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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101907576B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201010198891.8
申请日：2010-06-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种检测碲锌镉材料缺陷空间延伸特性的方法。其方法是：使用红外透射显微镜，以碲锌镉材料中的沉淀物为定位标记，测定碲锌镉材料缺陷腐蚀坑在多次腐蚀后的横向移动的取向和距离，结合腐蚀深度的测量确定缺陷的空间延伸特性。本方法定位精度高，腐蚀坑横向位移的测量精度可以达到0.2微米，操作方便，仪器要求简单，解决了长久以来，跟踪观察碲锌镉材料缺陷的定位难题。这对研究碲锌镉材料缺陷的特性，进而降低碲镉汞外延材料的位错密度具有实用价值。
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公开(公告)号：CN101447414B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200810204565.6
申请日：2008-12-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种耐真空及高压有气体保护的可移动密封装置，其特征是：装置与密封腔体的结合部位由O型圈密封，上下移动由连接移动机械部分的精抛光的不锈钢旋转升降轴完成，不锈钢旋转升降轴与外壁之间采用两组Y型密封圈进行密封，每组Y型圈可以独立完成对高压和真空的保持，当下方有高压存在时，由于压力的作用会使两组Y型圈中的朝下的一个向外扩张，从而紧贴外套和提拉杆的表面，压力越大，密封圈的接触面积就越大，结合的越紧密阻止气体流出。真空时则相反，两组密封圈中的上边的一只则起到密封作用。若气体有微漏时，有毒有害气体会随保护气体流入尾气，防止污染环境。
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公开(公告)号：CN101481823A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200810204569.4
申请日：2008-12-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞材料富汞制备技术所需的高压保护性气体控制方法，其特征是：热处理系统内的气体压力由进气压力控制器，同时在系统的出气气路中在接入一个出气压力控制器，并跟着接入一个气体质量流量计，这样，当系统的气体压力小于设定值时，进气压力控制器自动给系统增压，直至平衡，而当系统加热或温度波动导致系统内压力超过设定值时，进气压力控制器自动关闭，气体将通过出气压力控制器和质量流量计排出，压力随之下降。该控制方法的优点是，既保持了半导体材料热处理所需要的气体流动性，同时又能保持了系统压力的稳定性和安全性，满足了碲镉汞材料富汞制备技术对保护性气体控制的技术要求。
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公开(公告)号：CN101445876A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810204564.1
申请日：2008-12-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C22B43/00
Abstract: 本发明公开了一种汞提纯装置中高纯汞的取出装置及方法，其特征是：在负压的作用下将提纯后的汞，经不与第三者接触的接头，吸至取汞器皿中。该取汞装置的优点是，整个过程中，被提取的汞仅与高纯的石英管道和器皿相接触，提纯装置和被取汞的器皿均处在氮气保护状态下，避免了提纯系统和提纯后的汞在此过程中受到污染，操作也十分方便和安全。
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公开(公告)号：CN101481823B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN200810204569.4
申请日：2008-12-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞材料富汞制备技术所需的高压保护性气体控制系统，其特征是：热处理系统内的气体压力由进气压力控制器，同时在系统的出气气路中在接入一个出气压力控制器，并跟着接入一个气体质量流量计，这样，当系统的气体压力小于设定值时，进气压力控制器自动给系统增压，直至平衡，而当系统加热或温度波动导致系统内压力超过设定值时，进气压力控制器自动关闭，气体将通过出气压力控制器和质量流量计排出，压力随之下降。该控制方法的优点是，既保持了半导体材料热处理所需要的气体流动性，同时又能保持了系统压力的稳定性和安全性，满足了碲镉汞材料富汞制备技术对保护性气体控制的技术要求。
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