公开(公告)号：CN102208340A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110134149.5

申请日：2011-05-23

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 孙波 ,  伊晓燕 ,  刘志强 ,  汪炼成 ,  郭恩卿 ,  王国宏

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  C30B29/38 ,  C30B25/00

Abstract: 本发明提供一种自支撑氮化镓衬底的制作方法，其中包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长一层薄膜层；步骤3：在薄膜层上生长一层纳米薄膜，得到一基片；步骤4：对基片进行退火，退火后使基片上的纳米薄膜形成纳米颗粒，形成源衬底；步骤5：在源衬底的纳米薄膜上生长出自支撑衬底；步骤6：将源衬底与自支撑衬底通过机械方法实现分离，完成制作。

公开(公告)号：CN103022299A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210579063.8

申请日：2012-12-27

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 安铁雷 ,  孙波 ,  孔庆峰 ,  魏同波 ,  段瑞飞

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种制备微纳米柱发光二极管的方法。该方法包括：在发光二极管外延片上制作微纳米尺度的周期结构图形掩模；采用物理刻蚀的方式，将周期结构图形掩模转移至发光二极管外延片，形成微纳米柱；在发光二极管外延片上微纳米柱的间隙填充中间绝缘介质；去除发光二极管外延片上周期结构图形掩模，以及在填充中间填充绝缘介质的发光二极管外延片上制作电极，形成微纳米柱发光二极管。本发明采用周期性的图形化掩模，刻蚀得到相同大小的结构空隙，从而在填充绝缘介质时，尽可能的保证绝缘介质的填充均匀，从而解决了正反向漏电大的技术问题。

公开(公告)号：CN103022300A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210579602.8

申请日：2012-12-27

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 安铁雷 ,  孙波 ,  孔庆峰 ,  魏同波 ,  段瑞飞

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种制备微纳米柱发光二极管的方法。该方法包括在发光二极管外延片上生长抗刻蚀层；在抗刻蚀层上制作微纳米尺度的周期结构图形掩模；采用物理刻蚀的方法，将周期结构图形掩模转移至抗刻蚀层和发光二极管外延片上，形成微纳米柱；在发光二极管外延片上微纳米柱的间隙填充绝缘介质；去除发光二极管外延片上的抗刻蚀层，以及在去除抗刻蚀层的发光二极管外延片上制作pn电极，形成微纳米柱发光二极管。本发明制备微纳米柱氮化镓基LED的方法采用周期性的图形化掩模，刻蚀得到相同大小的结构空隙，从而在填充绝缘介质时，尽可能的保证绝缘介质的填充均匀，从而解决了正反向漏电大的技术问题。