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公开(公告)号：CN116404998A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310228407.9
申请日：2023-03-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明提供一种用于连续性宽温的射频链路增益自动补偿方法及装置，涉及射频集成电路技术领域。本发明首先输出一个随温度正斜率变化的第一电压和一个随温度负斜率变化的第二电压；然后控制第一电压和第二电压切换形成第一控制电压，同时同步切换第二电压和第一电压形成第二控制电压；最后基于述第一控制电压和第二控制电压实现射频链路宽温增益自动补偿。本发明在无需增加基于移相器的射频链路的额外硬件的基础上，即可在连续变化的温度值上精细化实现的该射频链路的增益补偿。
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公开(公告)号：CN116248100A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310047214.3
申请日：2023-01-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: H03K17/687 , H03F1/02 , H03F1/26 , H03F3/20
Abstract: 本发明提供一种融合Doherty功放的一体化射频收发开关结构及射频前端，涉及射频收发前端技术领域。一体化射频收发开关结构包括两路Doherty功率放大器的初级线圈、单路低噪声放大器的次级线圈、公共线圈和MOS管，其中，所述公共线圈的差分输出端口一端连接外部天线端，所述两路Doherty功率放大器的初级线圈与所述公共线圈形成耦合；所述单路低噪声放大器的次级线圈与公共端线圈形成耦合；当MOS管处于导通状态，低噪声放大器的次级线圈被短接并与公共线圈失配；当MOS管处于关断状态，低噪声放大器的次级线圈与公共线圈处于匹配状态。本发明实现了基于变压器合成的两路Doherty功放和单路共源低噪声放大器的匹配结构与开关的一体化设计，有效降低射频开关结构的插损。
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公开(公告)号：CN116248049A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310047322.0
申请日：2023-01-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明提供一种噪声相消的混频器电路、混频器及射频前端，涉及混频器技术领域。本发明的噪声相消的混频器电路包括：输入级、开关级、电流注入级和负载级，其中，所述输入级包括输入互感器、第一放大单元和第二放大单元，所述输入互感器包括第一电感单元和第二电感单元，所述第一电感单元和第二电感单元均至少包括一个电感。本发明的混频器电路的通过输入级中的输入互感器，产生与射频端口侧的噪声电流同样的互感噪声电流，再通过轴对称的开关级、电流注入级和负载级，使得两路差分输出信号的噪声可以相互抵消，从而降低电路的噪声系数。
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公开(公告)号：CN115566008A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211199722.5
申请日：2022-09-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: H01L23/66 , H01L23/552 , H01L23/29 , H01Q1/22 , H01Q1/50
Abstract: 本发明提供一种带状线过渡的毫米波芯片封装结构，涉及毫米波芯片封装技术领域。该毫米波芯片封装结构包括：毫米波芯片，天线贴片和水平悬置带状线过渡结构，所述天线贴片贴在金属屏蔽层上，所述毫米波芯片嵌入所述水平悬置带状线过渡结构，芯片的输出端口通过焊盘焊球结构连接到带状线的一端，并通过缝隙耦合效应与贴片天线互连。本发明实施例将芯片嵌入到水平悬置带状线过渡结构的上层中，不同于大部分的芯片倒装焊结构，需要垂直同轴过渡结构和水平带状线过渡，本发明实施例能够仅利用水平过渡结构实现芯片端口到天线馈电端口的互连，避免引入垂直过渡结构，降低封装结构复杂度，减少高频寄生效应，有效降低高频损耗。
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公开(公告)号：CN110380689B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201910652470.9
申请日：2019-07-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: H03D7/14
Abstract: 本发明公开一种侧边耦合蜿蜒结构的硅基片上无源巴伦包括初级导线和次级导线，所述初级导线和所述次级导线均设置于同一金属层上，所述初级导线和所述次级导线均以中心线为对称轴分成间隔布置的左右两个部分。所述初级导线的左右两个部分和所述次级导线的左右两个部分均为平面U型连续的折弯蜿蜒结构，所述初级导线和所述次级导线均设有两个内端口和两个外端口；本发明采用侧边耦合和蜿蜒型结构，使整体结构具有较好的差分平衡性的同时，减小了片上电路面积，电路结构简单，面积紧凑。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113013567A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110127056.3
申请日：2021-01-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明涉及毫米波芯片封装技术领域，具体涉及一种基于SIW多馈网络的芯片‑封装‑天线一体化结构。将芯片的多个输出端通过阻抗匹配网络连接到SIW多馈网络，可实现芯片与SIW多馈网络之间的阻抗匹配，SIW多馈网络的输出端直接连接天线端，将两个以上的输入信号在基片集成波导中进行功率的合成，再由天线将多路合成的毫米波信号辐射出去，最终在芯片‑封装‑天线一体化结构上实现功率合成。同时，SIW多馈网络由SIW结构构成，其中多个过孔进行等间距的排列，以形成腔体结构，以保证SIW结构近似等效于波导结构，从而相比于传统的平面功分器具有较高的品质因数和较大的功率容量，提高了系统的EIRP。
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公开(公告)号：CN112953403A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110218903.7
申请日：2021-02-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于CMOS工艺的毫米波功率放大器及功率控制方法，属于射频集成电路技术领域，包括第一放大单元、第二放大单元、第三放大单元、第四放大单元、第五放大单元，功率分配网络、功率合成网络、偏置开关控制单元。本发明通过控制单级放大单元特定MOS管工作或者不工作来调节输出功率，具体到某个MOS管来说，只有工作与不工作两种状态，通过提高多个可控通断的晶体管的数量，实现多档位可调；在最高输出功率档位时，功率放大器工作的晶体管全部工作，此时工作电流最大，输出功率降低，功率放大器工作的晶体管数目随之减少，功耗也随之降低；相比于基于衰减器的功率控制方式，低输出功率工作时功耗更低，效率更高。
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公开(公告)号：CN112437535A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011204895.2
申请日：2020-11-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有高稳定性的射频前端，属于射频前端技术领域，包括多层电路板、芯片、垂直过渡结构、介质围框，实现了射频前端在高频高集成要求下的高稳定工作。所述多层电路板，为含有射频传输线层、控制线层、电源网络层以及隔离地层的多层介质板，与芯片通过焊球及散热衬底互连，实现电气与热传输；芯片为功率放大器、LNA、射频开关、幅相控制芯片、功分器芯片等；垂直过渡结构为与带状传输线连接的垂直金属连接孔，介质围框与多层电路板的介质材料相同，四周有垂直金属接地孔，制备在芯片腔的外围，形成一定高度的隔离边界。本发明有效地提高了射频前端模块以及应用系统的性能与工作稳定性。
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公开(公告)号：CN114244296B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202111338640.X
申请日：2021-11-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: H03G3/30
Abstract: 本发明提供一种阻抗恒定的毫米波增益控制电路，涉及毫米波相控阵技术领域。本发明阻抗恒定的毫米波增益控制电路，包括幅度控制核心、输入匹配电路和输出匹配电路；幅度控制核心包括输入端、输出端、若干晶体管和若干控制端，输入端与输入匹配电路连接，幅度控制核心的输出端与输出匹配电路连接，幅度控制核心的若干控制端用于控制幅度控制核心中的若干晶体管的工作状态，使得改变幅度控制核心的跨导时，保持信号通路上晶体管数量及状态不变。实现增益的控制和幅度控制核心在不同增益状态下输入、输出阻抗保持一致。从而保证在高增益、高增益控制范围的基础上，实现了输入和输出阻抗不随增益状态变化，确保了结构的高精度幅度控制和低寄生相移。
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公开(公告)号：CN113871900B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202111135903.7
申请日：2021-09-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 一种高角度分辨率的二维MIMO阵列天线及其组阵方法属于多输入多输出阵列天线技术领域，解决如何在射频信号处理芯片与天线单元物理尺寸相差较大的情况下设计一种高角度分辨率的二维MIMO阵列天线的问题，本发明的技术方案实现了接收天线阵列、发射天线阵列、接收天线微带传输线、发射天线微带传输线、射频信号处理芯片在单层印刷电路基板的同一表面上集成设计，并且等效虚拟阵列无重叠的虚拟阵元，实现了阵元通道数的最大化使用，节约了通道资源具有很高的系统效率。
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