-
公开(公告)号：CN117926418A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311866403.X
申请日：2023-12-29
Applicant: 闽都创新实验室 , 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种含盐包硫属晶体材料及其制备方法与作为非线性光学材料的应用，属于激光技术领域。所述含盐包硫属晶体材料，化学式为[A4BaX2][M6Q11]；其中，A选自Na、K、Rb、Cs中任一种；X选自F、Cl、Br、I中任一种；M选自Al、Ga、In中任一种；Q选自S、Se、Te中任一种。该含盐包硫属晶体材料，NLO效应是商用AgGaS2的0.3‑10倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的1‑50倍，综合性能有很大的提高，是潜在的红外NLO材料。
-
公开(公告)号：CN114574973B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202210138676.1
申请日：2022-02-15
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种含镓单斜无机化合物晶体，该化合物具有下列化学式：AGa5Q8。其中，A选自碱金属元素中的一种；Q选自硫族元素中的一种；所述含镓单斜无机化合物晶体属于单斜晶系，P21空间群。进一步公开了制备上述含镓单斜无机化合物晶体的方法。并进一步公开了该材料作为非线性光学晶体的应用。本申请所述的含镓单斜无机化合物晶体具有激光损伤阈值高、倍频信号强度高等优良特点，本申请所提出的制备含镓单斜无机化合物晶体的方法具有产率高，合成工艺简单的优点。
-
公开(公告)号：CN114574972B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210138652.6
申请日：2022-02-15
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种含镓正交无机化合物晶体，该化合物具有下列化学式：AGa5Q8。Q选自硫族元素中的一种。所述含镓无机化合物属于正交晶系，Iba21空间群。进一步公开了制备上述含镓正交无机化合物晶体的方法。并进一步公开了该材料作为非线性光学晶体的应用。本申请所述的含镓无机化合物具有激光损伤阈值高、倍频信号强度高等优良特点，本申请所提出的制备含镓无机化合物的方法具有产率高，合成工艺简单的优点。
-
公开(公告)号：CN114574973A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210138676.1
申请日：2022-02-15
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种含镓单斜无机化合物晶体，该化合物具有下列化学式：AGa5Q8。其中，A选自碱金属元素中的一种；Q选自硫族元素中的一种；所述含镓单斜无机化合物晶体属于单斜晶系，P21空间群。进一步公开了制备上述含镓单斜无机化合物晶体的方法。并进一步公开了该材料作为非线性光学晶体的应用。本申请所述的含镓单斜无机化合物晶体具有激光损伤阈值高、倍频信号强度高等优良特点，本申请所提出的制备含镓单斜无机化合物晶体的方法具有产率高，合成工艺简单的优点。
-
公开(公告)号：CN114232100A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111166980.9
申请日：2021-10-01
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种无机化合物晶体及其制备方法和作为非线性光学晶体的应用。所述的分子式为[K4Cl][MGa9Q16]；M选自Cd、Mn或Fe中的一种；当M为Cd时，Q选自S或Se；当M为Mn或Fe时，Q为S；晶胞参数为α＝68.21(2)～68.76(5)°，β＝74.74(5)～74.92(3)°，γ＝84.93(2)～85.32(4)°，V＝723.64(8)～836.01(5)，Z＝1；所述晶体为非中心对称结构，属于三斜晶系，空间群为P1。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112575368B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201911320454.6
申请日：2019-12-19
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料、其合成方法及其在非线性光学中的应用。该晶体材料具有A2Li2Ga3Q6X的化学式，其中，A选自K、Rb、Cs的至少一种；Q选自S或Se；X选自Cl或Br。该晶体材料采用高温固相法合成。该晶体材料具有优良的红外非线性光学性能，非线性效应是商用AgGaS2的0.3‑2.0倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的3‑25倍，性能有很大的提高，是潜在的红外非线性光学材料。
-
公开(公告)号：CN111267249A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010192695.3
申请日：2020-03-18
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: B28D5/00 , B28D7/00 , G01N23/2055 , G01N23/207
Abstract: 本发明公开了一种晶体定向方法及装置，属于晶体定向技术领域，能够解决现有的晶体定向方法效率较低、精确度较低的问题。所述方法包括：从待测晶体上切割被测晶体；获取被测晶体的切割面的晶面指数；获取待测晶体上切割面与待测面之间的夹角；根据夹角和被测晶体的切割面的晶面指数，获取待测晶体上待测面的晶面指数。本发明用于晶体定向。
-
公开(公告)号：CN110607556A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910898871.2
申请日：2019-09-23
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料、其制备生长方法及其在非线性光学中的应用。该晶体材料具有Na2MSn2Se6的化学式，其中，M代表Zn和/或Cd。该晶体材料采用中温多硫化物熔剂法合成。该晶体材料具有优良的红外非线性光学性能，在实现相位匹配时倍频信号强度是商用AgGaS2的2.2-3倍，激光损伤阈值是5-10倍，在中远红外非线性光学领域有潜在的应用价值。
-
公开(公告)号：CN108441964A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810338037.3
申请日：2018-04-16
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种铁电单晶的制备方法，将含有Ga2S3粉末的原料在真空条件下进行加热，高温保温，然后以0.1～100℃/天的速率降温进行晶体的生长，得到所述Ga2S3单晶。该铁电单晶材料在室温条件下2Hz的测试频率下，剩余极化强度(Pr)为0.18μC/cm2；该材料为二元相，合成简单；热稳定性能好。综合性能优良，是潜在的铁电材料。
-
公开(公告)号：CN119571465A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411612967.5
申请日：2024-11-12
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本申请公开了一种含盐包硫属化合物晶体材料及其制备方法和作为红外非线性光学材料的应用，属于晶体制备技术领域。所述含盐包硫属化合物中类金刚石结构；所述含盐包硫属化合物的化学式为[A5X][M14Q23]、[A5BaX][M18Q30],[A13BaX5][M22Q38]、[A14LiX5][M22Q38]中的一个；其中，A选自Na、K、Rb、Cs中的至少一种；X选自Cl、Br、I中的至少一种；M选自Ga、In中的至少一种；Q选自S、Se、Te中的至少一种。该材料的NLO效应是商用AgGaS2的0.3‑10倍，激光损伤阈值是AgGaS2的1‑50倍，综合性能有很大的提高，是潜在的红外NLO材料。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
56
records
(took 0.036 seconds)
