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公开(公告)号：CN100539134C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200710145584.1
申请日：2007-08-28
Applicant: 东芝照明技术株式会社
IPC: H01L25/075
CPC classification number: F21V31/04 , F21K9/68 , F21Y2105/10 , F21Y2115/10 , H01L33/46 , H01L33/483 , H01L2224/48091 , H01L2224/4911 , H01L2224/73265 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种可容易地形成反射层，并且可有效地使光射出的照明装置。照明装置(1)包括多个半导体发光元件(5)、反射层(3、23)、多个导体部(4c、25a)以及透光性粘接层(6)。半导体发光元件(5)包括透光性基板(11)以及形成在基板(11)上的半导体发光层(12)。反射层(3、23)具有可使半导体发光元件(5)相互间隔地排列的大小。导体部(4c、25a)形成在反射层(3、23)上，并且与半导体发光元件(5)电连接着。粘接层(6)通过将半导体发光元件(5)的基板(11)粘接在反射层(3、23)上，而将半导体发光元件(5)保持在反射层(3、23)上。
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公开(公告)号：CN100428512C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200610003361.7
申请日：2006-01-26
Applicant: 东芝照明技术株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L25/075 , H01L23/28 , F21V7/00
CPC classification number: H01L33/50 , H01L25/0753 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种发光二极管装置，它可提高输出光的光束及其演色性。该发光二极管装置具备：发光二极管芯片(8)，它安装在基板(2)上；黄色荧光体层(13)，它覆盖发光二极管芯片，并且添加有黄色荧光体；底部、侧面镀金层(7a、7b)，它们形成于基板上，并且具有如下反射特性：在发光二极管芯片的发光波长范围内，其光反射率低于镍的光反射率，并且在黄色荧光体层中荧光发光波长范围内，其光反射率高于镍的光反射率。
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公开(公告)号：CN101136399A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710145584.1
申请日：2007-08-28
Applicant: 东芝照明技术株式会社
IPC: H01L25/075
CPC classification number: F21V31/04 , F21K9/68 , F21Y2105/10 , F21Y2115/10 , H01L33/46 , H01L33/483 , H01L2224/48091 , H01L2224/4911 , H01L2224/73265 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种可容易地形成反射层，并且可有效地使光射出的照明装置。照明装置(1)包括多个半导体发光元件(5)、反射层(3、23)、多个导体部(4c、25a)以及透光性粘接层(6)。半导体发光元件(5)包括透光性基板(11)以及形成在基板(11)上的半导体发光层(12)。反射层(3、23)具有可使半导体发光元件(5)相互间隔地排列的大小。导体部(4c、25a)形成在反射层(3、23)上，并且与半导体发光元件(5)电连接着。粘接层(6)通过将半导体发光元件(5)的基板(11)粘接在反射层(3、23)上，而将半导体发光元件(5)保持在反射层(3、23)上。
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公开(公告)号：CN1934721A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200580009082.5
申请日：2005-03-23
Applicant: 东芝照明技术株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种发光装置(11)和照明装置，该发光装置(11)能够提高发光效率并减少发光色的色相不均。用在树脂中添加了散射剂的散射层(22)覆盖发光二极管元件(18)。将在树脂中添加了荧光体的荧光体层(23)配设在散射层(22)的上层。利用散射层(22)使来自发光二极管元件(18)的光散射。利用由散射层(22)散射的光激发荧光体层(23)，使荧光体层(23)发光，从而提高发光效率并减少发光色的色相不均。
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公开(公告)号：CN115574481A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211265113.5
申请日：2019-09-26
Abstract: 本发明提供在极低温区域中比热大且磁化小、而且制造性良好的蓄冷材料及其制造方法。并且提供填充该蓄冷材料、效率高且冷却性能优异的冷冻机。进而提供能够降低来自蓄冷材料的磁噪声的影响的超导线圈内置装置。实施方式的蓄冷材料为包含ThCr2Si2型结构(11)占到80体积％以上的金属间化合物的粒体，微晶尺寸为70nm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112752824A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201980063190.2
申请日：2019-09-26
Abstract: 本发明提供在极低温区域中比热大且磁化小、而且制造性良好的蓄冷材料及其制造方法。并且提供填充该蓄冷材料、效率高且冷却性能优异的冷冻机。进而提供能够降低来自蓄冷材料的磁噪声的影响的超导线圈内置装置。实施方式的蓄冷材料为包含ThCr2Si2型结构(11)占到80体积％以上的金属间化合物的粒体，微晶尺寸为70nm以下。
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公开(公告)号：CN103363715A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310037356.8
申请日：2013-01-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: F25B21/00
CPC classification number: F25B21/00 , F25B2321/002 , F25B2321/0022 , Y02B30/66
Abstract: 本发明涉及磁性制冷设备和磁性制冷系统，在磁性制冷设备中，具有磁致热效应的磁体和具有蓄热效果的固体的蓄热构件（3，3A，3B）交替地排列，它们之间带有间隙（4）。磁场施加单元（6A，6B）开始和停止向磁体施加磁场。接触机构使磁体中的每一个都与跟每一磁体（2）相邻的固体的蓄热构件（3，3A，3B）中的一个接触。可另选地，接触机构使固体的蓄热构件（3，3A，3B）中的每一个与跟每一固体的蓄热构件（3，3A，3B）相邻的磁体中的一个接触。
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公开(公告)号：CN112752824B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN201980063190.2
申请日：2019-09-26
Abstract: 本发明提供在极低温区域中比热大且磁化小、而且制造性良好的蓄冷材料及其制造方法。并且提供填充该蓄冷材料、效率高且冷却性能优异的冷冻机。进而提供能够降低来自蓄冷材料的磁噪声的影响的超导线圈内置装置。实施方式的蓄冷材料为包含ThCr2Si2型结构(11)占到80体积％以上的金属间化合物的粒体，微晶尺寸为70nm以下。
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公开(公告)号：CN103363715B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310037356.8
申请日：2013-01-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: F25B21/00
CPC classification number: F25B21/00 , F25B2321/002 , F25B2321/0022 , Y02B30/66
Abstract: 本发明涉及磁性制冷设备和磁性制冷系统，在磁性制冷设备中，具有磁致热效应的磁体和具有蓄热效果的固体的蓄热构件（3，3A，3B）交替地排列，它们之间带有间隙（4）。磁场施加单元（6A，6B）开始和停止向磁体施加磁场。接触机构使磁体中的每一个都与跟每一磁体（2）相邻的固体的蓄热构件（3，3A，3B）中的一个接触。可另选地，接触机构使固体的蓄热构件（3，3A，3B）中的每一个与跟每一固体的蓄热构件（3，3A，3B）相邻的磁体中的一个接触。
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公开(公告)号：CN104136867A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201380011610.5
申请日：2013-03-29
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明实施方式的磁冷冻用复合材料(130)具备具有磁热效应的磁热效应材料(120)和分散于所述磁热效应材料中的热传导促进材料(160)。所述热传导促进材料是从碳纳米管以及碳纳米纤维组成的组中选择的至少一种。
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