公开(公告)号：CN106480492A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610727174.7

申请日：2016-08-25

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 守山实希

IPC: C30B9/12 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明提供了用于生产第III族氮化物半导体单晶的方法，其被设计成生长具有高度再现性的半导体单晶。用于生产第III族氮化物半导体单晶的方法包括向坩埚中添加籽晶基底、Ga和Na，以及生长第III族氮化物半导体单晶。在第III族氮化物半导体单晶的生长中，使用测量装置探测Ga与Na的反应。在坩埚的温度调整在80℃至200℃的第一温度范围内的情况下，Ga与Na反应。在测量装置探测到Ga与Na反应之后，将坩埚的温度升高至第III族氮化物半导体单晶的生长温度。

公开(公告)号：CN105671639A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201510849405.7

申请日：2015-11-27

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 山崎真辉 ,  守山实希

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/00

CPC classification number: C30B9/10 ,  C30B29/406

Abstract: 本发明公开了用于制造第III族氮化物半导体的方法及所使用的坩埚。本发明的目的是通过助熔剂法在GaN晶体的生长中抑制宏观台阶生长。作为当通过Na助熔剂法生长GaN晶体时保持熔体的坩埚，坩埚由氧化铝制成并且通过石膏模铸造法制造。使用在其内壁上存在有异常生长的氧化铝晶粒并且异常生长的氧化铝晶粒的最大粒径不小于10μm的坩埚。当选择并且使用这种坩埚时，能够抑制宏观台阶生长，由此提高GaN晶体品质。

公开(公告)号：CN104233457B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410250941.0

申请日：2014-06-06

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 久米川尚平 ,  药师康英 ,  永井诚二 ,  守山实希

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02623 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/7806

Abstract: 本发明提供了一种用于制造第III族氮化物半导体晶体和GaN衬底的方法，其中可以确定地减小生长衬底上位错密度的转移或裂纹的出现，并且第III族氮化物半导体晶体可以容易地分离于籽晶。在GaN衬底上形成掩模层，以由此形成GaN衬底的露出部分和GaN衬底的未露出部分。通过助熔剂法，在包含至少第III族金属和Na的熔融混合物中在GaN衬底的露出部分上形成GaN层。此时，在掩模层上形成包含熔融混合物的组分的非晶体部分以被生长在GaN衬底和掩模层上的GaN层覆盖。

公开(公告)号：CN103243389B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201310048487.6

申请日：2013-02-06

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 永井诚二 ,  守山实希 ,  久米川尚平 ,  山崎史郎

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/02

CPC classification number: C30B19/12 ,  C30B9/06 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B19/04 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/7806

Abstract: 本发明提供了一种用于制造具有优异的结晶度的第III族氮化物半导体单晶的方法以及一种用于制造具有优异的结晶度的GaN衬底的方法，所述方法包括控制回熔。具体地，在用作生长衬底的GaN衬底上形成掩模层。之后，通过光刻形成穿过掩模层并且到达GaN衬底的多个沟槽。获得的籽晶和单晶的原材料被供给到坩埚并且在加压和高温条件下经历处理。在熔剂中使GaN衬底的露出到沟槽的部分经历回熔。通过GaN衬底的溶解，沟槽的尺寸增加，以提供大沟槽。GaN层从掩模层的作为起始点的表面生长。

公开(公告)号：CN103510155B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201310254899.5

申请日：2013-06-25

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 山崎史郎 ,  永井诚二 ,  守山实希

IPC: C30B19/00 ,  C30B29/38 ,  C30B33/00 ,  C30B35/00 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B9/12 ,  C30B9/02 ,  C30B9/04 ,  C30B29/403 ,  C30B33/00 ,  C30B35/002 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1092

Abstract: 公开了半导体晶体移除设备和半导体晶体的产生方法。本发明提供了一种半导体晶体移除设备，该半导体晶体移除设备通过固化的熔剂的快速熔化而实现从坩埚有效移除半导体晶体；并且提供了一种用于产生半导体晶体的方法。所述半导体晶体移除设备包括：坩埚支撑件，用于支撑所述坩埚，使得所述坩埚的开口被定向为朝下；加热器，用于加热所述坩埚支撑件上支撑的所述坩埚；以及半导体晶体接纳网，用于接纳从所述坩埚的开口跌落的所述半导体晶体。所述半导体晶体移除设备进一步包括确定部，用于基于因所述半导体晶体的跌落而导致的重量的改变来确定所述半导体晶体的移除。

公开(公告)号：CN104233457A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410250941.0

申请日：2014-06-06

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 久米川尚平 ,  药师康英 ,  永井诚二 ,  守山实希

IPC: C30B19/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02623 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/7806

Abstract: 本发明提供了一种用于制造第III族氮化物半导体晶体和GaN衬底的方法，其中可以确定地减小生长衬底上位错密度的转移或裂纹的出现，并且第III族氮化物半导体晶体可以容易地分离于籽晶。在GaN衬底上形成掩模层，以由此形成GaN衬底的露出部分和GaN衬底的未露出部分。通过助熔剂法，在包含至少第III族金属和Na的熔融混合物中在GaN衬底的露出部分上形成GaN层。此时，在掩模层上形成包含熔融混合物的组分的非晶体部分以被生长在GaN衬底和掩模层上的GaN层覆盖。

公开(公告)号：CN103510155A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310254899.5

申请日：2013-06-25

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 山崎史郎 ,  永井诚二 ,  守山实希

IPC: C30B19/00 ,  C30B29/38 ,  C30B33/00 ,  C30B35/00 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B9/12 ,  C30B9/02 ,  C30B9/04 ,  C30B29/403 ,  C30B33/00 ,  C30B35/002 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1092

Abstract: 公开了半导体晶体移除设备和半导体晶体的产生方法。本发明提供了一种半导体晶体移除设备，该半导体晶体移除设备通过固化的熔剂的快速熔化而实现从坩锅有效移除半导体晶体；并且提供了一种用于产生半导体晶体的方法。所述半导体晶体移除设备包括：坩锅支撑件，用于支撑所述坩锅，使得所述坩锅的开口被定向为朝下；加热器，用于加热所述坩锅支撑件上支撑的所述坩锅；以及半导体晶体接纳网，用于接纳从所述坩锅的开口跌落的所述半导体晶体。所述半导体晶体移除设备进一步包括确定部，用于基于因所述半导体晶体的跌落而导致的重量的改变来确定所述半导体晶体的移除。

公开(公告)号：CN103243389A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310048487.6

申请日：2013-02-06

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 永井诚二 ,  守山实希 ,  久米川尚平 ,  山崎史郎

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/02

CPC classification number: C30B19/12 ,  C30B9/06 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B19/04 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/7806

Abstract: 本发明提供了一种用于制造具有优异的结晶度的第III族氮化物半导体单晶的方法以及一种用于制造具有优异的结晶度的GaN衬底的方法，所述方法包括控制回熔。具体地，在用作生长衬底的GaN衬底上形成掩模层。之后，通过光刻形成穿过掩模层并且到达GaN衬底的多个沟槽。获得的籽晶和单晶的原材料被供给到坩埚并且在加压和高温条件下经历处理。在熔剂中使GaN衬底的露出到沟槽的部分经历回熔。通过GaN衬底的溶解，沟槽的尺寸增加，以提供大沟槽。GaN层从掩模层的作为起始点的表面生长。

公开(公告)号：CN101276872A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810084079.5

申请日：2008-03-26

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 五所野尾浩一 ,  守山实希

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/32

Abstract: 一种形成用于第III族氮化物化合物半导体发光器件的电极的方法，该方法包括在第III族氮化物化合物半导体层上形成平均厚度小于1nm的第一电极层的步骤，所述第一电极层由对第III族氮化物化合物半导体层具有高粘合性或与第III族氮化物化合物半导体层具有低接触电阻的材料制成，并且该方法还包括在所述第一电极层上形成由高反射性金属材料制成的第二电极层。

公开(公告)号：CN112680604B

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202011103399.8

申请日：2020-10-15

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  国立大学法人北海道大学

Inventor： 守山实希 ,  上田干人 ,  铃木树生 ,  森勇介 ,  今西正幸

IPC: C22B58/00 ,  C22B26/10 ,  C25C1/22 ,  C30B19/04

Abstract: 本发明涉及镓的制造方法、钠的制造方法、氮化镓的制造方法。本发明提供一种能循环再利用Na和Ga的、使用Na助熔剂法的氮化镓的制造方法。从在使用Na助熔剂法来育成GaN结晶结束后残留的Na‑Ga合金中分离并回收Ga。在容器中放入Na‑Ga合金和HTf2N(双(三氟甲烷磺酰)胺)。接下来加热容器，使HTf2N熔解。当HTf2N的熔融液与Na‑Ga合金接触时，HTf2N与Na‑Ga合金发生反应，Na发生溶解，一部分形成NaTf2N，Ga以液体金属的形式分离。接下来，使用在采用Na助熔剂法来育成GaN结晶结束后回收的低纯度Na作为阳极，使用在Ga的分离工序中回收的NaTf2N和另外准备的Tf2N阴离子的非金属盐的混合物作为电解液，通过电解使钠在阴极析出。