公开(公告)号：CN1213650A

公开(公告)日：1999-04-14

申请号：CN98120565.8

申请日：1998-09-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石原朋浩 ,  大贺裕一 ,  田中聪

IPC: C03B8/04 ,  C03B19/14 ,  C03B37/014 ,  G02B6/00

CPC classification number: C03B37/01446 ,  C03B37/0146

Abstract: 通过汽相合成法和在真空或减压气氛中加热所说的多孔玻璃预制棒合成多孔玻璃预制棒来制备玻璃预制棒的方法,为了熔凝所说的多孔玻璃预制棒,包括以下步骤:第一步对所说的多孔玻璃预制棒脱气从而除去吸附或包含在其中的气体;第二步在高于第一步的温度而低于熔凝温度下暂时收缩所说的多孔玻璃预制棒;和第三步在熔凝温度下熔凝所说的多孔玻璃预制棒;其中所说的第一步根据所说的多孔玻璃预制棒的体密度的变化而脱气时间随着变化来进行的。

公开(公告)号：CN106716609B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201580051484.5

申请日：2015-08-31

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  瑞萨电子株式会社

Inventor： 山田俊介 ,  田中聪 ,  滨岛大辅 ,  木村真二 ,  小林正幸 ,  木岛正贵 ,  滨田牧

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 一种碳化硅半导体装置(1)，其具有碳化硅基板(10)、栅绝缘膜(15)、栅电极(27)和层间绝缘膜(2)。碳化硅基板(10)具有主面(10a)。栅绝缘膜(15)设置在碳化硅基板(10)的主面(10a)上。栅电极(27)设置在栅绝缘膜(15)上。以覆盖栅电极(27)的方式设置层间绝缘膜(2)。层间绝缘膜(2)包含：第一绝缘膜(2a)，其与栅电极(27)接触、含有硅原子并且既不含磷原子也不含硼原子；第二绝缘膜(2b)，其设置在第一绝缘膜(2a)上并且含有硅原子以及磷原子和硼原子中的至少一种；和第三绝缘膜(2c)，其含有硅原子并且既不含磷原子也不含硼原子。第二绝缘膜(2b)具有与第一绝缘膜(2a)接触的第一面(2b1)、第一面(2b1)相反侧的第二面(2b2)、以及连接第一面(2b1)和第二面(2b2)的第三面(2b3)。第三绝缘膜(2c)与第二面(2b2)和第三面(2b3)中的至少一者接触。

公开(公告)号：CN106415815B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201580025703.2

申请日：2015-03-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 久保田良辅 ,  木村炼 ,  田中聪 ,  小桥一仁

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/027 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02027 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/027 ,  H01L21/046 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/6838 ,  H01L23/562 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法，包括：制备SiC衬底(10)的步骤；将所述SiC衬底(10)固定到静电吸盘(20)上并且对所述SiC衬底(10)进行热处理的步骤，以及对被固定到所述静电吸盘(20)上并且被热处理的所述SiC衬底(10)执行离子注入处理的步骤。所述热处理的步骤包括：外周侧吸附步骤，其在所述SiC衬底(10)的外周区域(12)和所述静电吸盘(20)的外周部(22)之间产生静电吸引力，所述外周部(22)面对所述外周区域(12)；以及内周侧吸附步骤，其是在所述外周侧吸附步骤开始之后开始的，并且在所述SiC衬底(10)的内周区域(11)和所述静电吸盘(20)的内周部(21)之间产生静电吸引力，所述内周部(21)面对所述内周区域(11)。

公开(公告)号：CN106415815A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580025703.2

申请日：2015-03-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 久保田良辅 ,  木村炼 ,  田中聪 ,  小桥一仁

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/027 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02027 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/027 ,  H01L21/046 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/6838 ,  H01L23/562 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法，包括：制备SiC衬底(10)的步骤；将所述SiC衬底(10)固定到静电吸盘(20)上并且对所述SiC衬底(10)进行热处理的步骤，以及对被固定到所述静电吸盘子注入处理的步骤。所述热处理的步骤包括：外周侧吸附步骤，其在所述SiC衬底(10)的外周区域(12)和所述静电吸盘(20)的外周部(22)之间产生静电吸引力，所述外周部(22)面对所述外周区域(12)；以及内周侧吸附步骤，其是在所述外周侧吸附步骤开始之后开始的，并且在所述SiC衬底(10)的内周区域(11)和所述静电吸盘(20)的内周部(21)之间产生静电吸引力，所述内周部(21)面对所述内周区域(11)。(20)上并且被热处理的所述SiC衬底(10)执行离

公开(公告)号：CN102016136A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980115891.2

申请日：2009-05-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 田中聪 ,  宫原贤一 ,  北林弘之 ,  片山浩二 ,  森下知典 ,  森分达也

IPC: C30B29/42 ,  C30B19/12 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/02 ,  C30B19/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02628 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/30

Abstract: 本发明提供了AlxGa(1-x)As(0≤x≤1)衬底、红外LED用外延晶片、红外LED、制造AlxGa(1-x)As衬底的方法、制造红外LED用外延晶片的方法、以及制造红外LED的方法。所述AlxGa(1-x)As衬底能保持高水平的透射性能，并能通过该衬底制造具有优异的特性的半导体器件。具体地，本发明涉及AlxGa(1-x)As衬底(10a)，其特征在于，所述AlxGa(1-x)As衬底(10a)具有AlxGa(1-x)As层(11)，所述AlxGa(1-x)As层(11)具有主面(11a)和在所述主面(11a)相反侧的背面(11b)，其中在所述背面(11b)中Al的组成比(x)大于在所述主面(11a)中Al的组成比(x)。另外，所述AlxGa(1-x)As衬底(10a)还可以包含GaAs衬底(13)，并使其与所述AlxGa(1-x)As层(11)的所述背面(11b)接触。

公开(公告)号：CN101960056A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200980107544.5

申请日：2009-05-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 田中聪 ,  宫原贤一 ,  北林弘之 ,  片山浩二 ,  森下知典 ,  森分达也

IPC: C30B29/42 ,  C30B19/12 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/02 ,  C30B19/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02628 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明公开了AlxGa(1-x)As(0≤x≤1)衬底、红外LED用外延晶片、红外LED、制造AlxGa(1-x)As衬底的方法、制造红外LED用外延晶片的方法以及制造红外LED的方法。所述AlxGa(1-x)As衬底能保持高水平的透射性能，并能通过该衬底制造具有优异的光输出特性的半导体器件。具体地，本发明涉及具有AlxGa(1-x)As层(11)的AlxGa(1-x)As衬底(10a)，所述AlxGa(1-x)As层(11)具有主面(11a)和在所述主面(11a)相反侧的背面(11b)，其中所述背面(11b)中Al的组成比(x)大于在所述主面(11a)中Al的组成比(x)。另外，所述AlxGa(1-x)As衬底(10a)还可包含GaAs衬底(13)，并使其与所述AlxGa(1-x)As层(11)的所述背面(11b)接触。

公开(公告)号：CN101075570A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200710104113.6

申请日：2007-05-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西浦隆幸 ,  田中聪 ,  堀江裕介 ,  冲田恭子 ,  冈本贵敏

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02008 ,  H01L21/02052 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种在化合物半导体衬底的表面具有降低了的杂质含量的化合物半导体衬底的检测方法、化合物半导体衬底、化合物半导体衬底的表面处理方法和制造化合物半导体晶体的方法。在化合物半导体衬底的检测方法中，使用原子力显微镜以不大于0.4nm的间距在不大于0.2平方微米的范围内测量化合物半导体衬底的表面粗糙度Rms。通过该检测方法测量的化合物半导体衬底的表面粗糙度Rms为不大于0.2nm。

公开(公告)号：CN105579626A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201480052597.2

申请日：2014-08-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 田中聪 ,  冲田恭子 ,  西口太郎 ,  久保田良辅 ,  神原健司

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02021 ,  C30B23/00 ,  C30B25/186 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1608

Abstract: 一种碳化硅半导体衬底(10)包括第一主表面(10a)和与第一主表面(10a)相反的第二主表面(10b)。第一主表面(10a)具有大于100mm的最大直径，且碳化硅半导体衬底(10)具有不大于700μm的厚度。在从第一主表面(10a)的外周端部分(OR)朝向第一主表面(10a)的中心(O)的5mm以内的区域(OR2)中，在具有1mm2的面积的任意区域处，位错密度为不大于500/mm2。因此，提供有能抑制裂缝产生的碳化硅半导体衬底。

公开(公告)号：CN1298037C

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN03801351.7

申请日：2003-07-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 田中聪 ,  岩崎孝

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L31/0304 ,  H01L21/3228 ,  H01L22/14 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供了一种可以可靠地进行汞去除的含铟晶片和制造这种晶片的方法，以便使汞C-V方法可行，汞C-V方法允许高精度地测量含铟晶片的特性，且它是一种非破坏性的测试。本发明的含铟晶片特征在于具有形成在其外表层上的附加除汞层，其目的在于去除晶片表面粘附的汞和由化合物半导体组成。此外，本发明制造含铟晶片的方法特征在于用粘附到除汞层表面上作为电极的汞评价晶片的电性能后，通过清除除汞层来去除表面粘附的汞。