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公开(公告)号：CN119742648A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411819403.9
申请日：2024-12-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所
Abstract: 本发明涉及光电子应用技术领域，具体涉及一种精密移频的高功率双频合路光纤激光放大系统及移频方法，针对现有传统光纤激光移频系统输出波形单一、频率调控范围有限、输出能量较低的问题，高功率双频合路光纤激光放大系统通过利用激光脉冲平衡分束、声光移频器串并联、激光脉冲精准合束技术可输出一个时间波形任意可调、具有一定能量的激光脉冲对，两个激光脉冲可分别进行移频，使两个脉冲之间的频率差在较宽范围内精确可调谐，该技术在光谱分析、激光频率稳定、非线性光学及光纤通信领域中具有重要的应用。
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公开(公告)号：CN119710621A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411885009.5
申请日：2024-12-19
Applicant: 桂林电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第三十四研究所
IPC: C23C16/40 , C23C16/448
Abstract: 本申请提供一种基于雾化学气相沉积制备镓铟氧化物薄膜的方法，该方法包括配置含有镓离子和铟离子的前驱体溶液，并取适量前驱体溶液放入超声雾化罐中；将一衬底放入管式炉的生长腔中，启动管式炉升温至预设温度，同时向生长腔中通入氮气；待管式炉升温至预设温度后启动超声雾化罐以对前驱体溶液进行雾化，雾化气体从管式炉的进气端进入生长腔，同时向生长腔内通入氮气和氧气的混合气体，生长腔内开始进行气相沉积反应；气相沉积反应一定时间后，管式炉降至室温，衬底上生长得到镓铟氧化物薄膜，化学式为(Ga1‑xInx)2O3，其中，0.1≤x≤0.5。该方法具有工艺步骤简单、薄膜结晶质量高、可见光透过率好、制备成本低等优点。
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公开(公告)号：CN119542901A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411542996.9
申请日：2024-10-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所
Abstract: 本发明涉及能量光电子应用技术领域，具体涉及一种高对比度的激光脉冲时域精密合束装置及其实现方法，包括单纵模光纤激光器、1×2分束器、任意波形发生器、幅度调制器、可调光衰减器、可调光纤延迟线和2×1合束器，该精密合束装置通过综合对任意波形发生器、可调光衰减器和可调光纤延迟线进行调节，从而可最终获得具有较高对比度和较高稳定性的多台阶型激光脉冲，解决了现有的任意波形发生器生成的激光脉冲在脉冲能量较低时，脉冲稳定性较差、激光脉冲时域合束装置中激光脉冲的光纤光延迟量和脉冲能量难以进行精密调控，或者其他合束方法会对合束后的激光束质量产生影响的技术问题。
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公开(公告)号：CN119776773A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411877105.5
申请日：2024-12-18
Applicant: 桂林电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第三十四研究所
Abstract: 本申请提供一种镓铟氧化物薄膜及其制备方法，该镓铟氧化物薄膜通过脉冲激光沉积法基于一衬底制备并包括主外延层和缓冲层，缓冲层连接在衬底与主外延层之间，且主外延层和缓冲层的化学式均为(Ga1‑xInx)2O3，其中，0.1≤x≤0.5。该制备方法包括：提供一衬底；通过脉冲激光沉积法在衬底上沉积一层镓铟氧化物的缓冲层，得到中间产物；通过脉冲激光沉积法在缓冲层上再沉积一层镓铟氧化物的主外延层，制得镓铟氧化物薄膜。本申请通过在主外延层制备之前先制备一层薄的缓冲层，可提升薄膜的结晶质量，改善薄膜缺陷密度高等问题，减少镓铟氧化物薄膜缺陷，从而获得高质量的镓铟氧化物薄膜。
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公开(公告)号：CN119472090A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411704435.4
申请日：2024-11-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种内嵌式微结构电极薄膜铌酸锂调制器，包括光学结构和电学结构，光学结构从下至上依次包括衬底层、下盖层、薄膜铌酸锂层和上盖层；薄膜铌酸锂层上形成有脊波导，脊波导的两侧开设有内嵌槽；电学结构为基于地电极‑信号电极‑地电极组成的微结构行波电极，地电极包括主电极和阵列排布在主电极内侧、且与主电极连接的T电极，信号电极包括主电极和阵列排布在主电极两侧、且与主电极连接的T电极；T电极包括横段和与其垂直连接的竖段；微结构行波电极设置在薄膜铌酸锂层和上盖层之间，并且T电极的横段嵌入内嵌槽中。本发明解决了薄膜铌酸锂调制器中微结构电极间距近则产生较大波导损耗的问题；并且提高了其调制效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119165678A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202410966808.9
申请日：2024-07-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所
Abstract: 本发明涉及电光调制器技术领域，具体涉及L型行波电极结构的薄膜铌酸锂电光调制器及设计方法，利用HFSS对电光调制器的结构参数进行扫描，得到电极微波速度、微波损耗和S参数；利用HFSS对最终优化的电光调制器进行有限元法计算，得到电光调制器的群速度、微波损耗、射频S参数和电光响应。本发明设计的电光调制器可以有效降低波导损耗，通过设计的行波电极结构具有较小的回波损耗及较大的增益，电光调制器在1cm调制长度下表现出远大于60Ghz的电光带宽对电光调制器，从而解决了现有的电光调制器吸收损耗较大和调制效率较低的问题。
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公开(公告)号：CN118281691A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410257486.0
申请日：2024-03-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 中国电子科技集团公司第三十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于光‑光谐振和失谐加载的光栅薄膜直调激光器，涉及半导体激光器技术领域。其包括从上至下层叠设置的欧姆接触层、表面光栅层、上盖层、有源区、薄粘附层以及高导热低折射率衬底；上盖层位于所述表面光栅层下方，用来控制所述表面光栅层与激光器工作模式作用的大小，从而控制激光器输出的大小；有源区位于所述上盖层下方，用来给激光器提供增益；高导热低折射率衬底用于对光场提供进一步的光场限制，同时增加激光器散热。本发明具有高带宽、灵活性高、易于散热、单模特性好，输出功率高的优点。
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公开(公告)号：CN110048782B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201910400512.X
申请日：2019-05-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所
Abstract: 本发明公开一种强度调制直接检测链路中的偶次谐波抑制系统，由激光源、第一光电二极管、第二光电二极管、外调制器、第一光耦合器、第二光耦合器、光电探测器和偏压控制电路板组成。偏压控制电路板将第一光电二极管送入的外调制器的输入监测信号和第二光电二极管送入的光电探测器的输入监测信号进行差值积分运算处理，并将结果用于控制外调制器的偏置电压，从而调节外调制器的偏置点，使偏置点在正交点附近变化，使得外调制器的偶次谐波和光电探测器的偶次谐波的输出幅度匹配，相位相差180°，从而实现外调制器的偶次谐波失真和光电探测器的偶次谐波失真相互抵消。
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公开(公告)号：CN117608108A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311604324.1
申请日：2023-11-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所 , 广西师范大学
Abstract: 本发明涉及电光调制器技术领域，具体涉及一种双电容负载式行波电极铌酸锂电光调制器及设计方法，包括衬底、缓冲层、光波导、金属电极和隔离层，在光波导与电极之间加入一个SiO2隔离层，金属电极做一个完全下沉处理，薄膜可以通过多种工艺制备，如离子注入、晶圆键合和热切片，金属电极为双电容负载结构，该电极可有效降低电损耗，获得高带宽，在光电效率上，双电容电极同时在上下两个部分作用，有效的增大调制效率，金属电极沿光波导的Y轴排列，该光调制器在1cm调制长度下实现了近1.53V的半波电压和0.32dB/cm的电光损耗，同时表现出远大于60Ghz的电光带宽对电光调制器的设计具有重要的指导意义。
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公开(公告)号：CN115764514A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211375896.2
申请日：2022-11-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明涉及光电技术领域，具体涉及一种小型化高稳定低相噪光电振荡器，信号激光器输出光信号，光信号进入电光调制器经过调制后输出，输出的光信号由偏振分束器分成偏振态正交的两路光信号，两路光信号分别进入具有高Q值的可调谐振微腔，经过微腔振荡后的信号由偏振合路器合成一路信号并进入光电探测器，经过光电变换后输出由多个频率分量构成的微波信号，微波信号进入滤波器后得到10GHz的单频信号，1A路进入低噪声放大器放大后再由第二功分器分为两路，一路作为信号输出，一路作为振荡信号注入电光调制器，B路信号进入频率锁定模块，与参考频率做对比步完成锁相过程，解决现有的光电振荡器结构较大导致稳定性降低的问题。
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