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公开(公告)号：CN100550303C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200410089673.5
申请日：2004-10-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B9/00 , C30B29/403 , C30B29/406
Abstract: 本发明提供了具有大范围晶体生长速率的第III族氮化物晶体，它们的制备方法，和制备这种第III族氮化物晶体的设备。制备方法包括：在反应容器(21)中，围绕晶种(2)形成包含至少一种第III族元素和一种催化剂的熔体(1)的熔体形成步骤；和将含氮物质(3)供给熔体(1)以便在晶种(2)上生长第III族氮化物晶体(4)的晶体生长步骤；该方法的特征在于，控制温度，以便在晶体生长步骤中，熔体(1)的温度从熔体(1)与含氮物质(3)之间的界面(13)朝熔体(1)与晶种(2)之间的界面(12)或熔体(1)与已生长在晶种(2)上的第III族氮化物晶体(4)之间的界面(14)递降。
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公开(公告)号：CN101350333A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810130234.2
申请日：2008-06-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法。提供一种具有两英寸或更大的大直径的GaN衬底、具有在GaN衬底上形成的外延层的衬底、半导体器件以及制造该GaN衬底的方法，通过该GaN衬底，可以在工业上以低成本得到半导体器件，如具有改进性能如发光效率、工作寿命等的发光元件。GaN衬底具有主表面，并包括低缺陷晶体区和邻近于低缺陷晶体区的缺陷集中区。低缺陷晶体区和缺陷集中区从主表面延伸到位于主表面的反向侧的后表面。面方向[0001]相对于该主表面的法线矢量在偏斜角方向上倾斜。
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公开(公告)号：CN101063225A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200610105562.8
申请日：2002-09-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种单晶氮化镓基板的生长方法，在衬底基板上有规律地设种子图案，在其长形成凹凸面构成的坑并加以维持，同时让GaN凹凸生长而接着坑底部形成封闭缺陷集合区H，将变位集结于此，实现封闭缺陷集合区H周围的单晶低变位伴随区Z与单晶低变位剩余区Y的低变位化。由于封闭缺陷集合区H是封闭的，所以变位被封闭不会再释放。
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公开(公告)号：CN1701415A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200480000799.9
申请日：2004-05-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 中畑成二
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C30B29/40 , C30B25/18 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/02656
Abstract: 公开了一种具有低位错密度的高质量第III族氮化物晶体及制备这种第III族氮化物晶体的制备方法。将第III族氮化物晶体薄膜(2)生长到衬底(1)上，且将金属薄膜(3)沉积其上。通过进行热处理，将金属薄膜(3)改变为金属氮化物薄膜(4)，并且在其中产生细孔(4h)，和在第III族氮化物晶体薄膜(2)中形成孔隙部分(2b)。通过进一步生长第III族氮化物晶体，将用于填充的第III族氮化物晶体(5)填充到所述的孔隙部分(2b)且将第III族氮化物晶体(6)生长到金属氮化物薄膜(4)上。
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公开(公告)号：CN1670916A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510005741.X
申请日：2005-01-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C30B9/10 , C30B7/10 , C30B19/02 , C30B25/18 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/0254 , H01L21/02587 , H01L21/0262 , H01L21/02625
Abstract: 提供了一种具有低的位错密度、制造便宜的第III族氮化物晶体衬底、制造这种衬底的方法，及结合所述第III族氮化物晶体衬底的第III族氮化物半导体器件。所述第III族氮化物晶体衬底的制造方法包括：将第一种第III族氮化物晶体(2)通过液相取向附生生长到基础衬底(1)上面的步骤；和将第二种第III族氮化物晶体(3)通过气相取向附生生长到所述第一种第III族氮化物晶体(2)上面的步骤。由这种制造方法制造的第III族氮化物晶体衬底的位错密度为1×107位错/cm2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110042471A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910130397.9
申请日：2015-04-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/40 , C30B25/04 , C30B25/16 , C30B25/18 , H01L21/02 , H01L29/04 , H01L29/20 , H01L21/329 , H01L29/872
Abstract: 提供了一种氮化镓衬底。所述氮化镓衬底用C面来作为表面，所述氮化镓衬底包括第一区域和第二区域，在位于所述C面中的并且每个边均为2mm长度的正方形区域中的25℃时的显微光致发光扫描成像中，所述第一区域和所述第二区域具有不同的带端发射强度的平均值，所述第一区域的带端发射强度的平均值Ibe1a和所述第二区域的带端发射强度的平均值Ibe2a满足以下的关系表达式(I)和(II)：Ibe1a>Ibe2a...(I)以及2.1≤Ibe1a/Ibe2a≤9.4...(II)。
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公开(公告)号：CN102315103B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201110308166.6
申请日：2006-12-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02617 , C23C16/303 , C23C16/4405 , C23C16/4488 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/403
Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。
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公开(公告)号：CN103014866A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210441633.7
申请日：2007-10-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/205 , H01L21/304 , H01L33/00
CPC classification number: C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , H01L21/02024 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及III族氮化物衬底、设置有外延层的衬底、制造上述衬底的方法以及制造半导体器件的方法。GaN衬底(1)为如下之一：一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下；一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下；以及一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下。
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公开(公告)号：CN101503825B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200910007530.8
申请日：2005-07-13
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 中畑成二
Abstract: 提供一种制造III族氮化物单晶体的方法，由此提高源材料产量和增加晶体生长速率。一种III族氮化物单晶体制造方法，其中在衬底(1)和III族氮化物源材料衬底(2)之间形成200μm以下厚度的液体层(3)，以及在衬底(1)的液体层侧面上的表面(1s)上生长III族氮化物单晶体(4)。在此，液体层侧面上的至少表面层(1a)中的衬底(1)可以由III族氮化物单晶体形成，而III族氮化物源材料衬底(2)可以由III族氮化物多晶体形成。而且，液体层侧面上的至少表面层(1a)中的衬底(1)和III族氮化物源材料衬底(2)可以由III族氮化物单晶体形成，而衬底(1)的液体层侧面上的表面(1s)可以被制成III族原子表面，以及III族氮化物源材料衬底(2)的液体层侧面上的表面(2s)可以被制成氮原子表面。
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公开(公告)号：CN1992168B8
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN200610172517.4
申请日：2006-12-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , C30B25/02 , C30B33/00 , H01S5/323
Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。
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