受损并可抑制厚度的降低。
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公开(公告)号：CN114442420A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111268300.4
申请日：2021-10-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及相移掩模坯料、相移掩模的制造方法和相移掩模。相移掩模坯料，包括透明基板、在透明基板上形成的刻蚀保护膜、和与刻蚀保护膜接触地形成的相移膜，其中曝光光是ArF准分子激光。刻蚀保护膜包含含有铪和氧、或者铪、硅和氧的材料，并具有1至30nm的厚度和相对于曝光光不小于85％的透射率，并且相移膜包含含有硅且不含铪的材料，并具有50至90nm的厚度。
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公开(公告)号：CN115016222A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210196543.X
申请日：2022-03-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及反射型掩模坯料及其制造方法。反射型掩模坯料的吸收体膜用金属和半金属元素选自分别包括在第一、第二和第三区域中的第一、第二和第三元素，其由每种金属和半金属元素的单质的折射率n和消光系数k限定，并且通过所选择的金属和半金属元素形成吸收体膜从而具有反射率比为0.05至0.25和相位偏移为180至260°。
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公开(公告)号：CN113515006A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110380334.6
申请日：2021-04-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及反射型掩模坯料、其制造方法和反射型掩模。反射型掩模坯料，其是用于在使用EUV光作为曝光光的EUV光刻中使用的反射型掩模的材料，该反射型掩模坯料包括基板、在基板的一个主表面上形成并反射曝光光的多层反射膜、和在多层反射膜上形成并吸收曝光光的吸收体膜；吸收体膜是由第一层构成的单层、或由从基板侧开始的第一层和第二层构成的多层；第一层由钽和氮组成，并且含有55至70at％的钽和30至45at％的氮；第二层由钽和氮及40at％以下的氧组成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119689774A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411312329.1
申请日：2024-09-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 将在保护膜上形成的能够通过离子束蚀刻或甲醇蚀刻从而进行蚀刻的反射型掩模坯料的吸收膜图案化，其中，通过设有与保护膜和吸收膜两者接触的蚀刻阻止膜和吸收膜上的第一硬掩模膜，并使用第一硬掩模膜的图案作为蚀刻掩膜，通过离子束蚀刻或甲醇蚀刻将吸收膜图案化。
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公开(公告)号：CN119493327A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411118546.7
申请日：2024-08-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 能够由能够通过使用含有氧(O)的气体的干法蚀刻图案化的吸收膜通过反射型掩模坯料形成细微且良好的吸收膜的图案，该反射型掩模坯料包括基板、在基板的一个主表面上形成的反射曝光光的多层反射膜、在多层反射膜上形成的吸收曝光光的吸收膜、和在吸收膜上的含有铌(Nb)的蚀刻掩模膜。
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公开(公告)号：CN118778342A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410393516.0
申请日：2024-04-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/24
Abstract: 在包括基板、多层反射膜、保护膜、吸收体膜和硬掩模膜的反射掩模坯中，保护膜由含有钌(Ru)的材料组成，吸收体膜由第一层和第二层或第一层、第二层和第三层组成，第一层具有含有钽(Ta)且不含氮(N)的组成，第二层具有含有钽(Ta)和氮(N)的组成，第三层具有含有钽(Ta)、氮(N)和氧(O)的组成，和硬掩模膜由含有铬(Cr)的材料组成。
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公开(公告)号：CN117055284A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310537547.4
申请日：2023-05-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种反射型光掩模坯料和制造反射型光掩模的方法。所述反射型光掩模坯料包括：衬底,反射曝光光的多层反射膜(所述曝光光是极紫外范围内的光)，保护膜，吸收曝光光的吸光膜，以及硬掩模膜，其与所述吸光膜接触地形成。所述硬掩模膜由多层构成，该多层包括第一层和第二层，所述第一层设置在离衬底最远的一侧，且由耐受氯基干刻蚀且可通过氟基干刻蚀去除的材料组成，并且第二层由耐受氟基干刻蚀且可通过氯基干刻蚀去除的材料组成。在一种条件下在氟基干刻蚀时吸光膜的刻蚀完成时间长于在相同条件下在氟基干刻蚀时硬掩模膜的第一层的刻蚀完成时间。
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公开(公告)号：CN116909085A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310388811.2
申请日：2023-04-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种反射型光掩模坯料，制造反射型光掩模的方法和反射型光掩模。所述反射型光掩模坯料包括：衬底，在衬底上形成且反射曝光光(即极紫外范围内的光)的多层反射膜，在多层反射膜上形成的保护多层反射膜的保护膜，在保护膜上形成并吸收曝光光的吸光膜，以及硬掩模膜，其形成于所述吸光膜上并与所述吸光膜接触，且在通过干刻蚀图案化所述吸光膜中充当硬掩模膜。所述硬掩模膜由多层构成，该多层包括第一层和第二层，所述第一层设置在离衬底最远的一侧，并由含硅且不含铬的材料组成，且第二层由含铬且不含硅的材料组成。
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