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公开(公告)号：CN111370548A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010234397.6
申请日：2020-03-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种抑制反向漏电的氮化镓基紫外发光器件及其制作方法，该氮化镓基紫外发光器件包括一衬底；一低温成核层；一n型GaN；一n型AlGaN；一InGaN/AlGaN量子阱有源区；一p型电子阻挡层；一p型AlGaN；一p型重掺接触层；一p型欧姆电极以及一n型欧姆电极。本发明通过改变n型掺杂AlGaN和InGaN/AlGaN量子阱的生长方法提高材料质量，降低反向漏电，改善发光效率；采用降低反应室生长压力的方法，减少三甲基铝有机源和氨气的预反应，提高AlGaN的材料质量和表面形貌，降低反应过程中Al原子表面迁移能力低的不利影响。
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公开(公告)号：CN109461801B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201811274583.1
申请日：2018-10-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种在InGaN表面获得In量子点的方法、InGaN量子点及外延结构。其中，该方法包括：在衬底上生长GaN缓冲层；在GaN缓冲层上生长非掺杂GaN层；在非掺杂GaN层上生长InGaN层；以及保持反应室在N2氛围下将生长温度降低至一设定温度，将载气由N2变换成H2，继续降温，在InGaN层的表面获得In量子点。本方法获得的In量子点具有高的密度和非常好的尺寸均匀性，且生长工艺简单，为氮化金属液滴来获得InGaN量子点提供了均匀可靠的模板，推进了InGaN量子点在光电器件的实际应用。
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公开(公告)号：CN108598192A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810460567.5
申请日：2018-05-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 一种InGaN/GaN异质外延结构及生长方法，外延结构包括：一衬底，该衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓；一GaN层，其生长在衬底上；一InGaN有源区，其生长在GaN层上；一GaN层，其生长在InGaN有源区上。本发明可以将显著提高InGaN基太阳能电池的能量转换效率。
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公开(公告)号：CN105513951B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201510996216.2
申请日：2015-12-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种低电阻率P型氮化镓材料的制备方法，该制备方法包括：对衬底升温，在氢气环境下热处理，去除衬底表面的杂质；在衬底上生长低温成核层，为后续生长材料提供成核中心；在低温成核层上生长一层非故意掺杂模板层；在非故意掺杂模板层上低温外延生长一层具有一定氢杂质浓度的P型氮化镓层；在氮气环境下，高温退火使P型氮化镓层中受主激活，得到低电阻率P型氮化镓材料。本发明，通过用氢杂质与施主缺陷(如氮空位)形成络合物，钝化施主缺陷的方法减轻p型氮化镓材料中的受主补偿作用，达到降低P型氮化镓材料电阻率的目的。
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公开(公告)号：CN105803425B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201610320424.5
申请日：2016-05-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/458 , H01L21/687
Abstract: 一种金属有机化合物气相沉积反应装置的反应基座，包括：一圆盘状的反应基座，该反应基座上开有三个圆形凹槽，该圆形凹槽边缘为圆弧过渡结构，该反应基座中心处存在一个圆弧脊形过渡结构，使得反应基座表面中心处高于其他部分，该反应基座的材料为镀有一层碳化硅的石墨。本发明可以提高MOCVD沉积薄膜的质量，提高外延薄膜的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104269740B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201410490395.8
申请日：2014-09-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提出了一种激光器及其制作方法。所述激光器包括：N型砷化镓衬底；N型覆盖层，制作N型砷化镓衬底正面；第一超晶格层，制作在N型覆盖层上；N型波导层，制作在超晶格层上；有源层，制作在N型波导层上；P型波导层，制作在有源层上；第二超晶格层，制作在P型波导层上；P型覆盖层，制作在超晶格层上；P型欧姆接触层，制作在P型覆盖层上；P型欧姆电极，制作在P型欧姆接触层上；N型欧姆电极，制作在N型砷化镓衬底(10)背面。本发明中本发明利用超晶格层不仅能提供低折射率势垒，而且具有高的载流子输运的能力，使激光器同时具有低阈值电流、低垂直发散角以及高的载流子输运的能力。
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公开(公告)号：CN104300365B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201410563124.0
申请日：2014-10-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在砷化镓衬底上依次制作n型限制层、n型低折射率插入层、n型波导层、量子阱有源区、p型波导层、p型低折射率插入层、p型限制层和p型接触层；步骤2：将P型接触层和P型限制层湿法腐蚀或干法刻蚀成脊型；步骤3：在刻蚀成脊型上生长一层氧化模，并采用光刻的方法在p型接触层的上表面制作p型欧姆电极；步骤4：将砷化镓衬底减薄、清洗，并在砷化镓衬底的背面制作n型欧姆电极，形成激光器；步骤5：进行解理，在激光器的腔面镀膜，最后封装在管壳上，完成制备。本发明可以提高激光器激射的单模特性，提高光束质量。
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公开(公告)号：CN104201256B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201410426219.8
申请日：2014-08-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种低电阻率低温P型铝镓氮材料的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将一衬底升温，在氢材料气环境下热处理；步骤2：在衬底上生长一层低温成核层，为后续外延生长提供成核中心；步骤3：在低温成核层上生长一层非故意掺杂模板层；步骤4：在非故意掺杂模板层上低温外延生长一层低碳杂质浓度的P型铝镓氮层，形成外延片；步骤5：在氮气环境下，将外延片高温退火，使其P型铝镓氮层中受主激活，得到低电阻率的P型铝镓氮层材料。本发明可以降低低温生长的P型铝镓氮材料中非故意掺杂的碳杂质浓度，从而减轻受主补偿作用，达到降低P型材料电阻率的目的。
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公开(公告)号：CN105374903B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510967933.2
申请日：2015-12-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0304 , H01L31/101
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种AlxGa1‑xN基紫外探测器及制备方法，该AlxGa1‑xN基紫外探测器，包括：一衬底，所述衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在衬底上；一有源层，该有源层制作在N型欧姆接触层上的一侧，该N型欧姆接触层上的另一侧形成一台面；一P型欧姆接触层，该p型欧姆接触层制作在有源层上；一重掺P型欧姆接触盖层，该重掺p型欧姆接触盖层制作在p型欧姆接触层上；一P型欧姆接触透明电极，该P型欧姆接触透明电极制作在重掺P型欧姆接触盖层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在N型欧姆接触层的台面上；一P型加厚电极，该P型加厚电极制作在P型欧姆接触透明电极上，其面积远小于P型欧姆接触透明电极的面积。
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公开(公告)号：CN103956653B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201410204718.2
申请日：2014-05-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/06
Abstract: 一种减小GaN基蓝紫光端发射激光器中电子泄漏的方法，包括以下步骤：步骤1：在一蓝宝石衬底上依序制作低温成核层、n型接触和电流扩展层、n型AlGaN限制层、n型GaN波导层、InGaN/GaN量子阱有源区、InGaN插入层、AlGaN电子阻挡层、p型GaN波导层、p型AlGaN限制层和p型GaN接触层；步骤2：采用光刻的方法，在p型GaN接触层上面的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达n型接触和电流扩展层，使n型接触和电流扩展层的表面形成一台面；步骤3：在n型接触和电流扩展层表面形成的台面上制作n型电极；步骤4：在p型GaN接触层的上表面制作一p型电极，完成制备。本发明可以提高电子跃过AlGaN电子阻挡层的有效势垒高度，从而减小电子泄漏，提高GaN基蓝紫光激光器性能。
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