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公开(公告)号：CN119438857A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411476771.8
申请日：2024-10-22
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种寿命预测方法、装置和计算机设备，该方法包括在预设测试条件下对集成电流进行测试，获取集成电路中多个目标器件在测试过程中的电应力参数，然后根据测试条件的条件参数和各目标器件的电应力参数，分别确定各目标器件的退化参数，以从多个目标器件中确定出该集成电路的薄弱器件，最后即可基于短板效应，根据薄弱器件的寿命确定集成电路的寿命。薄弱器件为集成电路中最易损坏的器件，因此薄弱器件的寿命能够真实有效地反映出集成电路的实际寿命，本申请基于集成电路运行过程中的各目标器件的实际运行参数找到集成电路的薄弱器件，根据薄弱器件的寿命确定集成电路的寿命，能够对集成电路的寿命进行准确预测。
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公开(公告)号：CN114720165B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202210197053.1
申请日：2022-03-01
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本公开涉及一种光纤水听器封装检测方法、装置、系统、计算机设备，所述方法包括：确定光纤水听器的第一待测样本处于第一检测环境中的第一试验时间；实时监测所述第一待测样本的第一光路数据，根据所述第一光路数据获取所述第一待测样本在所述第一试验时间内的第一光路损耗数据；确定所述第一待测样本中所述第一光路损耗数据小于第一阈值的第二待测样本；实时监测所述第二待测样本处于第二检测环境的第二光路数据，根据所述第二光路数据获取所述第二待测样本在第二试验时间内的第二光路损耗数据；将所述第二待测样本中所述第二光路损耗数据小于第二阈值的第二待测样本记录为合格样本。本公开可以准确评价长期海水环境下光纤水听器封装退化情况。
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公开(公告)号：CN118818248A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410897142.6
申请日：2024-07-05
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请提供一种肖特基二极管陷阱电荷密度测量方法，包括：获取肖特基二极管陷阱电荷量；获取欧姆接触结构的横截面面积；基于陷阱电荷量和横截面面积得到肖特基二极管陷阱电荷密度。本申请的陷阱电荷密度测量方法中，可以直接表征对肖特基二极管器件性能影响最大的界面或者表面处的陷阱电荷密度，作为判断肖特基二极管器件退化趋势的关键参数，当用于肖特基二极管寿命分布测试方法时，可以使得肖特基二极管寿命的评估结果波动小，检测准确率高。
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公开(公告)号：CN118275846A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410419724.3
申请日：2024-04-09
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明公开了一种通过加速寿命试验进行退化评价的方法，涉及半导体技术领域。通过开展在特定温度、湿度、电场强度下的加速试验，叠加可控的腐蚀性气体，可以开展在高湿、高腐蚀性应用场景下的可靠性评价及寿命预测，是一种能够更好地评估功率半导体分立器件及其模块的封装、钝化层及终端的稳健性的加速试验方法。在试验指定时间节点或试验结束后，能检测待测件的电学敏感参数，并根据电学敏感参数的变化情况，分析界面处腐蚀性离子的吸附剖面，实现对其封装、钝化层及终端结构的退化进行全面评估，有利于明确在高温、高湿、高电场强度及腐蚀性气体环境下的退化原因，为后续产品改进提供指导。
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公开(公告)号：CN116166511A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211553303.7
申请日：2022-12-06
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F11/34 , G06F30/20 , G06F119/02 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本申请涉及一种电连接器工作寿命的评估方法、装置、设备和存储介质。所述方法包括：获取电连接器的第一信息和第二信息，所述第一信息包括电连接器的属性信息，所述第二信息包括当前工作电压、温度和工作振动应力的功率谱密度有效值；根据所述第一信息和预估寿命模型确定所述电连接器的预估寿命；根据所述第二信息和综合物理模型确定修正系数；根据所述修正系数对所述预估寿命进行修正处理，得到所述电连接器的工作寿命。采用本方法能够提高电连接器寿命评估准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116164935A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211680976.9
申请日：2022-12-27
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及一种大功率半导体激光器合束模块的寿命评估方法及评估系统，包括：提供待测大功率半导体激光器合束模块；获取待测大功率半导体激光器子模块在温度应力加速寿命试验条件下的加速因子；基于待测大功率半导体激光器子模块的寿命指标和加速因子，得到加速验证时间；基于加速验证时间对多个待测大功率半导体激光器子模块进行温度应力加速寿命试验；判断在加速验证时间内是否存在待测大功率半导体激光器子模块发生失效；若否，则确定待测大功率半导体激光器子模块的寿命符合寿命指标；若是，则确定待测大功率半导体激光器子模块的寿命不符合寿命指标；进而，在短时间内准确评估合束模块是否符合寿命指标，提高评估效率，降低评估成本。
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公开(公告)号：CN114896750A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210419899.5
申请日：2022-04-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/20
Abstract: 本申请涉及一种光电探测器寿命评估方法、装置。通过确定光电探测器的击穿电压以及位于光电探测器的工作电压与击穿电压之间的多个第一测试电压，在多个第一测试电压一一对应的多个光电探测器组中各光电探测器满足预设环境条件下，对各光电探测器施加对应的第一测试电压，按照预设的时间间隔，获取各光电探测器的暗信号值，进一步根据暗信号值以及预设失效暗信号值，确定各光电探测器的有效使用时长，从而根据有效使用时长以及多个第一测试电压，确定寿命评估模型，实现对待评估光电探测器的寿命评估。由于光电探测器在失效机理方面对电场更加敏感，可以加快光电探测器的失效退化，确定寿命评估模型，从而实现对光电探测器寿命的快速评估。
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公开(公告)号：CN111707348B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202010588188.1
申请日：2020-06-24
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01H9/00
Abstract: 本申请涉及一种光纤水听器寿命评价方法。所述方法包括：判断是否存在封装交界面；如果不存在封装交界面，则根据产品退化模型评估实际温度应力下的待测产品寿命；如果存在封装交界面，则根据产品退化模型、界面退化模型以及竞争失效原理，评估实际温度应力下的待测产品寿命。本申请综合考虑了器件自身退化与封装界面退化对产品寿命的影响，建立了更加贴近产品实际应用工况的寿命评价方法，从而有效提高了评估准确性。
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公开(公告)号：CN109000680B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201810549366.2
申请日：2018-05-31
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01C25/00
Abstract: 本发明涉及一种陀螺仪加速度敏感误差系数获取方法，包括如下步骤：获取陀螺仪在设定角速度先后正向或反向旋转的速率转台上第一位置处的第一输出量和第二输出量；获取陀螺仪在设定角速度先后正向或反向旋转的速率转台上第二位置处的第三输出量和第四输出量；根据陀螺仪的标度因数、设定角速度、第一位置对应的第一加速度、第二位置对应的第二加速度、第一输出量、第二输出量、第三输出量和第四输出量，通过设定算法获得所述陀螺仪零偏的加速度敏感误差系数和标度因数的加速度敏感误差系数。通过速率转台，以及获取不同加速度输入下，陀螺仪的各相应输出量，利用设定算法可以精确地测量得到陀螺仪零偏和标度因数的g敏感误差系数。
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公开(公告)号：CN111289386A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010156728.9
申请日：2020-03-09
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种圆片键合剪切强度测试装置及测试方法。其中，圆片键合剪切强度测试装置，包括载体；载体上设有阻挡台；载体用于放置待测芯片；阻挡台用于阻挡待测芯片的圆片键合底层结构的移动；圆片键合底层结构包括依次叠于当前待测键合结构层下表面的各键合结构层；其中，载体的上表面贴合圆片键合底层结构的下表面，阻挡台的壁面贴合圆片键合底层结构远离接触工具的侧面，以使测试设备通过接触工具、对当前待测键合结构层进行剪切强度测试，得到键合剪切强度。本申请适用于MEMS器件大面积圆片键合以及多层键合的剪切强度测试，能够满足MEMS圆片键合剪切强度测试需求。
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