公开(公告)号：CN102110673A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN201010523659.7

申请日：2010-10-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 汤佳杰 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  袁媛

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/50 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/19 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/3025

Abstract: 本发明涉及一种光敏BCB为介质层的圆片级MMCM封装结构及方法，其特征在于：1)在硅基板上制作出带有埋置腔体和金属地屏蔽层；2)使用光敏BCB作为介质层，利用光刻显影工艺在BCB形成互连通孔结构；3)金属层和介质层交替出现形成多层互连封装结构。所述的方法是在硅基板上腐蚀或刻蚀出埋置用腔体，溅射金属种子层并电镀形成GND，埋入MMIC芯片，使用导电胶粘结芯片与基板，涂敷光敏BCB并光刻显影出互连通孔图形，固化等工艺步骤，实现多层MMCM封装。所述的介质层厚度为20-35μm。在多层互连结构中还可集成电容、电阻、电感、功分器和天线无源器件，或者通过表面贴装工艺集成分立元器件，实现模块的功能化。

公开(公告)号：CN102064120A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010515444.0

申请日：2010-10-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 黄秋平 ,  罗乐 ,  徐高尉 ,  袁媛

IPC: H01L21/60 ,  C25D5/10 ,  C25D3/54 ,  C25D3/46

CPC classification number: H01L24/11 ,  C25D3/46 ,  C25D3/54 ,  C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  C25D5/50 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03849 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11502 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种基于铟凸点的无助焊剂回流的工艺方法，其特征在于包括基板金属化、钝化层开口、凸点下金属化层增厚、电镀铟凸点、电镀银层包覆铟凸点、凸点回流。采用本发明提供的工艺可实现铟凸点阵列的无助焊回流，该工艺可应用于某些特殊的光电芯片，MEMS芯片和生物检测芯片中的倒装互连中。

公开(公告)号：CN102097672B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201010522672.0

申请日：2010-10-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 汤佳杰 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  袁媛

IPC: H01P11/00 ,  H01L21/768 ,  H01P3/06

Abstract: 本发明涉及一种用于微波频段穿硅同轴线的制作方法，其特征在于在硅片(1)的A面氧化层上光刻出同轴线图形，使用深反应离子体刻蚀工艺刻蚀出同轴线通孔，同轴线通孔的深度小于硅片的厚度；在硅片(2)的A面上溅射种子层，再覆盖一层光敏BCB，经过光刻得到同轴线的电镀图形，然后使用BCB键合工艺将硅片(1)和(2)的A面对准并低温键合；使用化学机械抛光工艺将硅片(1)的B面研磨至露出通孔，电镀同轴线；最后将硅片(2)从B面磨掉，去除种子层金属。本发明采用光刻等与微电子工艺相兼容的圆片级工艺，保证了传输线的精度，能实现大批量制造。该穿硅同轴传输线降低了高密度三维封装中信号在通过硅片时微波性能受到的影响，避免了穿硅传输线损耗过大。

公开(公告)号：CN101834159B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201010156047.9

申请日：2010-04-23

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈骁 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  袁媛

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种采用BCB辅助键合以实现穿硅通孔封装的制作工艺，其特征在于本发明利用有机物BCB低温键合的支撑晶圆辅助下将晶圆减薄后制作TSV封装(Through Silicon Via，穿硅通孔)的方法，所述的TSV封装的制作工艺步骤是：在裸支撑晶圆上溅射金属层，再涂覆一层BCB后进行光刻；TSV晶圆正面DRIE刻蚀出TSV阵列；支撑晶圆带有BCB的一面与TSV晶圆正面经对准后在键合机中进行BCB低温键合；将TSV晶圆减薄后制作TSV后续工艺。本发明提供的TSV封装制作工艺具有较高的可靠性，采用的设备和工艺均为半导体加工的常规工艺和设备。

公开(公告)号：CN102064120B

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201010515444.0

申请日：2010-10-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 黄秋平 ,  罗乐 ,  徐高尉 ,  袁媛

IPC: H01L21/60 ,  C25D5/10 ,  C25D3/54 ,  C25D3/46

CPC classification number: H01L24/11 ,  C25D3/46 ,  C25D3/54 ,  C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  C25D5/50 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03849 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11502 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种基于铟凸点的无助焊剂回流的工艺方法，其特征在于包括基板金属化、钝化层开口、凸点下金属化层增厚、电镀铟凸点、电镀银层包覆铟凸点、凸点回流。采用本发明提供的工艺可实现铟凸点阵列的无助焊回流，该工艺可应用于某些特殊的光电芯片，MEMS芯片和生物检测芯片中的倒装互连中。

公开(公告)号：CN101996906A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010275967.2

申请日：2010-09-08

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 曹毓涵 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  袁媛

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/81

Abstract: 本发明涉及一种凹槽中焊接实现焊料倒扣焊的工艺方法，其特征在于：(a)使用普通硅片作为倒扣焊基板，在基板上采用TMAH湿法腐蚀形成斜槽；(b)采用全加法工艺，在斜槽内制作铜焊盘；不必制备阻焊层；(c)采用倒扣焊机实现锡凸点与斜槽中焊盘之间的对准，凸点插入斜槽内并和焊盘进行焊接。本发明提供的工艺最终可以实现焊盘间距74μm/焊盘宽度50μm的焊盘结构，优于目前的“减法工艺”和“半加法工艺”得到的焊盘面积与焊盘间间距的关系参数。而且该倒扣焊工艺不需要制作阻焊层结构，利用腐蚀槽的阻挡作用凹槽可限制焊料的流动，防止回流过程中焊料的流动造成相邻焊盘之间的短接。

公开(公告)号：CN101840856A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN201010156028.6

申请日：2010-04-23

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈骁 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  袁媛

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及封装制作晶圆TSV过程中所采用的腐蚀槽和工艺方法，其特征在于所述的腐蚀槽壁具有垂直的特征，腐蚀槽表面积为经光刻后涂覆的BCB的表面积的1.2-1.3倍，腐蚀槽的垂直槽壁的深度略小于涂覆的BCB厚度，BCB是涂覆在裸支撑晶圆上。涂覆的所述的腐蚀槽的制作材料是TSV晶圆。所述的TSV封装制作工艺步骤是：在裸支撑晶圆上溅射金属层，再涂覆一层BCB后进行光刻；TSV晶圆正面首先DRIE刻蚀出腐蚀槽，腐蚀槽位置与支撑晶圆上光刻后的BCB位置相对应，然后DRIE刻蚀TSV阵列；支撑晶圆带有BCB的一面与TSV晶圆的正面经对准后在键合机中键合，熔融BCB在延展过程中被腐蚀槽阻挡，该结构起到控制BCB的键合尺寸的作用。