公开(公告)号：CN101981237A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200980111737.8

申请日：2009-05-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 田中聪 ,  宫原贤一 ,  北林弘之 ,  片山浩二 ,  森下知典 ,  森分达也

IPC: C30B29/42 ,  C30B19/12 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0062 ,  C30B19/00 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02628

Abstract: 本发明公开了AlxGa(1-x)As(0≤x≤1)衬底、红外LED用外延晶片、红外LED、制造AlxGa(1-x)As衬底的方法、制造红外LED用外延晶片的方法以及制造红外LED的方法，所述AlxGa(1-x)As衬底能保持高水平的透射性能，并能通过该衬底制造具有优异的光输出特性的半导体器件。具体地，本发明涉及具有AlxGa(1-x)As层(11)的AlxGa(1-x)As衬底(10a)，所述AlxGa(1-x)As层(11)具有主面11a和在所述主面(11a)相反侧的背面(11b)，并且本发明的AlxGa(1-x)As衬底(10a)的特征在于，在所述AlxGa(1-x)As层(11)中，所述背面(11b)中Al的组成比x大于在所述主面(11a)中Al的组成比x。另外，所述AlxGa(1-x)As衬底(10a)还包含与所述AlxGa(1-x)As层(11)的所述背面(11b)接触的GaAs衬底(13)。

公开(公告)号：CN102016136A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980115891.2

申请日：2009-05-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 田中聪 ,  宫原贤一 ,  北林弘之 ,  片山浩二 ,  森下知典 ,  森分达也

IPC: C30B29/42 ,  C30B19/12 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/02 ,  C30B19/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02628 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/30

Abstract: 本发明提供了AlxGa(1-x)As(0≤x≤1)衬底、红外LED用外延晶片、红外LED、制造AlxGa(1-x)As衬底的方法、制造红外LED用外延晶片的方法、以及制造红外LED的方法。所述AlxGa(1-x)As衬底能保持高水平的透射性能，并能通过该衬底制造具有优异的特性的半导体器件。具体地，本发明涉及AlxGa(1-x)As衬底(10a)，其特征在于，所述AlxGa(1-x)As衬底(10a)具有AlxGa(1-x)As层(11)，所述AlxGa(1-x)As层(11)具有主面(11a)和在所述主面(11a)相反侧的背面(11b)，其中在所述背面(11b)中Al的组成比(x)大于在所述主面(11a)中Al的组成比(x)。另外，所述AlxGa(1-x)As衬底(10a)还可以包含GaAs衬底(13)，并使其与所述AlxGa(1-x)As层(11)的所述背面(11b)接触。

公开(公告)号：CN101960056A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200980107544.5

申请日：2009-05-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 田中聪 ,  宫原贤一 ,  北林弘之 ,  片山浩二 ,  森下知典 ,  森分达也

IPC: C30B29/42 ,  C30B19/12 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/02 ,  C30B19/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02628 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明公开了AlxGa(1-x)As(0≤x≤1)衬底、红外LED用外延晶片、红外LED、制造AlxGa(1-x)As衬底的方法、制造红外LED用外延晶片的方法以及制造红外LED的方法。所述AlxGa(1-x)As衬底能保持高水平的透射性能，并能通过该衬底制造具有优异的光输出特性的半导体器件。具体地，本发明涉及具有AlxGa(1-x)As层(11)的AlxGa(1-x)As衬底(10a)，所述AlxGa(1-x)As层(11)具有主面(11a)和在所述主面(11a)相反侧的背面(11b)，其中所述背面(11b)中Al的组成比(x)大于在所述主面(11a)中Al的组成比(x)。另外，所述AlxGa(1-x)As衬底(10a)还可包含GaAs衬底(13)，并使其与所述AlxGa(1-x)As层(11)的所述背面(11b)接触。