公开(公告)号：CN104233457B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410250941.0

申请日：2014-06-06

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 久米川尚平 ,  药师康英 ,  永井诚二 ,  守山实希

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02623 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/7806

Abstract: 本发明提供了一种用于制造第III族氮化物半导体晶体和GaN衬底的方法，其中可以确定地减小生长衬底上位错密度的转移或裂纹的出现，并且第III族氮化物半导体晶体可以容易地分离于籽晶。在GaN衬底上形成掩模层，以由此形成GaN衬底的露出部分和GaN衬底的未露出部分。通过助熔剂法，在包含至少第III族金属和Na的熔融混合物中在GaN衬底的露出部分上形成GaN层。此时，在掩模层上形成包含熔融混合物的组分的非晶体部分以被生长在GaN衬底和掩模层上的GaN层覆盖。

公开(公告)号：CN103243389B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201310048487.6

申请日：2013-02-06

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 永井诚二 ,  守山实希 ,  久米川尚平 ,  山崎史郎

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/02

CPC classification number: C30B19/12 ,  C30B9/06 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B19/04 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/7806

Abstract: 本发明提供了一种用于制造具有优异的结晶度的第III族氮化物半导体单晶的方法以及一种用于制造具有优异的结晶度的GaN衬底的方法，所述方法包括控制回熔。具体地，在用作生长衬底的GaN衬底上形成掩模层。之后，通过光刻形成穿过掩模层并且到达GaN衬底的多个沟槽。获得的籽晶和单晶的原材料被供给到坩埚并且在加压和高温条件下经历处理。在熔剂中使GaN衬底的露出到沟槽的部分经历回熔。通过GaN衬底的溶解，沟槽的尺寸增加，以提供大沟槽。GaN层从掩模层的作为起始点的表面生长。

公开(公告)号：CN104233457A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410250941.0

申请日：2014-06-06

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 久米川尚平 ,  药师康英 ,  永井诚二 ,  守山实希

IPC: C30B19/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02623 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/7806

Abstract: 本发明提供了一种用于制造第III族氮化物半导体晶体和GaN衬底的方法，其中可以确定地减小生长衬底上位错密度的转移或裂纹的出现，并且第III族氮化物半导体晶体可以容易地分离于籽晶。在GaN衬底上形成掩模层，以由此形成GaN衬底的露出部分和GaN衬底的未露出部分。通过助熔剂法，在包含至少第III族金属和Na的熔融混合物中在GaN衬底的露出部分上形成GaN层。此时，在掩模层上形成包含熔融混合物的组分的非晶体部分以被生长在GaN衬底和掩模层上的GaN层覆盖。

公开(公告)号：CN103243389A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310048487.6

申请日：2013-02-06

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 永井诚二 ,  守山实希 ,  久米川尚平 ,  山崎史郎

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/02

CPC classification number: C30B19/12 ,  C30B9/06 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B19/04 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/7806

Abstract: 本发明提供了一种用于制造具有优异的结晶度的第III族氮化物半导体单晶的方法以及一种用于制造具有优异的结晶度的GaN衬底的方法，所述方法包括控制回熔。具体地，在用作生长衬底的GaN衬底上形成掩模层。之后，通过光刻形成穿过掩模层并且到达GaN衬底的多个沟槽。获得的籽晶和单晶的原材料被供给到坩埚并且在加压和高温条件下经历处理。在熔剂中使GaN衬底的露出到沟槽的部分经历回熔。通过GaN衬底的溶解，沟槽的尺寸增加，以提供大沟槽。GaN层从掩模层的作为起始点的表面生长。