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公开(公告)号：CN101960571B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200980107330.8
申请日：2009-03-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78633
Abstract: 在至少包括半导体的半导体元件的处理方法中，通过用波长比半导体的吸收边波长长的光照射半导体，改变半导体元件的阈值电压。半导体中的隙内状态的面密度为1013cm-2eV-1或更小。带隙可为2eV或更大。半导体可包括从由In、Ga、Zn和Sn构成的组中选择的至少一种。半导体可以是从由非晶In-Ga-Zn-O(IGZO)、非晶In-Zn-O(IZO)和非晶Zn-Sn-O(ZTO)构成的组中选择的一种。光照射可在半导体元件中引起阈值电压偏移，该阈值电压偏移具有与由制造工艺历史、时间相关变化、电应力或热应力导致的阈值电压偏移相反的符号。
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公开(公告)号：CN101595564B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200880003355.9
申请日：2008-01-17
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L27/3265 , H01L27/3248 , H01L2227/323 , H01L2251/5323
Abstract: 一种有源矩阵显示装置包含在基板(10)上形成的晶体管(20)、存储电容器(30)和发光元件(40)。晶体管(20)具有源极电极(21)、漏极电极(22)和栅极电极(23)。存储电容器(30)具有依次层叠在基板(10)上的第一电极(31)、电介质层(32)和第二电极(33)的多层结构。发光元件(40)具有依次层叠在基板(10)上的第三电极(41)、发光层(42)和第四电极(43)的多层结构。第一电极(31)与栅极电极(23)连接，并且，存储电容器(30)的至少一部分被设置在基板(10)和发光元件(40)之间。基板(10)、第一电极(31)、第二电极(33)和第三电极(41)均由透过可见光的材料形成。
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公开(公告)号：CN101595564A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200880003355.9
申请日：2008-01-17
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L27/3265 , H01L27/3248 , H01L2227/323 , H01L2251/5323
Abstract: 一种有源矩阵显示装置包含在基板(10)上形成的晶体管(20)、存储电容器(30)和发光元件(40)。晶体管(20)具有源极电极(21)、漏极电极(22)和栅极电极(23)。存储电容器(30)具有依次层叠在基板(10)上的第一电极(31)、电介质层(32)和第二电极(33)的多层结构。发光元件(40)具有依次层叠在基板(10)上的第三电极(41)、发光层(42)和第四电极(43)的多层结构。第一电极(31)与栅极电极(23)连接，并且，存储电容器(30)的至少一部分被设置在基板(10)和发光元件(40)之间。基板(10)、第一电极(31)、第二电极(33)和第三电极(41)均由透过可见光的材料形成。
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公开(公告)号：CN100514426C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200710086340.0
申请日：2007-03-13
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G09G3/325 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2320/043
Abstract: 提供了利用晶体管的磁滞特性驱动显示元件的像素电路和图像显示装置。该像素电路包括：提供分别从关状态过渡到开状态时和从开状态过渡到关状态时栅极电压值与漏极电流值之间的不同的第一和第二关系的晶体管；被提供有由晶体管控制的电流作为驱动电流的显示元件；及连接到晶体管栅极的电容器元件。第一和第二关系中的一个在用于设置要提供给显示元件的驱动电流的第一期间中使用。而第一和第二关系中的另一个在向显示元件提供驱动电流以进行发光的第二期间中使用。
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公开(公告)号：CN1390986A
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN02122161.8
申请日：2002-05-31
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/02667 , C23C26/02 , C30B13/22 , C30B29/06 , H01L21/02686 , H01L21/2022
Abstract: 提供生产晶体薄膜的方法，包括将具有各个区域的起始薄膜进行熔化和再固化，所述区域在其状态上彼此不同而连续共存。起始薄膜的小区域所具有的晶粒或晶体簇的数目浓度的尺寸分布与周围区域不同。在熔化和再固化过程中，优先在一个区域中生长晶粒以控制晶粒在晶体薄膜中的位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103077961B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310008995.1
申请日：2009-08-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/221 , H01L29/786 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/78663 , H01L29/7869
Abstract: 提供非晶氧化物半导体，其包括铟（In）和锌（Zn）中的至少一种元素与氢，该非晶氧化物半导体含有1×1020cm-3～1×1022cm-3的氢原子和氘原子中的一种，并且在该非晶氧化物半导体中，除了过剩氧（OEX）和氢之间的键之外的氧和氢之间的键密度小于等于1×1018cm-3。
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公开(公告)号：CN101661952B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN200910167482.9
申请日：2009-08-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/12 , H01L29/786 , H01L27/02 , H01L21/34 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/78663 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供非晶氧化物半导体，其包括铟(In)和锌(Zn)中的至少一种元素与氢，该非晶氧化物半导体含有1×1020cm-3～1×1022cm-3的氢原子和氘原子中的一种，并且在该非晶氧化物半导体中，除了过剩氧(OEX)和氢之间的键之外的氧和氢之间的键密度小于等于1×1018cm-3。
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公开(公告)号：CN101401213B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200780009147.5
申请日：2007-03-08
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/78621
Abstract: 本发明提供一种包括作为半导体层的氧化物膜的场效应晶体管，其中所述氧化物膜包括添加有氢和氘之一的源极部分和漏极部分之一。
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公开(公告)号：CN101667391A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910171390.8
申请日：2009-08-31
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G09G3/325 , G09G2300/0426 , G09G2300/0439 , G09G2300/0814 , G09G2300/0852 , G09G2310/0251 , G09G2310/0262 , G09G2320/0223
Abstract: 本发明公开了一种像素电路、发光显示装置及其驱动方法。一种像素电路至少包括发光元件和薄膜晶体管，薄膜晶体管将根据发光元件的亮度-电流特性控制灰度级的第一电流供应给发光元件，其中，薄膜晶体管具有背栅电极，包括至少驱动时段和写入时段，在驱动时段中，薄膜晶体管将第一电流供应给发光元件，在写入时段中，为了使第一电流在驱动时段期间通过薄膜晶体管，在驱动时段之前，第二电流被写入薄膜晶体管，以及通过改变在驱动时段和写入时段中被施加到背栅电极的电压，使得对薄膜晶体管的栅极电压的电流能力不同。
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公开(公告)号：CN101401213A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200780009147.5
申请日：2007-03-08
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/78621
Abstract: 本发明提供一种包括作为半导体层的氧化物膜的场效应晶体管，其中所述氧化物膜包括添加有氢和氘之一的源极部分和漏极部分之一。
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