公开(公告)号：CN103265334A

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201310203454.4

申请日：2013-05-28

Applicant: 中原工学院

Inventor： 范积伟 ,  焦志强 ,  张小立 ,  赵慧君 ,  张旺玺 ,  李小朋 ,  张振国 ,  张照军 ,  张瑞杰 ,  刘英

IPC: C04B41/86

Abstract: 一种使用激光器在白瓷上熔覆釉彩的方法，通过在陶瓷颜料里加入透明溶剂釉料，透明溶剂釉料的比重小于陶瓷颜料的比重，在干燥以后形成上面为透明溶剂釉料、下面为陶瓷颜料的结构，利用激光的高能量进行色釉料的熔覆可以得到釉中彩陶瓷釉彩。采用本发明使用激光器在白瓷上熔覆釉彩的方法，使用激光为陶瓷釉彩的烧制热源，釉彩图案为激光器联接的电脑设计而成，工艺简单，制作时间短，能耗小，配合电脑控制适合单件或小批量的陶瓷釉彩饰品的制作。即提高了生产效率又节能减排。

公开(公告)号：CN102557722A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110442915.4

申请日：2011-12-27

Applicant: 中原工学院

Inventor： 张小立 ,  范积伟 ,  郭建 ,  赵慧君 ,  樊平 ,  穆云超 ,  张振国 ,  刘芳 ,  汤锋

IPC: C04B38/06

Abstract: 本发明公开了一种使用造孔剂制备多孔碳化硅陶瓷的方法，它的步骤如下：（1）将碳化硅粉和碳粉混合后，加入酚醛树脂再混合，在2-4MPa压力下压制成型，然后在温度条件为80-120℃的烘箱中烘干1-3小时，制成生坯；（2）将生坯放入铺有硅粉的坩埚中，在真空度为0.01-0.1Pa的条件下于1550-1650℃烧结0.5-3小时，并于1600-1650℃排硅，制成烧结坯；（3）将烧结坯在850-900℃的氧气炉中煅烧1-4小时。本发明通过在SiC、造孔剂碳粉压坯中熔渗少量Si，使之结合后，排Si并随后在850℃氧气炉中煅烧的办法，得到孔隙率为70%以上的多孔碳化硅陶瓷。

公开(公告)号：CN108046758A

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201711405932.4

申请日：2017-12-22

Applicant: 中原工学院

Inventor： 张小立 ,  徐坚 ,  杨久豹 ,  李世显 ,  孙斌 ,  刘芳 ,  范积伟 ,  张留学 ,  刘英 ,  余智化 ,  刘应存

IPC: C04B33/132 ,  C04B33/13 ,  C04B33/32

CPC classification number: Y02P40/69 ,  C04B33/1321 ,  C04B33/1305 ,  C04B33/131 ,  C04B33/32 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/96

Abstract: 本发明公开了一种低温复烧添加SiC制备高污泥含量污泥陶瓷的方法，它的步骤如下：（1）将自来水厂废水污泥烘干，然后球磨12‑24小时，得到混合料；（2）在混合料中加入SiC粉末，球磨混合均匀，然后加入聚丙烯酰胺混合液压制成型，得到压坯；（3）将压坯在烧结炉中加热到900‑1300℃烧结并保温2‑3小时，然后直接进行盐水淬，得到水淬物料；（4）将水淬物料在700‑1200℃的条件下以埋烧的方式烧结并保温3‑5小时，得到污泥陶瓷。本发明利用SiC及瓷料组分和废水污泥的混合物为原料，降低烧结温度，从而把废物变成更加稳定和毒性小的材料，并使之成为污泥陶瓷。

公开(公告)号：CN105565816A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510913910.3

申请日：2015-12-12

Applicant: 中原工学院

Inventor： 张小立 ,  徐坚 ,  杨亚伟 ,  孙斌 ,  范积伟 ,  樊平

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/65

CPC classification number: C04B35/58092 ,  C04B35/65 ,  C04B2235/3813 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96

Abstract: 本发明公开了一种MoSi2/MoB/SiC三相陶瓷的制备方法，它的步骤如下：（1）首先，将MoSi2、SiC、C及B4C元素粉球磨混料，混合时间为8-72hr，并模压成型，得到坯料；（2）将坯料室温晾干，然后入烘箱烘干1-200hr，得到烘干后的坯料；（3）将烘干后的坯料移入铺有金属Si粉的真空烧结炉中，冷却后获得MoSi2/MoB/SiC三相陶瓷。本发明利用MoSi2、SiC、C及B4C混合元素粉模压成型，所得材料孔隙率低于10%或以下，强度大于200MPa。该方法补充了现有高温抗氧化强度材料品种，适合工业规模。

公开(公告)号：CN102643024A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210102608.6

申请日：2012-04-10

Applicant: 中原工学院

Inventor： 张小立 ,  汤锋 ,  刘芳 ,  范积伟 ,  穆云超 ,  赵慧君 ,  张振国

IPC: C03C10/00 ,  C03B32/02

Abstract: 本发明公开了一种以SiC作为增强相的MgO-SiO2–Al2O3–B2O3–KF玻璃陶瓷复合材料，它由SiO2、Al2O3、MgO、B2O3、KF和SiC制成，所述SiO2、Al2O3、MgO、B2O3和KF的质量比为20-50：12-35：10-30：5-9：9-18，SiC的质量占SiO2、Al2O3、MgO、B2O3和KF的总质量的5-30%。该复合材料的制备过程为先使MgO、SiO2、Al2O3、B2O3和KF混合粉料水淬，研磨后加入一定量颗粒SiC进一步混合均匀，成型后完成析晶，从而获得该玻璃陶瓷复合材料。该方法可获得抗弯强度可达200-400MPa的玻璃陶瓷复合材料。成本低，适用于工业规模。

公开(公告)号：CN102631704A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210116619.X

申请日：2012-04-20

Applicant: 中原工学院

Inventor： 张小立 ,  刘英 ,  刘磊 ,  赵慧君 ,  范积伟 ,  张振国 ,  汤峰 ,  刘芳

IPC: A61L27/32 ,  C23C24/08

Abstract: 本发明公开了一种钛铝基羟基磷灰石涂层，在钛铝合金表面涂覆有羟基磷灰石涂层，得到钛铝基羟基磷灰石涂层，钛铝基羟基磷灰石涂层的厚度为0.1-3.0mm。使用沉淀法制备羟基磷灰石粉末和甘油的混合物涂刷在经过腐蚀处理的钛铝合金表面，经过高温烧结，从而形成生物涂层，使钛铝合金不仅具有高的强度和韧性，同时具有更好的生物相容性。该方法所得涂层厚度均匀、牢固，可做生物材料领域进一步应用研究。利用了钛铝合金低比重、高的比强度和良好的韧性等特点，将其表面涂敷生物涂层，使得该材料有可能替代承载的大型种植体。涂层制备工艺简单，稳定性好，易掌握。强度可达80MPa，韧性可达1.0MPa·m1/2。