一种卤化汞在双折射率材料中的应用

    公开(公告)号:CN118169782A

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN202311870458.8

    申请日:2023-12-29

    Abstract: 本申请公开了一种卤化汞在双折射率材料中的应用,属于材料技术领域。所述卤化汞的化学结构式为HgX2,X选自卤族元素Cl、Br或I。本申请将HgX2晶体作为双折射率材料应用时,其具有宽的透过波长,从紫外延伸至在中远红外波段(0.35~20.0μm),具有大的双折射率(0.15~0.3),具有二元化合物的特征,具有优良的晶体生长习性;HgX2晶体可以作为潜在的双折射率材料使用,拓展了双折射率材料的使用范围,该材料具有良好的市场前景。

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