公开(公告)号：CN111987452B

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202010901591.5

申请日：2020-09-01

Applicant: 中国科学院光电技术研究所

Inventor： 罗先刚 ,  黄成 ,  赵波 ,  马晓亮

IPC: H01Q1/42

Abstract: 本发明公开了一种透射/反射可切换且幅度可调的超构材料，该超构材料为层状结构，从下到上依次为：有源频率选择表面、微波介质层和石墨烯电容层。其中，有源频率选择表面由介质基板和印刷在介质基板两侧的周期金属微结构图案组成，金属微结构中加载了PIN二极管。微波介质层为微波段常用的透波材料，石墨烯电容层由高方阻薄膜层，浸润离子液的绝缘介质层和PET基底单层石墨烯层构成。本发明的优点在于：通过控制PIN二极管通断，可实现透射和反射模式的动态切换，进一步通过外置偏压调节石墨烯费米能级来改变其方阻，还可实现透射幅度和反射幅度的动态调谐。本发明中的超构材料具有全极化响应特性，集成了多种电磁调控功能，且结构简单、易于实现。

公开(公告)号：CN103399459B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201310340709.1

申请日：2013-08-07

Applicant: 中国科学院光电技术研究所

Inventor： 罗先刚 ,  赵泽宇 ,  王彦钦 ,  王长涛 ,  沈同圣 ,  刘利芹 ,  胡承刚 ,  黄成 ,  杨磊磊 ,  潘思洁 ,  崔建华 ,  赵波

IPC: G03F7/00

Abstract: 本发明提供一种用于制备金属/介质纳米多层膜高质量断面的方法，其步骤为：在基底上制备平面或曲面金属/介质纳米多层膜；在多层膜上旋涂光刻胶，前烘，得到样片；用玻璃刀在样片背面划痕，掰断，得到多层膜粗糙断面；在断口边缘处进行掩模移动曝光；显影、坚膜，得到截面边缘平整的光刻胶掩蔽层；坚膜后的样片放入离子束刻蚀设备中，选择合适的离子束流和角度进行刻蚀；刻蚀后，取出样片，去除样片上剩余的光刻胶，金属/介质纳米多层膜高质量断面制作完成。基于离子束流刻蚀制备金属/介质纳米多层膜断面的方法，能得到边缘整齐、低缺陷的金属/介质纳米多层膜高质量断面。

公开(公告)号：CN103399461B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201310361799.2

申请日：2013-08-19

Applicant: 中国科学院光电技术研究所

Inventor： 罗先刚 ,  王长涛 ,  赵泽宇 ,  王彦钦 ,  沈同圣 ,  刘玲 ,  胡承刚 ,  黄成 ,  杨磊磊 ,  潘思洁 ,  崔建华 ,  赵波

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/16 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明公开了一种基于双层胶技术的掩模平坦化方法，其主要步骤为：在平面或者曲面基底上沉积铬膜层并制备掩模图形，之后在其上先后涂敷光刻胶A和光刻胶B，采用中心波长为365nm的紫外曝光光源从基底的背面入射，使光刻胶B感光，利用光刻胶A在光刻胶B显影液中的溶解速率大于光刻胶B在光刻胶B显影液中的显影速率的特性形成侧向沟槽，再利用电子束蒸镀沉积二氧化硅，厚度和掩模铬层厚度相等。将掩模浸泡于有机溶剂中去除A、B光刻胶，最后得到平坦化的掩模。该方法可以应用到一体式曝光器件的掩模平坦化工艺中，如Superlens和缩小Hyperlens器件的掩模平坦化工艺。