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公开(公告)号：CN109884406B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201910242921.1
申请日：2019-03-28
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及一种高频电磁屏蔽效能测量系统、测量方法及装置，测量系统包括电磁波分析设备、微带线以及千兆赫兹横电磁波小室。千兆赫兹横电磁波小室的输入端连接电磁波分析设备的信号输出端。微带线设置在千兆赫兹横电磁波小室的输出窗内接收横电磁波。电磁波分析设备的第一输入端连接微带线的第一端，第二输入端连接微带线的第二端。电磁波分析设备用于在设置待测屏蔽材料前，根据微带线的第一端的输出信号确定千兆赫兹横电磁波小室与微带线之间的第一耦合传输系数，根据微带线的第二端的输出信号确定第二耦合传输系数；在设置待测屏蔽材料后，确定千兆赫兹横电磁波小室与微带线之间的第三耦合传输系数以及第四耦合传输系数。
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公开(公告)号：CN109623541B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201811203889.8
申请日：2018-10-16
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及一种BGA封装器件焊球去除设备及其方法，其中，BGA封装器件焊球去除设备包括处理设备、传动设备、用于研磨BGA封装器件的焊球的研磨机、用于感应BGA封装器件压力的压力传感器、以及用于固定BGA封装器件的夹具；传动设备与夹具相连；BGA封装器件的焊球面朝向研磨机；处理设备分别连接传动设备、压力传感器和研磨机；处理设备驱动传动设备带动夹具朝研磨机方向移动；压力传感器将感应到的BGA封装器件的压力传输给处理设备；处理设备在压力等于预设压力时，启动研磨机，以使研磨机对BGA封装器件的焊球进行研磨。本发明实施例能够实现BGA封装器件焊球去除，防止对BGA封装器件基板造成机械损伤，优化了BGA封装器件焊球去除效果。
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公开(公告)号：CN110186993A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910476251.X
申请日：2019-06-03
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N27/62
Abstract: 本申请涉及一种微裂纹检测方法、装置、系统以及样品制备方法。所述微裂纹检测方法包括分析待测样品的二次离子，获取待测样品内各组成成份的质谱特征峰信息以及各组成成份对应的空间分布信息；在各空间分布信息中提取与标准质谱特征峰信息相同的质谱特征峰信息对应的组成成份的空间分布信息，得到填充剂空间分布信息；标准质谱特征峰信息为填充剂内各成份的质谱特征峰信息；基于数据重构处理各填充剂空间分布信息，获取待测样品内的微裂纹的三维形貌图，能够通过二次离子分析微裂纹的空间分布得到完整的微裂纹的三维形貌图，通过三维形貌图可明确微裂纹的起源，并可准确获取微裂纹的延伸扩展路径，进而，实现准确表征微裂纹。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111952361A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010630548.X
申请日：2020-07-03
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/417 , H01L29/872 , H01L21/329 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，公开了一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件的两端具有第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极均为由欧姆接触电极和肖特基接触电极短接构成的混合电极。所述第一电极处的第一肖特基接触电极下方的耗尽区会随着所述第二电极上施加电压的增加而逐步扩展，由于扩展的耗尽区的电阻较大，会限制电流的继续增加。当所述第二电极上施加电压达到膝点电压时，所述半导体器件的输出电流趋于饱和，达到某一固定值。同样地，当所述第一电极上施加电压达到膝点电压时，所述半导体器件的输出电流也趋于饱和。因此，对所述半导体器件施加正向偏置电压或反向偏置电压，所述半导体器件均可输出恒定电流。
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公开(公告)号：CN111952356A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010669544.2
申请日：2020-07-13
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L29/417 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体公开一种HEMT器件结构及其制备方法，结构包括HEMT异质结构层和电极层，所述HEMT异质结构层中设置有第一凹槽；电极层包括设置于所述HEMT异质结构层上的栅极、漏极以及贴近设置的第一源极、第二源极，所述漏极和所述第一源极分别与所述HEMT异质结构层欧姆接触，所述第二源极与所述HEMT异质结构层肖特基接触，且所述第二源极设置于所述第一凹槽内。在漏极施加正向偏置电压时，第二源极对应位置下的二维电子气能够较快被耗尽，HEMT器件的电流可以在较低的电压下达到饱和状态，可以避免因电磁干扰造成的电压波动对器件工作特性的影响，使得器件具有较低的动态功耗。
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公开(公告)号：CN111952354A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010748761.0
申请日：2020-07-30
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，公开了一种半导体器件。包括衬底；设置在衬底上的外延层；设置在外延层远离所述衬底的一侧的势垒层；设置在势垒层远离外延层一侧相对两端的第一电极以及第二电极；第一电极包括栅极结构和浮空电极结构；栅极结构与势垒层相接触；浮空电极结构位于栅极结构与第二电极之间，并与栅极结构相接触，栅极结构还沿着浮空电极结构远离势垒层的一侧延伸至与第二电极相接触。利用第一电极中的浮空电极结构可以将所述半导体器件栅极边缘的电位钳位在较低的电位水平，以避免半导体器件的栅极边缘出现高电位，从而能够在减小器件增强绝缘修栅极结构的沟道长度以提高器件正向特性的同时，抑制了所述半导体器件的短沟道效应。
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公开(公告)号：CN109884407A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910243430.9
申请日：2019-03-28
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及一种电磁屏蔽效能测量系统及测量方法，测量系统包括电磁波分析设备、电磁波发射装置以及横电磁波室。电磁波发射装置设置在横电磁波室的输入窗中，用于向横电磁波室发送横电磁波。电磁波分析设备的第一输入端连接横电磁波室的第一输出端，电磁波分析设备的第二输入端连接横电磁波室的第二输出端,用于在设置待测屏蔽材料前，根据横电磁波室的第一输出端输出的信号和横电磁波室的第二输出端的输出信号确定电磁波发射装置与横电磁波室之间的第一耦合传输系数以及第二耦合传输系数。在设置待测屏蔽材料后，根据横电磁波室的第一输出端和第二输出端输出的信号确定电磁波发射装置与恒电磁波室之间的第三耦合传输系数和第四耦合传输系数。
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公开(公告)号：CN109623541A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811203889.8
申请日：2018-10-16
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及一种BGA封装器件焊球去除设备及其方法，其中，BGA封装器件焊球去除设备包括处理设备、传动设备、用于研磨BGA封装器件的焊球的研磨机、用于感应BGA封装器件压力的压力传感器、以及用于固定BGA封装器件的夹具；传动设备与夹具相连；BGA封装器件的焊球面朝向研磨机；处理设备分别连接传动设备、压力传感器和研磨机；处理设备驱动传动设备带动夹具朝研磨机方向移动；压力传感器将感应到的BGA封装器件的压力传输给处理设备；处理设备在压力等于预设压力时，启动研磨机，以使研磨机对BGA封装器件的焊球进行研磨。本发明实施例能够实现BGA封装器件焊球去除，防止对BGA封装器件基板造成机械损伤，优化了BGA封装器件焊球去除效果。
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