-
公开(公告)号：CN100385264C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200410067892.3
申请日：2004-11-05
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种集成窄带滤光片，包括：基片，在基片上依次有相互牢固结合的下层膜系，厚度不等的谐振腔层列阵和上层膜系。本发明的集成窄带滤光片是基于F-P干涉原理，通过半导体刻蚀工艺来获取不同谐振腔层的厚度，达到控制窄带滤光片的带通峰位，从而实现不同透射波长窄带滤光片在同一块基片上的集成。这种滤光片可适用于各个波段窄带滤光片列阵的制备。其优点是：工艺简单，只需设计一个膜系、通过镀膜和刻蚀即可完成集成窄带滤光片的制备，所制备的滤光片各单元的半峰宽很窄，其相对半峰宽都小于0.36%，可以起到很好的波长选择作用。
-
公开(公告)号：CN101109724A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710044935.X
申请日：2007-08-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明提供一种检测InGaN/GaN多量子阱发光二极管内部量子点密度大小的方法。由于InGaN/GaN多量子阱发光二极管为InGaN量子点发光，那么，其内部量子点密度的大小就决定了其发光性能的优劣。本发明根据InGaN/GaN多量子阱发光二极管开启电压随其内部量子点密度增大而逐渐增大的变化关系，通过测量其开启电压的大小来判定其内部量子点密度的大小。在保证电极为欧姆接触的情况下，发光二极管的开启电压越大，其内部量子点密度也就越高。本发明可以简单方便的确定InGaN/GaN多量子阱发光二极管内部量子点密度的相对大小，而且不会造成浪费，对于寻找最优化的生长条件，提高发光二极管的发光效率和节约成本具有重要意义。
-
公开(公告)号：CN100345030C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200410089451.3
申请日：2004-12-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G02F1/00
Abstract: 本发明公开了一种三维光学微腔式单光子源，该光子源包括：衬底，与衬底牢固结合的微腔膜系，嵌埋在微腔中的量子点，其特征在于：在微腔膜系上，靠近微腔四周刻有呈三角格子周期性分布的圆柱形空气柱，空气柱的深度为膜系的厚度。本发明的优点在于：由于采用准三维光子晶体结构的设计使光学微腔在各个方向上都有很好的限制能力，从原理上克服了传统结构在垂直方向上漏光的缺陷，而且可以方便地从多个嵌埋量子点中优选出单个量子点发光，形成光学微腔式的单光子源。
-
公开(公告)号：CN1327580C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200510025274.7
申请日：2005-04-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01S5/00
Abstract: 本发明公开了一种激发光源和量子点发光光源集成的、灵巧的、便携式微型单光子光源。激发光源为激光二极管，发光光源为量子点嵌埋的三维光学微腔。以激光二极管的芯片作为衬底，在衬底上依次排列量子点嵌埋的三维光学微腔和滤光片。三维光学微腔是由微腔膜系和膜系四周刻蚀呈三角格子周期性分布的圆柱形空气柱构成的。这种结构的优点是：在微腔膜系的垂直方向上形成一维光子晶体，同时微腔膜系又与空气柱形成二维光子晶体，整个结构构成一个三维光子晶体微腔，当嵌埋在微腔中的量子点被激光二极管激发时，由于三维光学微腔的选模作用，可以获得性能优良的单光子输出，形成单光子源。
-
公开(公告)号：CN1874016A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610028490.1
申请日：2006-06-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
Abstract: 本发明的氮化镓基圆盘式单色光源列阵包括：衬底，在衬底上置有与衬底牢固结合的光子晶体微腔和波导结构。光子晶体微腔和波导结构是由在背景介质材料上通过刻蚀的方法形成一系列周期性排列并含有特定缺陷的圆柱形空气柱构成的。背景介质材料由依次排列生长的n－GaN下电极层、InGaN/GaN量子阱结构或AlGaN/InGaN异质结结构的发光层和p－GaN上电极层组成。氮化镓作为光源发出宽度为几十纳米的某个波段的光，而含有不同线缺陷的光子晶体波导则可以近乎无损地把这个波段内的单色光分别耦合到圆盘四周，形成圆盘式的单色光源列阵。利用这种结构可以近乎无损地从微腔中耦合出单色性很好的单色光，甚至可以实现直角拐弯，形成一种结构紧凑的单色光源列阵。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1284012C
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200510023679.7
申请日：2005-01-28
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种可以在保持正入射情况下各种优良性能的同时，还可以抑制掉很宽入射角范围内由带通峰位随入射角偏移而引起的弥散光透过的窄带滤光片。该窄带滤光片采用光子晶体异质结构的膜系设计，其结构为α[(LH)mxL(HL)m]β[(HL)nyH(LH)n]，它是利用不同缺陷光子晶体结构的带通峰位随入射角变化的偏移程度不同，使得斜入射的光不能同时透过整个光子晶体异质结构传播出去，从而达到抑制各种斜入射弥散光的目的，同时仍然保持正入射情况下滤光片的各种优良性能，并改善其带通矩形度，这样可以大大提高窄带滤光片的性能。
-
公开(公告)号：CN1773729A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200510029982.8
申请日：2005-09-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101
Abstract: 本发明公开了一种自放大红外探测器，它由InGaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器以及AlAs\GaAs\AlAs共振隧穿二极管与InAs量子点组成的探测信号的自放大部分组成。本发明的优点是：巧妙地采用了量子点的量子限制效应和共振隧穿二极管电子的隧道效应，将二者有效结合作为红外量子阱探测器的自放大单元，并且与红外量子阱探测器可以集成在同一芯片上，是一种放大与探测已经完全集成的体系。
-
公开(公告)号：CN1731222A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200510029083.8
申请日：2005-08-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种同时具有低的表观透射率、反射率和发射率的表面涂层，该涂层为含有谐振腔的高反多层膜结构，其膜系为：(LH)mxL(HL)m，L为低折射率膜层，H为高折射率膜层，每一膜层的厚度是随机涨落的层厚，m为L与H的交替叠层次数，m≥3，xL为谐振腔层，x为腔厚系数。在谐振腔层的中间有一层通过匀胶或喷涂方法形成的稀疏金属纳米小球强吸收散射体。本发明的优点在于：采用特殊的非均匀结构设计，使得该结构同时具有低的表观透射率T、反射率R和发射率ε，是性能非常好的表面涂层，可以满足抑制背景杂散光、而且自身发射率ε又低的表面涂层的应用需求，而其制备方法与传统光学薄膜的制备方法完全兼容，没有特殊要求。
-
公开(公告)号：CN1696670A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510026720.6
申请日：2005-06-14
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种GaN基紫外－红外双色集成探测器，它由在蓝宝石衬底上依次排列生长的n+－GaN电极层、GaN基多量子阱、AlxGa1－xN紫外吸收层、叉指电极组成。其中利用了MSM结构紫外探测器的叉指电极作为红外量子阱探测器的一维光栅，实现了外加偏压控制的可选择双色探测。本发明的双色探测器较之于传统的红外双色探测器有更大的光谱波段跨度，可以获得目标的特征波段图像，目标信息更加丰富准确。
-
公开(公告)号：CN1616948A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410084794.0
申请日：2004-12-01
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于光学材料微弱吸收测量的设备及方法，该发明是基于F－P干涉原理进行设计的，即在两片完全相同的窄带通高反膜系之间夹一真空层或空气层作为谐振腔，构成一个品质因子非常高的超窄带通滤光片，利用带通位置处的透过率对谐振腔的吸收特别敏感的特性，只要将待测样品放在谐振腔内，谐振腔内会有微弱吸收，就会引起透过率发生明显的变化，通过透过率的变化及利用商用的膜系设计与计算软件Filmstar绘制的峰值透过率差值(ΔT)随消光系数(κ)变化的标准曲线，就可以推算出待测光学材料的消光系数，进而得出其吸收系数。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
111
records
(took 0.054 seconds)
