公开(公告)号：CN102623523A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210086429.8

申请日：2012-03-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 贾亚楠 ,  徐波 ,  孔金霞 ,  王占国

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/102

Abstract: 本发明公开了一种有多色响应的量子点红外探测器，包括：一GaAs衬底；一GaAs底接触层制作在GaAs衬底上；一下GaAs隔离层制作在GaAs底接触层上；一组分渐变AlGaAs层制作在下GaAs隔离层上；一Al0.2Ga0.8As势垒层制作在组分渐变AlGaAs层上；一3～10周期的InAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs点-阱结构层制作在Al0.2Ga0.8As势垒层上；一组分渐变AlGaAs层制作在3～10周期点-阱结构上；一上GaAs隔离层制作在组分渐变AlGaAs层上；一3～10周期的InGaAs/GaAs量子点结构层制作在上GaAs隔离层上；一GaAs顶接触层制作在3～10周期的InGaAs/GaAs量子点结构上；一上电极制作在GaAs顶接触层上，收集并输出光电流信号；一下电极制作在GaAs底接触层台面上，与上电极一起给探测器加偏压。

公开(公告)号：CN102064472A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010591575.7

申请日：2010-12-08

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 孔金霞 ,  徐波 ,  王占国

IPC: H01S5/343

Abstract: 一种InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构，包括：一衬底；一下包覆层制作在衬底上；一下波导层制作在下包覆层上，作为载流子限制层，提高电子-空穴复合效率，提高激光器的工作温度；一1-20周期的匹配或张应变结构层制作在下波导层上，作为激光器的有源区，是激光器的核心部位；一上波导层制作在1-20周期的匹配或张应变结构层上，作为载流子限制层，将载流子限制在有源区，进而提高电子-空穴复合效率，提高激光器工作温度；一上包覆层制作在上波导层上；一欧姆接触层制作在上包覆层上，其晶格常数与衬底匹配；一上电极制作在欧姆接触层上，为有源区提供空穴；一下电极制作在减薄后的衬底上，为有源区提供电子。

公开(公告)号：CN119710669A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202311265865.6

申请日：2023-09-27

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘素平 ,  朱凌妮 ,  马骁宇 ,  孔金霞 ,  熊聪

IPC: C23C22/73

Abstract: 本公开提供了一种半导体激光器的腔面镀膜方法，包括：解理半导体激光器芯片的腔面，形成解理面；通过射频离子源产生的等离子体清洗解理面，直至去除解理面表面的氧化物和污染为止；在清洗后的解理面上沉积钝化层。通过该半导体激光器的腔面镀膜方法，既可以有效抑制半导体激光器腔面光学灾变损伤，也不会在镀膜过程中造成电极退化和量子阱劣化等不良影响。

公开(公告)号：CN118693608A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410940686.6

申请日：2024-07-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 马骁宇 ,  张德帅 ,  刘素平 ,  祁琼 ,  朱玲妮 ,  李伟 ,  熊聪 ,  林楠 ,  孔金霞

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/20 ,  H01S5/10

Abstract: 本公开提供了一种线性渐变深度的锥形放大结构及其制备方法，可以应用于半导体激光器领域。该锥形放大结构包括：衬底；外延层，自衬底向上依次包括第一限制层、第一波导层、有源层、第二波导层、第二限制层以及欧姆接触层；其中，外延层表面设置有锥形区域，锥形区域的刻蚀深度呈线性渐变。

公开(公告)号：CN106532427A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610981960.X

申请日：2016-11-08

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 祁琼 ,  熊聪 ,  孔金霞 ,  刘素平 ,  马骁宇

IPC: H01S5/024

CPC classification number: H01S5/02423

Abstract: 一种半导体激光器微通道水冷叠阵的对齐组装装置，包括：一底座，该底座为矩形，其上面沿长边方向中间的位置横向开有一后滑槽；该底座的上面沿长边方向的位置纵向开有一滑道，与该滑道交叉的中间开有一定位槽；一后支架，其为L形，其与底座的后滑槽配合并可滑移地固定在后滑槽；一左支架，其为L形，其与底座的滑道配合并可滑移地固定在滑道的一侧；一右支架，其为L形，其与底座的滑道配合并可滑移地固定在滑道的另一侧，所述左支架与右支架相向设置；一后挡块，为矩形，可滑移地固定在L形后支架竖立的一面；一右挡板，为矩形，可滑移地固定在L形右支架竖立的一面；一左挡板，为矩形，可滑移地固定在L形左支架竖立的一面。

公开(公告)号：CN105699709A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201610149379.1

申请日：2016-03-16

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 孔金霞 ,  祁琼 ,  朱凌妮 ,  刘素平 ,  马骁宇

IPC: G01R1/04 ,  G01M11/02

CPC classification number: G01R1/0425 ,  G01M11/0214

Abstract: 一种用于单管芯激光二极管的测试老化夹具，包括：一底座，其上表面有一定位槽和两个定位柱，该底座上同时具有两个定位块和一紧固螺钉孔；一控制板，所述控制板概似一门形，其上面的一侧对称开有两个定位孔，该两个定位孔与底座上的两个定位柱相匹配，所述控制板的另一端为接线柱，所述控制板的下表面有两个凸起的长方体压块，所述控制板的下表面还开有两个凹槽，将所述压块与所述接线柱相连；两个支撑块，固定在所述底座上的定位块的一侧；一固定压块，所述固定压块为Z形，上下两臂上各开有紧固螺钉孔，下臂的紧固螺钉孔用于将所述固定压块通过螺钉固定在底座上的紧固螺钉孔上，上臂的紧固螺钉孔通过螺钉压紧控制板，以起到固定单管芯激光二极管的作用。

公开(公告)号：CN105428995A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201511006109.7

申请日：2015-12-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 祁琼 ,  孔金霞 ,  熊聪 ,  仲莉 ,  刘素平 ,  马骁宇

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/024

CPC classification number: H01S5/022 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/024 ,  H01S5/02453

Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器列阵烧结装置，所述烧结装置包括：主体，由基板、盖板和压条依次固定在底座上形成；盖板，形成有U型槽；压条，固定于U型槽开口一端的上方；顶块，与底座一侧轴连，可在平放和立放两个状态中转换；夹块，限制在U型槽内；主体的两侧形成两个弹簧拉升通道；底座侧面设有限位槽，限位槽中安设有弹簧固定螺钉；两条弹簧分别卡设在弹簧拉升通道内，一端固定在顶块的侧面上，另一端固定在弹簧固定螺钉上。本发明还公开了一种利用所述烧结装置对半导体激光器列阵进行烧结的方法。本发明结构紧凑，尺寸可以设计的很小，便于在不同烧结设备中使用；操作使用简单，且可根据需求放置多个激光器，烧结效率高，便于产业化。