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公开(公告)号：CN101086963A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200710110258.7
申请日：2007-06-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L23/00 , H01L33/00 , H01S5/00 , H01S5/323 , H01S5/343 , C30B25/02 , C30B29/40
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/00 , C30B25/183
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓晶体的生长方法，包括：在地衬底(U)上，部分形成抑制氮化镓晶体外延生长的掩模(M)的步骤；和在掺杂碳的同时，在形成了掩模(M)的地衬底(U)上外延生长氮化镓晶体的步骤。在外延生长中，第一晶体区从掩模(M)外围朝着内部生长。在所述第一晶体区中c轴方向相对于地衬底(U)中没有形成掩模(M)的区域上生长的第二晶体区反转。
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公开(公告)号：CN1275335C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN02142450.0
申请日：2002-09-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/406 , H01L21/02381 , H01L21/02395 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02642 , H01L21/02647
Abstract: 一种单晶氮化镓基板的生长方法，在衬底基板上有规律地设种子图案，在其长形成凹凸面构成的坑并加以维持，同时让GaN凹凸生长而接着坑底部形成封闭缺陷集合区H，将变位集结于此，实现封闭缺陷集合区H周围的单晶低变位伴随区Z与单晶低变位剩余区Y的低变位化。由于封闭缺陷集合区H是封闭的，所以变位被封闭不会再释放。
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公开(公告)号：CN1269999C
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN02105907.1
申请日：2002-04-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B31/00 , H01L21/205 , H01L21/22 , H01L33/00
CPC classification number: C30B23/00 , C30B23/02 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B29/60 , C30B33/00 , H01L21/02389 , H01L21/02395 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/207
Abstract: 本发明提供一种可以收取氧作为n型掺杂剂的氮化镓单晶的成长方法。该法采用在表面(上面)具有C面以外的面的种晶，在供给含镓原料、氮原料和掺杂必要的含氧的原料气的同时，保持C面以外的表面，使氮化镓结晶进行气相成长，通过该表面，在氮化镓结晶中掺杂氧。或者，使用表面上具有C面的种晶，在供给镓原料、氮原料和掺杂必需的含氧原料气的同时，使产生C面以外的小平面，在保住该小平面的同时使氮化镓结晶以c轴方向进行气相成长，通过小平面，在氮化镓结晶中掺杂氧。
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公开(公告)号：CN1175473C
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN98812716.4
申请日：1998-10-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , B82Y20/00 , C30B25/00 , C30B29/406 , H01L21/02395 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01S5/0206 , H01S5/34333 , H01S2304/00 , H01S2304/04 , Y10S117/902 , Y10S438/942
Abstract: 一种GaN单晶衬底的制造方法，其特征在于，包括：屏蔽层形成工序，在GaAs衬底2上，形成具有相互隔离配置的多个开口窗10的屏蔽层8；和外延层生成工序，在屏蔽层8上，生长由GaN构成的外延层12。
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公开(公告)号：CN1380449A
公开(公告)日：2002-11-20
申请号：CN02105907.1
申请日：2002-04-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B31/00 , H01L21/205 , H01L21/22 , H01L33/00
CPC classification number: C30B23/00 , C30B23/02 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B29/60 , C30B33/00 , H01L21/02389 , H01L21/02395 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/207
Abstract: 本发明提供一种可以收取氧作为n型掺杂剂的氮化镓单晶的成长方法。该法采用在表面(上面)具有C面以外的面的种晶,在供给含镓原料、氮原料和掺杂必要的含氧的原料气的同时,保持C面以外的表面,使氮化镓结晶进行气相成长,通过该表面,在氮化镓结晶中掺杂氧。或者,使用表面上具有C面的种晶,在供给镓原料、氮原料和掺杂必需的含氧原料气的同时,使产生C面以外的小平面,在保住该小平面的同时使氮化镓结晶以c轴方向进行气相成长,通过小平面,在氮化镓结晶中掺杂氧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108370643A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680071741.6
申请日：2016-11-21
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工印刷电路株式会社
IPC: H05K1/02
Abstract: 根据本发明的一个实施方式的散热性线路板具备：具有绝缘片以及在该绝缘片的表面那一侧上层叠的导电图案的印刷电路板；经由导热性粘接剂层而在所述印刷电路板的绝缘片的背面那一侧上层叠的导热性基材，所述散热性线路板具有这样的散热区域，该散热区域包括所述导热性基材的投影区域的至少一部分、且其中的绝缘片的厚度小于其他区域中的绝缘片的厚度。
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公开(公告)号：CN102414796B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201080019145.6
申请日：2010-03-01
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 株式会社光波
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/32
CPC classification number: C23C16/0227 , C23C16/0272 , C23C16/303 , C30B25/183 , C30B29/406 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供制作包含生长于氧化镓衬底上的有源层且能够提高发光强度的晶片产品的方法。在步骤S105中，在摄氏600度下，在氧化镓衬底(11)的主面(11a)上生长包含GaN、AlGaN、AlN等III族氮化物的缓冲层(13)。生长缓冲层(13)后，将包含氢气和氮气的气体G2供给至生长炉(10)中，同时在摄氏1050度下使氧化镓衬底(11)及缓冲层(13)暴露于生长炉(11)的气氛中。III族氮化物半导体层(15)的沉积，在改性后的缓冲层上进行。改性后的缓冲层例如包含空隙。III族氮化物半导体层(15)可包含GaN及AlGaN。使用这些材料形成III族氮化物半导体层(15)时，可在改性后的缓冲层(14)上得到良好的结晶质量。
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公开(公告)号：CN101515700B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200910007584.4
申请日：2009-02-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L33/16 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供III族氮化物发光器件及制造III族氮化物基半导体发光器件的方法。在氮化镓基半导体区域的基面上生长具有量子阱结构的有源层。该量子阱结构以具有410nm以上的发射峰值波长的方式形成。阱层的厚度为4nm以上10nm以下。该阱层由InXGa1-XN(0.15≤X＜1，其中X为应变组分)组成。所述氮化镓基半导体区域的基面关于六方晶系III族氮化物的{0001}面或{000-1}面以15度以上85度以下的范围内的倾斜角倾斜。该范围中的基面是半极性面。
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公开(公告)号：CN101805928A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010121696.5
申请日：2007-06-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/40
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/00 , C30B25/183
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓晶体衬底，该氮化镓晶体衬底包括：第一晶体区，该第一晶体区具有晶体缺陷聚集区(H)，以及第二晶体区，该第二晶体区具有低晶体缺陷区部分(Z)和C面生长区部分(Y)。C面生长区部分(Y)的碳浓度与晶体缺陷聚集区(H)的碳浓度之比为101-105，并且C面生长区部分(Y)的碳浓度与低晶体缺陷区部分(Z)的碳浓度之比为101-105。并且，该C面生长区部分(Y)的碳浓度是1016-1020cm-3。
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公开(公告)号：CN101063225A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200610105562.8
申请日：2002-09-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种单晶氮化镓基板的生长方法，在衬底基板上有规律地设种子图案，在其长形成凹凸面构成的坑并加以维持，同时让GaN凹凸生长而接着坑底部形成封闭缺陷集合区H，将变位集结于此，实现封闭缺陷集合区H周围的单晶低变位伴随区Z与单晶低变位剩余区Y的低变位化。由于封闭缺陷集合区H是封闭的，所以变位被封闭不会再释放。
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