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公开(公告)号：CN117947521A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311870472.8
申请日：2023-12-29
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开一种大尺寸单斜相硫化镓晶体及其生长方法和应用。本申请采用气相生长方法，通过晶体生长区温度梯度的动态调控，突破了大尺寸高质量晶体的生长难题，获得了尺寸大于30mm的晶体，其透光范围0.4～14.3μm，相位匹配波长范围2.1～12.0μm，并已在1.06μm激光泵浦下实现了2.1～12.0μm范围内的激光输出。该尺寸的晶体能够实际用于性能测试和器件制造。与现有红外非线性光学器件相比，本申请提供的非线性光学器件，能够采用商业上成熟的～1μm或～2μm激光进行泵浦产生2.1～12.0μm中远红外激光，输出波长宽，承受功率高，能够更好满足红外激光应用需求。
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公开(公告)号：CN117721538A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311507109.X
申请日：2023-11-13
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种无机化合物晶体及其制备方法与作为非线性光学材料的应用，属于激光技术领域。所述无机化合物晶体，化学式为[BX6][Pb6M2Q8]；其中，B选自Mg、Mn、Zn、Cd、Hg中任一种；X选自Cl、Br、I中任一种；M选自Si、Ge、Sn中任一种；Q选自S、Se、Te中任一种。无机化合物晶体，兼具大的非线性光学(NLO)系数和高激光损伤阈值，其NLO效应是商用AgGaS2晶体的0.3‑20倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的1‑50倍，综合性能有极大的提高，是潜在的红外NLO材料。
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公开(公告)号：CN113235163B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110340013.3
申请日：2021-03-30
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种无机化合物晶体CsSb5S8及其制备方法、应用。所述的无机化合物晶体的化学式CsSb5S8，属于单斜晶系，空间群为P21/n。晶胞参数为Z＝4。该无机化合物晶体的玻璃化温度约为202℃，晶态的电导率是玻璃态的1.2倍，具有良好的相变性能，是一种新型的无机相变化合物，在相变存储器领域具有极好的应用价值。
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公开(公告)号：CN113061989B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202110292656.5
申请日：2021-03-18
Applicant: 闽都创新实验室 , 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种无机化合物晶体RbSb5S8及其制备方法、应用。所述的无机化合物晶体的化学式RbSb5S8，属于单斜晶系，空间群为Pn。晶胞参数为α＝γ＝90°，β＝91.822(2)°，Z＝2。该无机化合物晶体RbSb5S8的非线性效应是商用AgGaS2的1.1倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的7.1倍，非线性开光比是665，开关的可逆性良好，该化合物同时具有良好的NLO性能和开关性能，是潜在的红外非线性光学开关材料，在光学领域具有极好的应用价值。
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公开(公告)号：CN114232099A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111166654.8
申请日：2021-10-01
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种无机化合物晶体及其制备方法和作为非线性光学晶体的应用，化学式为[K3Cl][MnGa6S12]。具有非中心对称结构，属于三方晶系，空间群为P31c。晶胞参数为α＝90.0°，β＝90.0°，γ＝120.0°，V＝638.0～638.1，Z＝1。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113061989A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110292656.5
申请日：2021-03-18
Applicant: 闽都创新实验室 , 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种无机化合物晶体RbSb5S8及其制备方法、应用。所述的无机化合物晶体的化学式RbSb5S8，属于单斜晶系，空间群为Pn。晶胞参数为α＝γ＝90°，β＝91.822(2)°，Z＝2。该无机化合物晶体RbSb5S8的非线性效应是商用AgGaS2的1.1倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的7.1倍，非线性开光比是665，开关的可逆性良好，该化合物同时具有良好的NLO性能和开关性能，是潜在的红外非线性光学开关材料，在光学领域具有极好的应用价值。
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公开(公告)号：CN110284196B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201910671325.5
申请日：2019-07-24
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开一种含锂晶体材料及其制备方法和应用，属于二阶非线性光学材料及制备技术领域。所述含锂晶体材料具有化学式AxBayLiz(Ga4S7)n；其中A选自K、Rb和Cs中的至少一种，x+2y+z＝2n，n为2～7的整数。所述方法包括：将含有钡元素、镓元素、硫元素、锂元素和AX的原料在真空条件下置于反应温度下反应，冷却；其中AX中的X选自F、Cl、Br和I中的一种。本申请的含锂晶体材料具有改善的红外非线性光学性能，可应用于激光器中。本申请的方法工艺步骤简单，所得晶体材料的纯度高、结晶度好且收率高，适合大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN105755542B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201610316492.4
申请日：2016-05-12
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料、其制备方法及作为红外非线性光学晶体材料的应用。所述晶体的化学式是AGexQy；其中，A选自Na、K、Rb、Cs中的至少一种；Q选自S或Se；x＝1～2，y＝3～5。所述晶体材料具有优异的红外非线性光学性能。实验测定其非线性效应是商用AgGaS2的1～15倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的1～20倍。与目前商用的红外非线性晶体相比，本申请所述晶体材料的非线性光学性能有很大的提高，在大功率激光器领域具有重要商业应用价值。
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公开(公告)号：CN108385165A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810338698.6
申请日：2018-04-16
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种二阶非线性光学材料，其特征在于，具有化学式：ABaxX1+2x-mGamS2m；其中，A选自碱金属中的至少一种，X选自卤族元素中的至少一种；x为1、2或3；m为1、2、3、4或5中的任一正整数；所述二阶非线性光学材料，在红外波段的至少一个波长处满足相位匹配。该材料的倍频系数是商用AgGaS2的0.5～10倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的1～50倍，性能有很大的提高，是潜在的红外非线性光学材料。
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公开(公告)号：CN105951181A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610331499.3
申请日：2016-05-18
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C30B29/46 , C30B1/10 , G02F1/3551
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料，其特征在于，化学式为：BaCdSnS4；所述晶体材料属于正交晶系的Fdd2空间群，Z＝16。该晶体材料作为非线性光学晶体使用，其非线性效应是商用AgGaS2的1～5倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的1～8倍，是同时具有大非线性系数和高激光损伤阈值的新型中远红外非线性晶体材料。
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