公开(公告)号：CN101562128A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200910138981.5

申请日：2006-08-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西浦隆幸 ,  目崎义雄

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/544 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B29/40 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L23/544 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/32 ,  H01L33/0095 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在该氮化物半导体基板的加工方法中，首先，准备圆盘状的氮化物半导体基板(20)，其具备多个条纹区域(12)，该多个条纹区域(12)由晶体缺陷密度高于周围的单晶体区域(14)的缺陷集中区域构成。接着，以条纹区域(12)延伸的方向(ST)为基准，在氮化物半导体基板(20)的缘的规定位置形成定向平面(OF)。

公开(公告)号：CN100541716C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200610114883.4

申请日：2006-08-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西浦隆幸 ,  目崎义雄

IPC: H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B29/40 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L23/544 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/32 ,  H01L33/0095 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在该氮化物半导体基板的加工方法中，首先，准备圆盘状的氮化物半导体基板(20)，其具备多个条纹区域(12)，该多个条纹区域(12)由晶体缺陷密度高于周围的单晶体区域(14)的缺陷集中区域构成。接着，以条纹区域(12)延伸的方向(ST)为基准，在氮化物半导体基板(20)的缘的规定位置形成定向平面(OF)。

公开(公告)号：CN100405553C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN02800537.6

申请日：2002-03-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈本贵敏 ,  目崎义雄 ,  森本俊之

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  B24B37/042 ,  B24B37/30 ,  H01L21/02024

Abstract: 化合物半导体晶片的制备方法，其中颗粒附着、正表面氧化和变质是轻微的并且减少了有机溶剂的用量。吸附垫结合在抛光盘上，不需要使用蜡将晶片吸附在吸附垫上进行抛光后，不用干燥而存放在净化水中。由于在净化水中存放，所以颗粒附着、正表面氧化和变质变得轻微，从而可以得到高质量的晶片。在紧接着水中存放的清洗程序中，可以省略有机溶剂清洗。这使得使用/浪费有毒有机溶剂的数量减少。