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公开(公告)号：CN109100870A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201811176482.0
申请日：2018-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G02B27/09
Abstract: 本发明公开了一种全电介质材料的多通道聚焦涡旋光束产生器及制备方法，包括衬底、介质纳米柱阵列。这些介质纳米柱按照特定的方式排布在衬底上；本发明通过选择合适的纳米柱周期与纳米柱的尺寸(长﹑宽﹑高)，通过引入几何相位，调节纳米柱绕其中心轴的旋转角度，从而实现对透过光束的波前相位进行全相位操控。将透镜和涡旋相位板的功能集成到一块介质纳米柱阵列器件上，实现对涡旋光束的聚焦，在设定的焦平面上产生“甜甜圈式”的能量密度分布。基于全息原理，在一个器件上实现了涡旋光束的多路产生。本发明大大提升了涡旋光产生器件的效率，降低器件的尺寸,提高了器件的可集成性。
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公开(公告)号：CN104183692A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410403051.9
申请日：2014-08-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于特异材料增强响应率的超导纳米线单光子探测器，包括衬底、金属反射层、介质隔离层、超导纳米线、介质隔离条和非对称金属谐振环阵列。金属反射层、介质隔离层、超导纳米线、介质隔离条和非对称金属谐振环阵列依次按照从下向上的顺序生长在衬底上；透明介质隔离条隔开超导纳米线与非对称金属谐振环阵列。本发明通过周期性特异结构汇聚到面积很小的超导纳米线上，大幅降低到达超导纳米线间隔无效区域的光子数量与几率，显著提升超导纳米线单光子探测器的吸收率和响应率。
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公开(公告)号：CN119768039A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411755760.3
申请日：2024-12-03
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于离子迁移的可重构光电结构及其制作方法。该可重构光电结构包括衬底、半导体介质层、金属—半导体界面、金属电极、兼容性连接端、钝化层；所述可重构结构为：在衬底上有一半导体介质层，所述半导体介质层一端通过半导体—金属界面与金属电极连接；半导体介质层另一端作为兼容性连接端；所述钝化层覆盖在半导体介质层上。本发明通过高价态金属阳离子的引入显著改变了能带结构，且在结构和工艺上与电路集成具有良好的兼容性，为忆阻器的设计和应用提供了新的思路，并展现了其在仿生神经网络和复杂计算任务中的广泛应用前景。
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公开(公告)号：CN119698086A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411766812.7
申请日：2024-12-04
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H10F30/225 , H10F71/00 , H10F77/30 , H10F77/20 , H10F77/123 , H10F77/14
Abstract: 本发明涉及一种基于抑制复合电流机制的平面型雪崩单光子探测器及其制作方法，基于抑制复合电流机制的平面型雪崩单光子探测器包括从下到上的顺序生长在衬底上的缓冲层、P型层、N型层；N型层为非均匀掺杂的N型碲镉汞，掺杂呈现高斯分布；光子从衬底入射，P型层上的阴极引出端接电源的负极，N型层上的阳极引出端接电源的正极，光子被P型层与N型层吸收，且在P型层与N型层界面处进行倍增。本发明工艺简单，设计紧凑，同时在高温工作环境下可大幅度降低暗电流，提高增益。
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公开(公告)号：CN119535649A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411813976.0
申请日：2024-12-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于高阶拓扑矢量光束复用的超表面结构及提升全息复用通道数的方法。该超表面结构包括衬底、介质微结构、矢量偏振光束；所述介质微结构建立于衬底上；所述介质微结构是由若干个高反射率介质超表面单元周期性排列形成的超表面阵列结构，所述高反射率介质超表面单元为几何形状的立方体，矢量偏振光束垂直入射到所述超表面阵列结构上。本发明主要克服现有基于轨道角动量复用全息技术存在的缺陷，它利用矢量涡旋光束本身的拓扑正交特征提高不同参数的矢量涡旋光彼此之间的选择隔离度，实现了不依赖轨道角动量选择性，无需空间点阵滤光板辅助就能进行目标全息成像的技术。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119200049A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411633644.4
申请日：2024-11-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于对称保护的连续域束缚态超表面微腔结构及设计方法。该结构包括沿z轴方向依次叠加设置的基底层、低折射率材料层、超表面阵列结构；超表面阵列结构由分别沿x、y轴方向周期排列的多个方形块结构，方形块结构上具有的圆孔的圆心相对于方形块结构的中心有偏移；各方形块结构及其上设置的圆孔的位置、大小、形状相同；设有位置偏移的圆孔的超表面阵列结构用于在沿y轴方向偏振的平面波正入射时，激发沿z轴方向的偶极矩，形成准连续域中的束缚态，并利用所述准连续域中的束缚态形成高Q值的谐振腔。它通过打破结构内在的旋转对称性，使理想的BIC转化为具有极高Q值但寿命有限的准BIC态，获得高性能的光学束缚，提高各类低维增益材料器件发射性能，促进集成化和小型化光学器件的发展。
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公开(公告)号：CN117471717A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311699214.8
申请日：2023-12-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于相变材料的动态调制超表面及其制备方法。所述超表面由按二维正方晶格排列的单元构成，所述的单元结构为在所述的衬底上有多层膜，并在多层膜上有复合材料纳米柱。本发明通过设计多层膜的层数和厚度并选择合适的单元结构周期与纳米柱的尺寸，利用材料相变过程中产生的折射率变化，从而实现对透过光束的透过率和波前相位的动态操控。利用相变过程中折射率变化及复合材料纳米柱长短轴的相位调制差别，可实现出射光三种偏振态的切换且透射率可以实现依次降低约一个数量级的同步调节。本发明提升了光调制超表面的调控维度，降低了器件的尺寸,提高了器件的可集成性。
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公开(公告)号：CN114038926A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111324616.0
申请日：2021-11-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种高增益平面型雪崩单光子探测器及其制备方法，包括衬底、缓冲层、P型层、I型层、N型层、阴极引出端和阳极引出端。缓冲层和P型层依次生长在衬底上、N型层和I型层形成在P型层中；光子从P型衬底入射，P型衬底上的阴极引出端接电源的负极，I层作为载流子的雪崩倍增区域和光子的吸收区，N型层上的阳极引出端接电源的正极。本发明结构简单，易于制备，可同时在高偏压下实现低暗电流和高增益。
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公开(公告)号：CN110824603B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201911093529.1
申请日：2019-11-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开了一种用于定向辐射荧光的纳米手性光学天线及制备方法，包括衬底、金属微结构和自由电子。金属微结构的手性单元按照一定的方式排布在衬底上，自由电子则垂直打在金属微结构上。本发明通过用不同能量的自由电子来激励手性金属微结构产生手性阴极荧光辐射，然后利用纳米手性光学天线阵列结构对电磁波的导向作用来对产生的手性偏振光的发射方向进行控制。本发明成功将不同手性的阴极荧光发射到不同的空间立体角上，实现了左旋与右旋偏振光的分离，并可以通过改变单元的排布来控制发射的角度，提升了亚波长尺度手性偏振光的可操作性，便于降低光电器件的尺寸，提高集成性。
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公开(公告)号：CN217086583U
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202122739138.1
申请日：2021-11-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本专利公开了一种高增益平面型雪崩单光子探测器，包括衬底、缓冲层、P型层、I型层、N型层、阴极引出端和阳极引出端。缓冲层和P型层依次生长在衬底上、N型层和I型层形成在P型层中；光子从P型衬底入射，P型衬底上的阴极引出端接电源的负极，I层作为载流子的雪崩倍增区域和光子的吸收区，N型层上的阳极引出端接电源的正极。本专利结构简单，易于制备，可同时在高偏压下实现低暗电流和高增益。
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