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公开(公告)号：CN103325912B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310084374.1
申请日：2013-03-15
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/145 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 公开了一种容易形成非发光区域的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法。活化Mg以将p型层转换为p型，接着在p型层上形成p电极。将Ag膏施加到p电极上的与在下面的步骤中形成的n电极重叠的区域。进行热处理以固化Ag膏，从而形成Ag膏固化体。通过这些步骤，将p型层的在平面视图中与Ag膏固化体重叠的区域转换为具有高电阻的区域，从而形成高电阻区域。因此，发光层的在平面视图中与高电阻区域重叠的区域变成非发光区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102738338B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201210086807.2
申请日：2012-03-28
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L2933/0083
Abstract: 本发明提供了一种第III族氮化物半导体发光器件，所述发光器件表现出沿着特定方向的高强度的光输出量以及改进的光提取性能。所述第III族氮化物半导体发光器件包括：蓝宝石衬底；和层状结构，该层状结构具有设置在所述蓝宝石衬底上并且由第III族氮化物半导体形成的发光层。在所述蓝宝石衬底的层状结构侧的表面上，以一定周期形成凸起的二维周期性结构，所述周期性结构对于从所述发光层发射出的光生成光强度干涉图案。由所述二维周期性结构反射或透射的光具有干涉图案。因此，在所述干涉图案中光强度高区域会聚的光可以被高效地输出到外部，从而导致光提取性能的改进并实现了期望的方向特性。
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公开(公告)号：CN103325912A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310084374.1
申请日：2013-03-15
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/145 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 公开了一种容易形成非发光区域的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法。活化Mg以将p型层转换为p型，接着在p型层上形成p电极。将Ag膏施加到p电极上的与在下面的步骤中形成的n电极重叠的区域。进行热处理以固化Ag膏，从而形成Ag膏固化体。通过这些步骤，将p型层的在平面视图中与Ag膏固化体重叠的区域转换为具有高电阻的区域，从而形成高电阻区域。因此，发光层的在平面视图中与高电阻区域重叠的区域变成非发光区域。
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公开(公告)号：CN101276872B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN200810084079.5
申请日：2008-03-26
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/405 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/32
Abstract: 一种形成用于第Ⅲ族氮化物化合物半导体发光器件的电极的方法，该方法包括在第Ⅲ族氮化物化合物半导体层上形成平均厚度小于1nm的第一电极层的步骤，所述第一电极层由对第Ⅲ族氮化物化合物半导体层具有高粘合性或与第Ⅲ族氮化物化合物半导体层具有低接触电阻的材料制成，并且该方法还包括在所述第一电极层上形成由高反射性金属材料制成的第二电极层。
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公开(公告)号：CN102738338A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210086807.2
申请日：2012-03-28
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L2933/0083
Abstract: 本发明提供了一种第III族氮化物半导体发光器件，所述发光器件表现出沿着特定方向的高强度的光输出量以及改进的光提取性能。所述第III族氮化物半导体发光器件包括：蓝宝石衬底；和层状结构，该层状结构具有设置在所述蓝宝石衬底上并且由第III族氮化物半导体形成的发光层。在所述蓝宝石衬底的层状结构侧的表面上，以一定周期形成凸起的二维周期性结构，所述周期性结构对于从所述发光层发射出的光生成光强度干涉图案。由所述二维周期性结构反射或透射的光具有干涉图案。因此，在所述干涉图案中光强度高区域会聚的光可以被高效地输出到外部，从而导致光提取性能的改进并实现了期望的方向特性。
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公开(公告)号：CN101393958A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810211537.7
申请日：2008-09-17
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L27/15
Abstract: 本发明涉及第III族氮化物基化合物半导体发光器件。本发明提供了一种不需要外部恒流电路的GaN基半导体发光器件。本发明的发光器件包含：蓝宝石衬底；在衬底上形成的AlN缓冲层；和在缓冲层上形成的HEMT结构，该HEMT结构包含GaN层和Al0.2Ga0.8N层。在Al0.2Ga0.8N层上依次形成n－GaN层、包含InGaN阱层和AlGaN势垒层的MQW发光层以及p－GaN层。在Al0.2Ga0.8N层的露出部分上形成源电极和HEMT/LED连接电极。HEMT/LED连接电极用作相应的漏极和用于将电子注入n－GaN层中的电极。在p－GaN层的顶面上形成ITO透明电极，并且在透明电极的顶面的一部分上形成金衬垫电极。
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