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公开(公告)号:CN1819289A
公开(公告)日:2006-08-16
申请号:CN200610003361.7
申请日:2006-01-26
Applicant: 东芝照明技术株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L25/075 , H01L23/28 , F21V7/00
CPC classification number: H01L33/50 , H01L25/0753 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种发光二极管装置,它可提高输出光的光束及其演色性。该发光二极管装置具备:发光二极管芯片(8),它安装在基板(2)上;黄色荧光体层(13),它覆盖发光二极管芯片,并且添加有黄色荧光体;底部、侧面镀金层(7a、7b),它们形成于基板上,并且具有如下反射特性:在发光二极管芯片的发光波长范围内,其光反射率低于镍的光反射率,并且在黄色荧光体层中荧光发光波长范围内,其光反射率高于镍的光反射率。
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公开(公告)号:CN100428512C
公开(公告)日:2008-10-22
申请号:CN200610003361.7
申请日:2006-01-26
Applicant: 东芝照明技术株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L25/075 , H01L23/28 , F21V7/00
CPC classification number: H01L33/50 , H01L25/0753 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种发光二极管装置,它可提高输出光的光束及其演色性。该发光二极管装置具备:发光二极管芯片(8),它安装在基板(2)上;黄色荧光体层(13),它覆盖发光二极管芯片,并且添加有黄色荧光体;底部、侧面镀金层(7a、7b),它们形成于基板上,并且具有如下反射特性:在发光二极管芯片的发光波长范围内,其光反射率低于镍的光反射率,并且在黄色荧光体层中荧光发光波长范围内,其光反射率高于镍的光反射率。
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公开(公告)号:CN101034728A
公开(公告)日:2007-09-12
申请号:CN200710087324.3
申请日:2007-03-09
Applicant: 东芝照明技术株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L25/00 , H01L25/075
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种可高效地取出白色光并且可减轻光源的颗粒感的照明装置。本发明的照明装置包括:多个半导体发光元件、透光性基板、透光性黏接层、反射构件、透光性密封构件、以及荧光体层。发光元件所使用的是在透光性元件基板的背面叠层有半导体发光层,并从元件基板取出从该发光层所发出的光的发光元件。在透光性基板所具有的引线(导电部)上,连接有发光元件的p侧电极及n侧电极。在透光性基板的背面,通过黏接层而与各发光元件的元件基板的表面黏接。将密封构件设置在透光性基板的背侧,以密封发光元件。利用反射构件而覆盖该密封构件。利用荧光体层而覆盖透光性基板的表面。荧光体层包括将半导体发光层所发出的一次光进行波长转换而发出不同波长的二次光的荧光体。
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