公开(公告)号：CN105870287B

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201610374754.2

申请日：2016-05-31

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 袁国栋 ,  王乐 ,  段瑞飞 ,  李晋闽 ,  王军喜 ,  黄芳 ,  吴瑞伟 ,  王克超

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/06 ,  H01L33/50 ,  H01L33/00

Abstract: 一种GaN基白光LED，包括：一衬底；一缓冲层，其制作在衬底的上面；一n‑GaN层，其制作在缓冲层的上面，其上面的一侧形成一台面；一蓝光多量子阱层，其制作在n‑GaN层台面另一侧的上面；一p‑GaN层，其制作在蓝光多量子阱层的上面；一透明导电层，其制作在p‑GaN层的上面；一上电极阵列，其制作在透明导电层的上面；一下电极，其制作在n‑GaN层的台面上；一钙钛矿层，其制作在透明导电层上，位于上电极阵列空隙处。本发明是GaN基白光LED将成熟的GaN基LED技术与新型的钙钛矿材料结合，制造出低成本、高效的白光LED。

公开(公告)号：CN104659212A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201510076696.0

申请日：2015-02-12

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 黄芳 ,  袁国栋 ,  李晋闽

IPC: H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本发明公开了一种空气中稳定存在的钙钛矿薄膜的制备方法，包括两种方案：方案一：配制IV、VII族化合物溶液；将之喷淋、滴定、旋涂或印刷至衬底表面，形成第一薄溶液层；采用气体将之吹干，形成第一薄膜；配制甲基卤化铵溶液，将之喷淋、滴定、旋涂或印刷至第一薄膜表面，化学反应形成第二薄溶液层；采用气体将之吹干成膜；将薄膜加热烘干或者退火，得到钙钛矿薄膜。方案二：配制IV、VII族化合物和甲基卤化铵两种或多种混合溶液；将之喷淋、滴定、旋涂或印刷至衬底表面，形成薄溶液层；采用气体将之吹干成膜；将薄膜加热烘干或者退火，得到钙钛矿薄膜。本发明提供的制备方法，步骤简单，工艺参数方便控制，适宜大面积规模化流水线生产。