公开(公告)号：CN101147236A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200680008951.7

申请日：2006-03-20

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 上田和正 ,  西川直宏 ,  土田良彦

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  C23C16/01 ,  C23C16/34

Abstract: 本发明提供自立式衬底、其制造方法及半导体发光元件。自立式衬底包括半导体层和无机粒子，并且无机粒子被包含在半导体层中。自立式衬底的制造方法依次包括以下的工序(a)～(c)。(a)在衬底上配置无机粒子的工序、(b)生长半导体层的工序、(c)将半导体层与衬底分离的工序。另外，自立式衬底的制造方法依次包括以下的工序(s1)、(a)、(b)及(c)。(s1)在衬底上生长缓冲层的工序、(a)在缓冲层上配置无机粒子的工序、(b)生长半导体层的工序、(c)将半导体层与衬底分离的工序。半导体发光元件包括所述的自立式衬底、传导层、发光层及电极。

公开(公告)号：CN101960576B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN200980107379.3

申请日：2009-03-18

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 佐泽洋幸 ,  西川直宏 ,  栗田靖之 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L29/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体装置，是以常断路型式使GaN系场效晶体管动作，并且增加通道电流密度。该半导体装置具有：含氮的3-5族化合物半导体的通道层、向所述通道层供给电子，并在其与所述通道层相对向的面的相反面具有沟部的电子供给层、形成在所述电子供给层的所述沟部的p型半导体层，以及与所述p型半导体层接触而形成，或者在与所述p型半导体层之间隔着中间层而形成的控制电极。

公开(公告)号：CN101432850B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200780008086.0

申请日：2007-03-08

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 上田和正 ,  西川直宏 ,  笠原健司

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

Abstract: 本发明涉及III-V族氮化物半导体基板的制造方法。本发明的III-V族。化物半导体基板的制造方法包括工序(I-1)～(I-6)：(I-1)在衬底基板上配置无机粒子；(I-2)以无机粒子为蚀刻掩模，干法蚀刻衬底基板，在衬底基板上形成凸部；(I-3)在衬底基板上形成外延生长掩模用的被膜；(I-4)去除无机粒子形成衬底基板的露出面；(I-5)在衬底基板的露出面上生长III-V族氮化物半导体；(I-6)将III-V族氮化物半导体与衬底基板分离。此外，本发明的III-V族氮化物半导体基板的制造方法包括工序(II-1)～(II-7)：(II-1)在衬底基板上配置无机粒子；(II-2)以无机粒子为蚀刻掩模，干法蚀刻衬底基板，在衬底基板上形成凸部；(II-3)去除无机粒子；(II-4)在衬底基板上形成外延生长掩模用的被膜；(II-5)去除凸部的顶部的被膜形成衬底基板的露出面；(II-6)在衬底基板的露出面上生长III-V族氮化物半导体；(II-7)将III-V族氮化物半导体与衬底基板分离。

公开(公告)号：CN101517715B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200780034062.2

申请日：2007-09-14

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 佐泽洋幸 ,  西川直宏 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种具有低的栅极泄漏电流与小到可忽视的栅极滞后、漏极滞后、电流崩塌特性的、带电介质膜的氮化镓类半导体外延结晶基板。半导体外延结晶基板的制造方法是向通过有机金属气相生长法生长的氮化物半导体结晶层表面，赋与构成钝化膜或栅极绝缘膜并具有非结晶形的氮化物电介质或氧化物电介质的电介质层的制造方法，其中，在外延生长炉内使所述氮化物半导体结晶层生长之后，直接在该外延生长炉内使所述电介质层与所述氮化物半导体结晶层连续生长。

公开(公告)号：CN101611479A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200880004951.9

申请日：2008-02-07

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 西川直宏 ,  佐泽洋幸 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7783

Abstract: 本发明提供一种氮化镓系外延结晶、其制造方法及场效应晶体管。氮化镓系外延结晶包含衬底基板和(a)～(e)层，并且为了电连接第一缓冲层与p传导型半导体结晶层，将包含氮化镓系结晶的连接层配置在非氮化镓系的绝缘层的开口部，所述(a)～(e)层为：(a)栅极层；(b)包括与栅极层的衬底基板侧界面相接的通道层的高纯度的第一缓冲层；(c)配置在第一缓冲层的衬底基板侧的第二缓冲层；(d)配置在第二缓冲层的衬底基板侧且其一部分具有开口部的非氮化镓系的绝缘层；以及，(e)配置在绝缘层的衬底基板侧的p传导型半导体结晶层。

公开(公告)号：CN101061571A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200580039647.4

申请日：2005-11-22

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 上田和正 ,  西川直宏

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L51/5048 ,  H01L51/5268

Abstract: 本发明提供一种半导体层叠基板、其制造方法以及发光元件。是具有半导体层的半导体层叠基板，该半导体层包含除了金属氮化物的无机粒子(二氧化硅、氧化铝、氧化锆、二氧化钛、二氧化铈、氧化镁、氧化锌、氧化锡、钇铝石榴石等)，半导体层叠基板的制造方法包括以下的工序(a)和工序(b)，(a)是在基板上配置除了金属氮化物的无机粒子的工序；(b)是使半导体层生长的工序，发光元件包含所述的半导体层叠基板。

公开(公告)号：CN1763049A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510108383.5

申请日：2005-10-13

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 松原政信 ,  岛田健 ,  西川直宏 ,  门田阳一

IPC: C07F5/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: C30B29/406 ,  C07F5/00 ,  C30B25/02

Abstract: 本发明提供一种三甲基镓以及一种制造该三甲基镓的方法。该三甲基镓具有小于0.1ppm的总有机硅化合物含量；且该方法包括：水解作为原材料的三甲基铝；以一溶剂萃取所含有的有机硅化合物；藉由气相色谱－质谱法对甲基三乙基硅烷进行定量；选择具有小于0.5ppm甲基三乙基硅烷含量的三甲基铝作为原材料；藉由蒸馏进行提纯；接着与氯化镓反应；并且随后蒸馏反应物溶液以获得三甲基镓。

公开(公告)号：CN102792430A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180013776.1

申请日：2011-04-21

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 西川直宏 ,  中野强 ,  井上孝行

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/20 ,  H01L27/095 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7785 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L27/085 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，具备：基底基板；第1半导体部，形成在基底基板上，具有包含第1传导型的多数载流子的第1沟道层；分离层，形成在第1半导体部的上方，具有提供比第1半导体部的杂质能级更深的杂质能级的杂质；以及第2半导体部，形成在分离层的上方，具有包含与第1传导型相反的第2传导型的多数载流子的第2沟道层。

公开(公告)号：CN101971307A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980108716.0

申请日：2009-03-18

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 佐泽洋幸 ,  西川直宏 ,  栗田靖之 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种半导体装置，是以常断路形式使GaN系场效晶体管动作，并且增加通道电流密度。提供一种半导体装置，其具有：含氮的3-5族化合物半导体的通道层、对所述通道层供给电子的电子供给层、形成在与所述电子供给层的所述通道层相对向的面的相反面的含有氮的3-5族化合物真性或n形的半导体层、以及与所述半导体层接触而形成的，或者在与所述半导体层之间隔着中间层而形成的控制电极。

公开(公告)号：CN101960576A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200980107379.3

申请日：2009-03-18

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 佐泽洋幸 ,  西川直宏 ,  栗田靖之 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L29/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体装置，是以常断路型式使GaN系场效晶体管动作，并且增加通道电流密度。该半导体装置具有：含氮的3-5族化合物半导体的通道层、向所述通道层供给电子，并在其与所述通道层相对向的面的相反面具有沟部的电子供给层、形成在所述电子供给层的所述沟部的p型半导体层，以及与所述p型半导体层接触而形成，或者在与所述p型半导体层之间隔着中间层而形成的控制电极。