公开(公告)号：CN113640219A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202110790823.9

申请日：2021-07-13

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 窦秀明 ,  丁琨 ,  孙宝权

IPC: G01N21/01 ,  G01N21/64 ,  G01N21/65

Abstract: 本发明提供了一种光谱仪激发光、分束器和滤光片的联动切换装置，其特征在于，所述联动切换装置包括：底板；旋转位移台，通过旋转位移台支架固定于所述底板；转动管，固定于所述旋转位移台的中心孔；转动反射镜，固定于所述转动管的入射端；转动分束器固定架，固定于所述转动管的出射端；分束器，固定于所述转动分束器固定架；长波通滤光片，固定于所述转动分束器固定架；入射光耦合立方，通过入射光耦合立方支架固定于所述底板；入射反射镜，固定于所述入射光耦合立方，反射激发光至转动反射镜；高度提升反射镜，包括第一高度提升反射镜和第二高度提升反射镜，通过高度提升反射镜支架固定于所述底板。

公开(公告)号：CN111525005B

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202010557214.4

申请日：2020-06-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 何小武 ,  牛智川 ,  张宇 ,  徐应强 ,  陈昊 ,  孙宝权 ,  窦秀明 ,  尚向军 ,  倪海桥 ,  任正伟 ,  刘汗青

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01L33/10 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供了量子点单光子源、制备方法及其器件的制备方法。所述量子点单光子源包括：衬底、缓冲层、和/或DBR反射层、吸收层、有源层、盖层、量子点阵列；所述缓冲层设置于所述衬底上；所述DBR反射层设置于所述缓冲层上；所述吸收层设置于所述DBR反射层上；所述有源层设置于所述吸收层上；所述盖层设置于所述有源层上；所述量子点阵列通过刻蚀所述盖层和所述有源层得到，所述量子点阵列位于所述吸收层上。提高了量子点单光子源器件的荧光发射率，提高了制作量子点单光子源器件的成品率。

公开(公告)号：CN111525005A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010557214.4

申请日：2020-06-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 何小武 ,  牛智川 ,  张宇 ,  徐应强 ,  陈昊 ,  孙宝权 ,  窦秀明 ,  尚向军 ,  倪海桥 ,  任正伟 ,  刘汗青

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01L33/10 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供了量子点单光子源、制备方法及其器件的制备方法。所述量子点单光子源包括：衬底、缓冲层、和/或DBR反射层、吸收层、有源层、盖层、量子点阵列；所述缓冲层设置于所述衬底上；所述DBR反射层设置于所述缓冲层上；所述吸收层设置于所述DBR反射层上；所述有源层设置于所述吸收层上；所述盖层设置于所述有源层上；所述量子点阵列通过刻蚀所述盖层和所述有源层得到，所述量子点阵列位于所述吸收层上。提高了量子点单光子源器件的荧光发射率，提高了制作量子点单光子源器件的成品率。

公开(公告)号：CN102866065B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201210332942.0

申请日：2012-09-10

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 武雪飞 ,  丁琨 ,  窦秀明 ,  孙宝权

IPC: G01N3/18 ,  G01N3/02

Abstract: 本发明提供了一种连续加压装置。该连续加压装置包括：圆筒(6)；压电陶瓷(4)，设置于圆筒(6)内；滑块(3)，设置于圆筒(6)内，压设于压电陶瓷(4)的上表面，其外侧壁可沿圆筒(6)的内侧壁上下滑动；对顶砧(1)，其部分的设置于圆筒(6)内，压设于滑块(3)的上表面。本发明可以对测试样品连续、精确地加压。