单晶金刚石及其制造方法
    15.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111133134B

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN201880060767.X

    申请日:2018-09-14

    Abstract: 本发明涉及一种单晶金刚石,所述单晶金刚石包含:在观察表面中观察到的杂质总浓度不同的n种类型的区域,所述观察表面与(110)面平行并且具有不大于5μm的表面粗糙度Ra,所述观察表面是通过对所述单晶金刚石的表面进行研磨而得到的,其中n为2或3。所述n种类型的区域各自具有不小于0.1μm2的面积。在所述观察表面上的第一条线、第二条线和第三条线中的至少一条与所述n种类型的区域之间的边界交叉至少四次。所述第一条线、所述第二条线和所述第三条线是与 方向平行并且具有1mm长度的线段。所述第一条线的中点对应于所述观察表面的重心。所述第二条线的中点对应于在 方向上距所述重心300μm的点。所述第三条线的中点对应于在 方向上距所述重心300μm的点。

    单晶金刚石材料、单晶金刚石芯片和穿孔工具

    公开(公告)号:CN107109691B

    公开(公告)日:2021-05-25

    申请号:CN201680006136.0

    申请日:2016-07-22

    Abstract: 在单晶金刚石材料中,非置换型氮原子的浓度为200ppm以下,置换型氮原子的浓度低于所述非置换型氮原子的浓度,并且所述单晶金刚石材料具有偏角为20°以下的晶体生长主表面。在单晶金刚石芯片中,非置换型氮原子的浓度可以为200ppm以下,置换型氮原子的浓度可以低于所述非置换型氮原子的浓度,并且所述单晶金刚石芯片可以具有偏角为20°以下的主表面。一种穿孔工具,其包含单晶金刚石拉丝模,其中在所述单晶金刚石拉丝模中,非置换型氮原子的浓度为200ppm以下,置换型氮原子的浓度低于所述非置换型氮原子的浓度,并且所述单晶金刚石拉丝模具有由‑5以上且5以下的整数密勒指数表示的低指数面,所述低指数面的垂线相对于拉丝用孔的取向的偏角为20°以下。

    单晶金刚石及其制造方法、包含单晶金刚石的工具和包含单晶金刚石的部件

    公开(公告)号:CN106574393A

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201580039728.8

    申请日:2015-07-22

    Abstract: 在单晶金刚石(20)的晶体生长主表面(20m)的X射线形貌照片中,晶体缺陷点(20dp)的组聚集而存在,各个晶体缺陷点(20dp)是到达所述晶体生长主表面(20m)的晶体缺陷线(20dq)的前端点,所述晶体缺陷线(20dq)表示其中存在晶体缺陷(20d)的线。此外,在所述单晶金刚石(20)中,平行存在多个晶体缺陷线状聚集区域(20r)。在所述多个晶体缺陷线状聚集区域(20r)中,晶体缺陷点(20dp)的组聚集并在相对于一个任意规定方向成30°以内的角的方向上以线状延伸。由此,提供一种单晶金刚石,所述单晶金刚石适合用于切削工具、抛光工具、光学部件、电子部件、半导体材料等。

    制造金刚石的方法、金刚石、金刚石复合基板、金刚石接合基板和工具

    公开(公告)号:CN114655953A

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN202210130434.8

    申请日:2015-08-07

    Abstract: 本发明提供:一种制造金刚石的方法,所述方法能够在短时间内将所述金刚石与基板分离并且使得所述基板和所述金刚石各自的分离表面平坦;一种通过所述制造金刚石的方法获得的金刚石;和使用所述金刚石的金刚石复合基板、金刚石接合基板和工具。本发明的通过气相合成法制造金刚石的方法包括如下步骤:准备包含金刚石籽晶的基板;通过气相合成法在所述基板的主表面上形成光吸收层;通过气相合成法在所述光吸收层的主表面上生长金刚石层;和通过从所述金刚石层和所述基板中的至少一者的主表面施加光以使所述光吸收层吸收光并造成所述光吸收层破碎,从而将所述金刚石层与所述基板分离。

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