公开(公告)号：CN108046758A

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201711405932.4

申请日：2017-12-22

Applicant: 中原工学院

Inventor： 张小立 ,  徐坚 ,  杨久豹 ,  李世显 ,  孙斌 ,  刘芳 ,  范积伟 ,  张留学 ,  刘英 ,  余智化 ,  刘应存

IPC: C04B33/132 ,  C04B33/13 ,  C04B33/32

CPC classification number: Y02P40/69 ,  C04B33/1321 ,  C04B33/1305 ,  C04B33/131 ,  C04B33/32 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/96

Abstract: 本发明公开了一种低温复烧添加SiC制备高污泥含量污泥陶瓷的方法，它的步骤如下：（1）将自来水厂废水污泥烘干，然后球磨12‑24小时，得到混合料；（2）在混合料中加入SiC粉末，球磨混合均匀，然后加入聚丙烯酰胺混合液压制成型，得到压坯；（3）将压坯在烧结炉中加热到900‑1300℃烧结并保温2‑3小时，然后直接进行盐水淬，得到水淬物料；（4）将水淬物料在700‑1200℃的条件下以埋烧的方式烧结并保温3‑5小时，得到污泥陶瓷。本发明利用SiC及瓷料组分和废水污泥的混合物为原料，降低烧结温度，从而把废物变成更加稳定和毒性小的材料，并使之成为污泥陶瓷。

公开(公告)号：CN105565816A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510913910.3

申请日：2015-12-12

Applicant: 中原工学院

Inventor： 张小立 ,  徐坚 ,  杨亚伟 ,  孙斌 ,  范积伟 ,  樊平

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/65

CPC classification number: C04B35/58092 ,  C04B35/65 ,  C04B2235/3813 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96

Abstract: 本发明公开了一种MoSi2/MoB/SiC三相陶瓷的制备方法，它的步骤如下：（1）首先，将MoSi2、SiC、C及B4C元素粉球磨混料，混合时间为8-72hr，并模压成型，得到坯料；（2）将坯料室温晾干，然后入烘箱烘干1-200hr，得到烘干后的坯料；（3）将烘干后的坯料移入铺有金属Si粉的真空烧结炉中，冷却后获得MoSi2/MoB/SiC三相陶瓷。本发明利用MoSi2、SiC、C及B4C混合元素粉模压成型，所得材料孔隙率低于10%或以下，强度大于200MPa。该方法补充了现有高温抗氧化强度材料品种，适合工业规模。

公开(公告)号：CN105565816B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201510913910.3

申请日：2015-12-12

Applicant: 中原工学院

Inventor： 张小立 ,  徐坚 ,  杨亚伟 ,  孙斌 ,  范积伟 ,  樊平

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/65

Abstract: 本发明公开了一种MoSi2/MoB/SiC三相陶瓷的制备方法，它的步骤如下：（1）首先，将MoSi2、SiC、C及B4C元素粉球磨混料，混合时间为8‑72hr，并模压成型，得到坯料；（2）将坯料室温晾干，然后入烘箱烘干1‑200 hr，得到烘干后的坯料；（3）将烘干后的坯料移入铺有金属Si粉的真空烧结炉中，冷却后获得MoSi2/MoB/SiC三相陶瓷。本发明利用MoSi2、SiC、C及B4C混合元素粉模压成型，所得材料孔隙率低于10%或以下，强度大于200MPa。该方法补充了现有高温抗氧化强度材料品种，适合工业规模。