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公开(公告)号：CN102339751B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201010235058.6
申请日：2010-07-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/304
Abstract: 本发明公开了一种改善氮化镓基场效应管后道工艺的方法，采用改进的减薄研磨工艺降低衬底的厚度，采用纳米抛光液对场效应管的衬底进行化学机械抛光(CMP)，采用溅射钛/镍(Ti/Ni)合金的方法制作掩膜，使用ICP进行深背孔刻蚀。利用本发明，改进的减薄工艺制备出了厚度超薄，抛光面形貌优良的衬底，配合ICP刻蚀工艺，制作出侧壁光滑的深孔结构。采用溅射钛/钨/金(Ti/W/Au)复合层金属的方法形成背金起镀层，电镀黄金形成背面金属散热结构，大大改善了电路的散热问题。
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公开(公告)号：CN101661921B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200910307518.9
申请日：2009-09-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/52 , H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种微波单片集成电路中的金属布线层结构及其制备方法，属于集成电路技术领域。所述金属布线层结构设置在第一Si3N4层和第二Si3N4层之间，包括第一Ti层、设置在第一Ti层上的Ni层、设置在Ni层上的第二Ti层、设置在第二Ti层上的Au层、以及设置在Au层上的第三Ti层。本发明金属布线层结构中的金属Ni在通过ICP刻蚀衬底后，可以保护布线层及以上部分，使得MMIC背孔工艺可以顺利进行，并且这种结构中的上下两层金属Ti改善了与Si3N4介质层的粘附性，提高了电容的性能，同时整个结构对电容值的影响不大，金属Ni上面一层金属Ti的引入可以改善金属Ni与金属Au的粘附性不好的问题。
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公开(公告)号：CN102340290A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201010235057.1
申请日：2010-07-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03H7/38
Abstract: 本发明公开了一种适用于高频功率器件的并联LCR稳定网络，该稳定网络由第一电感、电阻、第二电感和电容依次串联而成，第一电感并联在输入匹配电路中，电容接地，其中：第一电感，用于稳定网络和输入匹配电路之间的互联，以及改善功率器件的稳定性；电阻，用于改善功率器件的稳定性；第二电感，用于电阻和电容的互联，以及改善功率器件的稳定性；电容，用于改善功率器件的稳定性。利用本发明，在保证电路稳定性的同时，减少了稳定网络对内匹配功率器件的损耗，改善了高频功率器件的线性度，从而提高了器件的功率增益和输出功率。
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公开(公告)号：CN112906226B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202110205653.3
申请日：2021-02-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F30/20 , G01D21/02 , G06F119/08
Abstract: 本发明所提供的GaN‑HEMT器件大信号模型的建模方法，包括：对GaN‑HEMT器件进行高低温环境下的脉冲电流‑电压测试，获得不同温度下的电流‑电压数据；采用改进后的漏极电流公式搭建GaN‑HEMT器件的漏电模型，改进后的漏极电流公式包含与环境温度相关的参数；将不同温度下的电流‑电压数据与漏电模型进行拟合，确定漏电模型的参数。由于改进后的漏极电流公式包含与环境温度相关的参数，因此，可以建立与包含环境温度相关的参数的大信号模型，从而可以获得在高低温环境下准确预测GaN‑HEMT器件性能的大信号模型，进而提高了GaN‑HEMT器件仿真模型的准确性。
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公开(公告)号：CN118413121A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202310102986.2
申请日：2023-01-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H02M7/5387 , H02M7/483 , H02M1/12
Abstract: 本发明公开一种逆变电路及其调制方法，涉及逆变技术领域，以用于解决现有的逆变器效率较低，谐波畸变率过大，会造成能源浪费的问题。所述逆变电路包括：依次电连接的电流源负载比较子电路、反向放大子电路、电平转移子电路以及全桥子电路。电流源负载比较子电路接收相应的正弦波信号与载波信号后，分别将相应的正弦波信号与载波信号进行比较处理，输出相应的第一比较信号和第二比较信号；反向放大子电路分别将第一比较信号和第二比较信号进行放大处理，输出对应的第一放大信号和第二放大信号；电平转移子电路分别将第一放大信号和第二放大信号进行电平转移处理，输出对应的多个电平转移信号；全桥子电路基于多个电平转移信号，输出目标调制信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113271067B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202110614139.5
申请日：2021-06-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03F1/07
Abstract: 本发明提供了一种基于去匹配结构的Doherty功率放大器及电子设备，在该Doherty功率放大器中，无需单独设计输入匹配电路、输出匹配电路以及开路补偿线，简化了Doherty功率放大器的结构；并且，通过优化Peak功放路的第二漏极偏置电压端的电压，以调整所述Peak功放输出饱和功率时对应的最优负载阻抗，进而缓解所述Peak功放的输出失配；并且Carrier功放路的第一漏极偏置电压端的电压与Peak功放路的第二漏极偏置电压端的电压不同，可以拓展Doherty功率放大器的功率回退量；进而提高Doherty功率放大器的性能。
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公开(公告)号：CN115083768A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110276676.3
申请日：2021-03-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请公开了一种片上变压器及其制作方法，所述制作方法包括：提供一衬底，所述衬底表面具有隔离层；在所述隔离层上制备初级线圈组件，所述初级线圈组件包括：电接触的初级线圈和第一引线线圈，以及位于所述初级线圈和所述第一引线线圈之间的第一介质层；在所述初级线圈组件上制备次级线圈组件，所述次级线圈组件包括：电接触的次级线圈和第二引线线圈，以及位于所述次级线圈和所述第二引线线圈之间的第三介质层。本方案可以通过沉积工艺在同一衬底上形成依次交替层叠的线圈和介质层，通过四层线圈和三层介质层即可构成同一片上变压器，不仅可以提升频率和效率，还可以大幅度减小面积，结构简单，体积小。
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公开(公告)号：CN114499453A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210038979.6
申请日：2022-01-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种品质因子增强有源滤波器及电子设备，涉及集成电路带通滤波器技术领域。包括：减法电路、以及分别与减法电路电连接的第一二阶品质因子增强有源滤波器电路和第二二阶品质因子增强有源滤波器电路；第一二阶品质因子增强有源滤波器电路和第二二阶品质因子增强有源滤波器均包括两两相互电连接的可变增益子电路、电感电容并联谐振子电路和负阻反馈子电路；减法电路和可变增益子电路连接；本申请具有增益调节范围大、增益和Q值调节时中心频点不变、中心频率可调谐、矩形系数好以及线性度高的技术效果，便与集成，可用于射频前端设备中。
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公开(公告)号：CN111865234A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010758658.4
申请日：2020-07-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种紧凑型宽带Doherty功率放大器，属于射频功率放大器技术领域，解决了现有的Doherty功率放大器只考虑单频点的匹配造成的宽带性能较差的问题。包括功分器、载波功率放大电路、峰值功率放大电路和后匹配网络，峰值功率放大电路包括切比雪夫输入匹配网络，当功分器输入端输入低功率信号时，峰值功率放大电路的负载阻抗无穷大，由载波功率放大电路实现输入信号的放大；当功分器输入端输入高功率信号时，切比雪夫输入匹配网络的输出阻抗匹配于峰值功率放大电路中峰值功率放大器的最佳源阻抗，与载波功率放大电路共同实现输入信号的放大。有效抑制了峰值功率放大器的开启点随频率偏移的现象，改善了放大器的宽带性能。
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公开(公告)号：CN107306123A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201610249117.2
申请日：2016-04-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03H11/16
CPC classification number: H03H11/16
Abstract: 本发明公开了一种数字移相器。该数字移相器包括：第一开关电路；第二开关电路；低通滤波电路，低通滤波电路的第一端与第一开关电路的第一端连接，低通滤波电路的第二端与第二开关电路的第一端连接；高通滤波电路，高通滤波电路的第一端与第一开关电路的第二端连接，高通滤波电路的第二端与第二开关电路的第二端连接，第一开关电路或第二开关电路包括：场效应晶体管，场效应晶体管为GaN基异质结晶体管，场效应晶体管中每个场效应晶体管的栅极均与自身的半导体层形成肖特基接触，场效应晶体管中每个场效应晶体管的源、漏电极均与自身的半导体层形成欧姆接触。通过本发明，解决了相关技术中移相器功率容限低的问题，达到了提高移相器功率容限的效果。
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