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公开(公告)号：CN102866065A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210332942.0
申请日：2012-09-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种连续加压装置。该连续加压装置包括：圆筒(6)；压电陶瓷(4)，设置于圆筒(6)内；滑块(3)，设置于圆筒(6)内，压设于压电陶瓷(4)的上表面，其外侧壁可沿圆筒(6)的内侧壁上下滑动；对顶砧(1)，其部分的设置于圆筒(6)内，压设于滑块(3)的上表面。本发明可以对测试样品连续、精确地加压。
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公开(公告)号：CN103575708A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310594591.5
申请日：2013-11-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种检测光通讯波段半导体材料发光单光子特性的方法。该方法依靠准静水压压力装置对光通讯波段的半导体发光材料施加压力，将其发光波长向短波方向移动，而进入硅单光子探测的光谱探测范围，结合配有两个硅单光子探测器的HBT单光子测试系统进行检测，可以快速检测半导体样品位于光通讯波段的发光的单光子特性，具有简单、快速、高效、经济的优点。
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公开(公告)号：CN103575708B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310594591.5
申请日：2013-11-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种检测光通讯波段半导体材料发光单光子特性的方法。该方法依靠准静水压压力装置对光通讯波段的半导体发光材料施加压力，将其发光波长向短波方向移动，而进入硅单光子探测的光谱探测范围，结合配有两个硅单光子探测器的HBT单光子测试系统进行检测，可以快速检测半导体样品位于光通讯波段的发光的单光子特性，具有简单、快速、高效、经济的优点。
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公开(公告)号：CN102866065B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201210332942.0
申请日：2012-09-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种连续加压装置。该连续加压装置包括：圆筒(6)；压电陶瓷(4)，设置于圆筒(6)内；滑块(3)，设置于圆筒(6)内，压设于压电陶瓷(4)的上表面，其外侧壁可沿圆筒(6)的内侧壁上下滑动；对顶砧(1)，其部分的设置于圆筒(6)内，压设于滑块(3)的上表面。本发明可以对测试样品连续、精确地加压。
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