-
公开(公告)号：CN114609722B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202210264339.7
申请日：2022-03-17
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于光偏转调制的集成光源及其制备方法，激光芯片的出光口指向待集成芯片，调制片位于待集成芯片与激光芯片之间；激光芯片的激光口表面设置有用于对激光芯片发出激光进行整形的微透镜，调制片表面设置有超结构，超结构至少用于将透过调制片出射的激光的出射角偏转至预设角度；待集成芯片表面设置有耦合光栅，用于将透过调制片出射的激光耦合进待集成芯片。先通过微透镜对激光进行整形，再通过调制片将激光的传播角度整体偏转至预设角度，倾斜直至照射至耦合光栅，可以保证耦合光栅具有较高的耦合效率，同时待集成芯
-
公开(公告)号：CN106771952B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201710024954.X
申请日：2017-01-13
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种宽禁带半导体器件辐射效应激光模拟系统，该系统包括短波长脉冲激光产生与衰减系统、显微成像与能量监测系统、测试与控制系统三个部分。本发明可利用短波长脉冲激光辐照宽禁带半导体器件，在半导体器件中产生电离效应，模拟伽马射线等辐射源作用于半导体器件的辐射电离效应，填补了宽禁带半导体器件的辐射电离效应激光模拟系统的空白，且该系统具有结构紧凑、安全性高等特点，降低了试验成本，提高了试验效率，为有针对性的对宽禁带半导体器件进行抗辐射加固设计提供了有效手段。
-
公开(公告)号：CN107403848B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201710805961.3
申请日：2017-09-08
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/107
Abstract: 本发明公开了一种背照式级联倍增雪崩光电二极管，在衬底上自下向上依次为缓冲层、n型掺杂AlxGa1‑xN层、i型周期级联倍增层、i型本征吸收层及p型电极层，在i型本征吸收层台面周围是光耦合汇聚结构。本发明通过光耦合汇聚结构有效解决了周期级联倍增结构在背入射下有效吸收率低的问题，同时减小了器件台面尺寸，降低了体漏电流。本发明给出了周期级联倍增雪崩光电二极管在背照射下有效工作的解决方案，适于大规模阵列集成，且适用于紫外、可见、近红外的各个波段，可广泛应用于微弱光探测成像乃至单光子探测成像领域。
-
公开(公告)号：CN115679300A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211397554.0
申请日：2022-11-09
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: C23C16/56 , C23C14/22 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23C16/455
Abstract: 本申请公开了一种本申请所提供的原子点缺陷的制备方法，包括：准备衬底；在所述衬底的上表面生长非晶体结构的薄膜，所述非晶体结构的薄膜在所述衬底的所述上表面呈岛状；对所述非晶体结构的薄膜进行退火处理，在所述非晶体结构的薄膜中形成原子点缺陷。本申请中在制备原子点缺陷时，通过在准备好的衬底上生长非晶体结构的薄膜，由于薄膜是非晶体结构的，不需要考虑薄膜的晶体生长质量，非晶体结构的薄膜中不存在原子点缺陷，通过对非晶体结构的薄膜进行退火，激活非晶体结构的薄膜中的原子点缺陷，以及在非晶体结构的薄膜中形成原子点缺陷，从而得到原子点缺陷，本申请的制备方法工艺简单，制备难度低。本申请还提供一种具有原子点缺陷的结构。
-
公开(公告)号：CN115426119A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211053532.2
申请日：2022-08-31
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本申请公开一种身份认证装置及方法、安全系统，涉及信息安全领域。本申请所提供的身份认证装置，包括激光器、存储器、编码器、单像素探测器，激光器照射编码器形成编码激励光，不同编码的激励光照射在由随机介质组成的身份钥匙上形成不同的散斑，使用单像素探测器采集这些散斑的光强并将其作为身份钥匙的响应信号，将该响应信号与存储器中合法身份钥匙的真实响应信号进行比对，从而进行身份验证。相比于传统的身份认证装置中散斑尺寸不能小于两个相机像素，本申请可实现从亚像素尺寸的散斑中提取响应信号，由于缩小了散斑的尺寸,可使身份钥匙到探测器的距离变短，使身份钥匙的有效体积增大,有利于系统的集成，有利于增强身份钥匙的安全性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115239353A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210883321.5
申请日：2022-07-26
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Inventor： 李倩
Abstract: 本发明公开了一种电子器件注册方法及系统，获取电子器件的壳体上预设区域发出的光学信号，基于获得的光学信号生成光学特征数据，光学特征数据描述电子器件的壳体上预设区域内的光学物理不可克隆函数特征，将获得的光学特征数据作为电子器件的认证数据，对电子器件注册。本发明获取电子器件的壳体上预设区域的光学物理不可克隆函数特征，作为电子器件的认证数据对电子器件注册，光学物理不可克隆函数特征具有随机性和唯一性，并且不容易被复制、篡改或者被攻击。本发明还公开一种电子器件认证方法及系统。
-
公开(公告)号：CN114107903A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111339442.5
申请日：2021-11-12
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明涉及基于PUF的安全技术领域，尤其涉及一种光学PUF、其制备方法及应用。本发明提供了一种光学PUF的制备方法，包括以下步骤：A)在基底上沉积第一金属，得到第一金属层；B)在所述第一金属层上沉积第二金属，得到第二金属层；C)将步骤B)得到的复合层进行退火，形成核壳纳米颗粒，得到光学PUF。本发明通过引入采用快速热退火法，核壳纳米颗粒即可随机在不同半导体的金属电极上方便地产生，可与微电子技术无缝兼容，并对其电性能没有负面影响。该方法形成的纳米颗粒密度可控，具有良好的机械稳定性和热稳定性，具有更高的随机性和复杂度，可以作为电子芯片或电子器件的防伪标签。
-
公开(公告)号：CN113948958A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111209832.0
申请日：2021-10-18
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01S5/0225 , H01S5/02253 , H01S5/02255 , H01S5/02375 , H01S5/0238 , G02B27/42
Abstract: 本发明公开了一种集成光源的制备方法，包括在激光芯片的出光口表面设置微透镜；在待集成芯片表面设置光耦合部；将设置有微透镜的激光芯片的出光口朝向光耦合部设置，使激光芯片经微透镜整形的光斑与光耦合部中预设位置相互对位；将相互对位的激光芯片与待集成芯片相互键合以在激光芯片与待集成芯片之间形成具有预设高度的键合柱，使微透镜与待集成芯片之间具有光线传播间隙。通过在激光芯片的出光口表面直接设置微透镜，可以直接将激光芯片产生的激光进行整形，并通过键合柱形成的传播间隙在光耦合部形成一尺寸合适的光斑，便于对该光线进行耦合，从而可以完成集成光源的制备。
-
公开(公告)号：CN108449179B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN201810279398.5
申请日：2018-03-30
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H04L9/08 , H04B10/70 , H04B10/548 , H04B10/508
Abstract: 本发明提出一种基于偏振和相位同时编码的量子身份认证系统，该系统使用矢量光场生成光路对光的波前同时进行偏振和相位的编码，产生编码的高维量子光，使用这种高维量子光照射光学PUF钥匙获取激励‑响应对，建立激励‑响应对数据库，然后根据数据库信息进行身份认证。本发明可对量子光的偏振和相位同时进行编码，能够更充分的利用光学PUF钥匙中的模式信息，增加了高维量子光被探测的难度，增强了认证的安全性，在安全领域具有极好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN109559985B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201811406407.9
申请日：2018-11-23
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/329 , H01L29/417 , H01L29/88
Abstract: 本发明公开了一种具有空气桥的半导体器件及其制作方法，在半导体器件中制作空气桥样式的电极，进而保证具有空气桥的半导体器件显著降低了器件寄生效应引入的损耗，提升了半导体器件的频率和功率特性。本发明提供的技术方案，通过在第二掩膜层的镂空区域处形成第二电极层，进而与第一电极层叠加使得电极结构厚度增加，以及，采用剥离技术去除第一掩膜层和第二掩膜层的同时，去除第一电极层在第一掩膜层和第二掩膜层交叠区域的部分，最终形成半导体器件的电极结构；其中，采用双掩膜层剥离技术和加厚电极层的方式制作半导体器件的电极结构，在保证制作的空气沟槽处空气桥稳定的基础上，简化了制作半导体器件的流程。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
102
records
(took 0.082 seconds)
