装置以及装置的控制方法
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117918870A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202311357418.3

    申请日:2023-10-19

    Abstract: 本发明涉及装置以及装置的控制方法。一种装置包括:用于获取图像的第一像素,第一像素包括第一转换元件和第一薄膜晶体管并且连接到第一信号线;用于校正第一像素的输出的第二像素,第二像素包括元件和第二薄膜晶体管并且连接到第二信号线,其中与第一信号线相关的多个电容之间的比率和与第二信号线相关的多个电容之间的比率大致等同。

    传感器基板及其制造方法、放射线成像装置及系统

    公开(公告)号:CN116598324A

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202310133016.9

    申请日:2023-02-07

    Abstract: 本公开提供了一种传感器基板及其制造方法、放射线成像装置及系统。传感器基板包括:基板,其包括像素区域,在所述像素区域中,像素被布置在两个表面的第一表面上;闪烁体,其被布置在两个表面的第一表面和第二表面中的一个上;以及遮光部件,其被布置在布置有闪烁体的表面上。像素区域包括生成用于放射线图像的信号的第一区域和生成用于对从第一区域输出的信号进行校正的信号的第二区域。闪烁体被布置为与第一区域重叠但不与第二区域重叠。遮光部件被布置为覆盖闪烁体并与第二区域重叠。遮光部件的与第二区域重叠的部分被接合到布置有闪烁体的表面。

    放射线成像装置
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109758169B

    公开(公告)日:2022-12-20

    申请号:CN201811300190.3

    申请日:2018-11-02

    Abstract: 公开了放射线成像装置。放射线成像装置包括:像素部分,其中多个像素以矩阵形式被布置,每个像素包括被配置成将放射线转换成电荷的转换元件;驱动电路,被配置成驱动多条驱动线;以及处理单元,被配置成处理来自像素部分的信号。驱动电路执行其中所述多个像素的转换元件被重复地复位的复位操作。像素部分包括其中像素已被划分成多个组的行。所述多个组的转换元件在复位操作中在不同的定时处被复位,并且处理单元通过使用另一个组的像素的信号来校正具有由复位操作造成的数据缺陷的组的像素的信号。

    放射线成像装置
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109758169A

    公开(公告)日:2019-05-17

    申请号:CN201811300190.3

    申请日:2018-11-02

    Abstract: 公开了放射线成像装置。放射线成像装置包括:像素部分,其中多个像素以矩阵形式被布置,每个像素包括被配置成将放射线转换成电荷的转换元件;驱动电路,被配置成驱动多条驱动线;以及处理单元,被配置成处理来自像素部分的信号。驱动电路执行其中所述多个像素的转换元件被重复地复位的复位操作。像素部分包括其中像素已被划分成多个组的行。所述多个组的转换元件在复位操作中在不同的定时处被复位,并且处理单元通过使用另一个组的像素的信号来校正具有由复位操作造成的数据缺陷的组的像素的信号。

    放射线成像装置和放射线成像系统

    公开(公告)号:CN105030261B

    公开(公告)日:2018-10-02

    申请号:CN201510214273.0

    申请日:2015-04-30

    Abstract: 本发明涉及放射线成像装置和放射线成像系统。一种像素包括检测放射线的转换元件,以及该元件和信号线之间的开关。读出单元读出信号线上的信号。读出单元包括重置信号线的电势的重置单元。在其期间读出单元读出信号线上的信号的时间段包括第一时间段,在其期间信号线被重置,并且读出在开关不导通的状态下该信号线上的信号,以及第二时间段,在其期间信号线被重置,并且读出由于所述开关导通而产生的信号线上的信号。处理单元计算第二时间段和第一时间段中读出的信号之间的差。

    放射线检测设备和包括该放射线检测设备的检测系统

    公开(公告)号:CN103006245A

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201210347102.1

    申请日:2012-09-18

    CPC classification number: H01L27/14663

    Abstract: 本发明涉及放射线检测设备和包括该放射线检测设备的检测系统。一种检测设备包括:转换元件;晶体管,包括半导体层、第一栅极电极以及第二栅极电极,该半导体层包括第一沟道区和第二沟道区;与第一栅极电极连接的第一驱动布线;与第二栅极电极连接的第二驱动布线;第一导通电压供应单元,将第一导通电压供应给第一驱动布线;第二导通电压供应单元,将第二导通电压供应给第二驱动布线;以及选择单元,选择在第二驱动布线与第一导通电压供应单元之间的第一连接以及在第二驱动布线与第二导通电压供应单元之间的第二连接中的任何一个。

    反相器制造方法和反相器
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101681927A

    公开(公告)日:2010-03-24

    申请号:CN200880015916.7

    申请日:2008-05-15

    CPC classification number: H01L29/7869 H01L27/1233

    Abstract: 为了提供可被容易地制造的增强-耗尽(E/D)反相器,在本发明中,提供包含在同一基板上形成的、沟道层包含选自In、Ga和Zn的至少一种元素的氧化物半导体的反相器的制造方法,该反相器是具有多个薄膜晶体管的E/D反相器,该制造方法的特征在于包括以下步骤:形成第一晶体管和第二晶体管,第一晶体管和第二晶体管的沟道层的厚度互不相同;以及对于第一晶体管和第二晶体管的沟道层中的至少一个执行热处理。

    放射线摄像装置和放射线摄像系统

    公开(公告)号:CN112798626B

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202011255945.X

    申请日:2020-11-11

    Abstract: 本发明提供一种放射线摄像装置和放射线摄像系统。该装置包括:多个像素,各像素包括转换元件和开关;被构造为经由驱动线控制开关的驱动电路;被构造为经由偏置线向转换元件供应偏置电位的偏置电源单元;从所述多个像素向其输出信号的列信号线;以及检测单元。所述多个像素包括在行方向上彼此相邻且连接到公共列信号线的第一像素和第二像素。第一像素的开关和第二像素的开关连接到彼此不同的驱动线。检测单元基于流向偏置线的电流来确定有/无放射线照射。

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