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公开(公告)号：CN114574972A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210138652.6
申请日：2022-02-15
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种含镓正交无机化合物晶体，该化合物具有下列化学式：AGa5Q8。Q选自硫族元素中的一种。所述含镓无机化合物属于正交晶系，Iba21空间群。进一步公开了制备上述含镓正交无机化合物晶体的方法。并进一步公开了该材料作为非线性光学晶体的应用。本申请所述的含镓无机化合物具有激光损伤阈值高、倍频信号强度高等优良特点，本申请所提出的制备含镓无机化合物的方法具有产率高，合成工艺简单的优点。
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公开(公告)号：CN113235163B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110340013.3
申请日：2021-03-30
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种无机化合物晶体CsSb5S8及其制备方法、应用。所述的无机化合物晶体的化学式CsSb5S8，属于单斜晶系，空间群为P21/n。晶胞参数为Z＝4。该无机化合物晶体的玻璃化温度约为202℃，晶态的电导率是玻璃态的1.2倍，具有良好的相变性能，是一种新型的无机相变化合物，在相变存储器领域具有极好的应用价值。
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公开(公告)号：CN113061989B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202110292656.5
申请日：2021-03-18
Applicant: 闽都创新实验室 , 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种无机化合物晶体RbSb5S8及其制备方法、应用。所述的无机化合物晶体的化学式RbSb5S8，属于单斜晶系，空间群为Pn。晶胞参数为α＝γ＝90°，β＝91.822(2)°，Z＝2。该无机化合物晶体RbSb5S8的非线性效应是商用AgGaS2的1.1倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的7.1倍，非线性开光比是665，开关的可逆性良好，该化合物同时具有良好的NLO性能和开关性能，是潜在的红外非线性光学开关材料，在光学领域具有极好的应用价值。
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公开(公告)号：CN113061989A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110292656.5
申请日：2021-03-18
Applicant: 闽都创新实验室 , 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种无机化合物晶体RbSb5S8及其制备方法、应用。所述的无机化合物晶体的化学式RbSb5S8，属于单斜晶系，空间群为Pn。晶胞参数为α＝γ＝90°，β＝91.822(2)°，Z＝2。该无机化合物晶体RbSb5S8的非线性效应是商用AgGaS2的1.1倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的7.1倍，非线性开光比是665，开关的可逆性良好，该化合物同时具有良好的NLO性能和开关性能，是潜在的红外非线性光学开关材料，在光学领域具有极好的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117926417A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311866353.5
申请日：2023-12-29
Applicant: 闽都创新实验室 , 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料及其制备方法和应用，属于材料技术领域。所述晶体材料的化学式为：A4XGa9Q15；A选自碱金属Li或Na；X选自卤族元素Cl、Br或I；Q选自硫族元素S、Se或Te；Ga为金属镓；晶体结构为非中心对称结构，空间群为R3，属于三方晶系；晶体材料A4XGa9Q15在1910nm的激光照射下的倍频效应是商业化AGS的0.7～2.0倍，其LIDT是商业化AGS的7.0～15.0倍；其粉末红外透过范围是0.5～25.0μm；其带隙值是2.8～3.4eV；具有优良的非线性光学性能，是一种新型的红外非线性光学材料。
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公开(公告)号：CN113235163A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110340013.3
申请日：2021-03-30
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种无机化合物晶体CsSb5S8及其制备方法、应用。所述的无机化合物晶体的化学式CsSb5S8，属于单斜晶系，空间群为P21/n。晶胞参数为Z＝4。该无机化合物晶体的玻璃化温度约为202℃，晶态的电导率是玻璃态的1.2倍，具有良好的相变性能，是一种新型的无机相变化合物，在相变存储器领域具有极好的应用价值。
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公开(公告)号：CN114574973B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202210138676.1
申请日：2022-02-15
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种含镓单斜无机化合物晶体，该化合物具有下列化学式：AGa5Q8。其中，A选自碱金属元素中的一种；Q选自硫族元素中的一种；所述含镓单斜无机化合物晶体属于单斜晶系，P21空间群。进一步公开了制备上述含镓单斜无机化合物晶体的方法。并进一步公开了该材料作为非线性光学晶体的应用。本申请所述的含镓单斜无机化合物晶体具有激光损伤阈值高、倍频信号强度高等优良特点，本申请所提出的制备含镓单斜无机化合物晶体的方法具有产率高，合成工艺简单的优点。
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公开(公告)号：CN114574972B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210138652.6
申请日：2022-02-15
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种含镓正交无机化合物晶体，该化合物具有下列化学式：AGa5Q8。Q选自硫族元素中的一种。所述含镓无机化合物属于正交晶系，Iba21空间群。进一步公开了制备上述含镓正交无机化合物晶体的方法。并进一步公开了该材料作为非线性光学晶体的应用。本申请所述的含镓无机化合物具有激光损伤阈值高、倍频信号强度高等优良特点，本申请所提出的制备含镓无机化合物的方法具有产率高，合成工艺简单的优点。
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公开(公告)号：CN114574973A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210138676.1
申请日：2022-02-15
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种含镓单斜无机化合物晶体，该化合物具有下列化学式：AGa5Q8。其中，A选自碱金属元素中的一种；Q选自硫族元素中的一种；所述含镓单斜无机化合物晶体属于单斜晶系，P21空间群。进一步公开了制备上述含镓单斜无机化合物晶体的方法。并进一步公开了该材料作为非线性光学晶体的应用。本申请所述的含镓单斜无机化合物晶体具有激光损伤阈值高、倍频信号强度高等优良特点，本申请所提出的制备含镓单斜无机化合物晶体的方法具有产率高，合成工艺简单的优点。
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