密闭型二次电池用变形检测传感器

    公开(公告)号:CN106165187B

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201480077667.X

    申请日:2014-11-27

    Abstract: 本发明的密闭型二次电池用变形检测传感器为用于密闭型二次电池的单电池、电池模块或电池组的密闭型二次电池用变形检测传感器,其具有贴附于单电池、电池模块的磁性树脂层,和能够检测由该磁性树脂层造成的磁场变化而安装于外装容器的内壁或外壁的磁传感器,该磁性树脂层由磁性填料分散于高分子基质而成。能够提供能以更高的灵敏度检测密闭型二次电池的膨胀而可以得到稳定的检测特性的变形检测传感器。

    研磨垫及其制造方法
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102227289B

    公开(公告)日:2013-12-18

    申请号:CN200980148107.8

    申请日:2009-12-24

    CPC classification number: B24B37/24 Y10T428/249978

    Abstract: 本发明的目的在于提供研磨速度大、并且至研磨速度稳定为止的时间短、进而厚度精度优良的研磨垫。一种研磨垫,在基材层上设置有研磨层,其特征在于,所述研磨层由具有平均气泡直径为35~200μm的近似球形的连续气泡的热固性聚氨酯发泡体形成,所述研磨层,40℃下的储能弹性模量E’(40℃)为130~400MPa,30℃下的储能弹性模量E’(30℃)与60℃下的储能弹性模量E’(60℃)之比[E’(30℃)/E’(60℃)]为1以上且小于2.5,并且30℃下的储能弹性模量E’(30℃)与90℃下的储能弹性模量E’(90℃)之比[E’(30℃)/E’(90℃)]为15~130。

    研磨垫及其制造方法
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102227289A

    公开(公告)日:2011-10-26

    申请号:CN200980148107.8

    申请日:2009-12-24

    CPC classification number: B24B37/24 Y10T428/249978

    Abstract: 本发明的目的在于提供研磨速度大、并且至研磨速度稳定为止的时间短、进而厚度精度优良的研磨垫。一种研磨垫,在基材层上设置有研磨层,其特征在于,所述研磨层由具有平均气泡直径为35~200μm的近似球形的连续气泡的热固性聚氨酯发泡体形成,所述研磨层,40℃下的储能弹性模量E’(40℃)为130~400MPa,30℃下的储能弹性模量E’(30℃)与60℃下的储能弹性模量E’(60℃)之比[E’(30℃)/E’(60℃)]为1以上且小于2.5,并且30℃下的储能弹性模量E’(30℃)与90℃下的储能弹性模量E’(90℃)之比[E’(30℃)/E’(90℃)]为15~130。

    研磨垫及其制造方法
    17.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101583464B

    公开(公告)日:2011-06-22

    申请号:CN200780049906.0

    申请日:2007-11-27

    Abstract: 本发明目的在于提供耐久性优良、并且研磨层与基材层的粘合性良好的研磨垫。本发明的第一发明是在基材层上设置研磨层的研磨垫,其特征在于,所述研磨层包含具有平均气泡直径20~300μm的近似球状的连续气泡的热固性聚氨酯发泡体,所述聚氨酯发泡体含有异氰酸酯成分和含活性氢化合物作为原料成分,所述含活性氢化合物含有30~85重量%官能团数2~4、羟值20~100mg KOH/g的高分子量多元醇。

    抛光垫
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101448607A

    公开(公告)日:2009-06-03

    申请号:CN200780017994.6

    申请日:2007-05-15

    CPC classification number: B24B37/205

    Abstract: 本发明的目的在于提供在宽波长范围(特别是短波长侧)内光学检测精度优良的抛光垫。另外,本发明的目的在于提供包括使用该抛光垫对半导体晶片的表面进行抛光的工序的半导体器件制造方法。一种抛光垫,具有包含抛光区域和光透过区域的抛光层,其特征在于,所述光透过区域由芳环浓度为2重量%以下的聚氨酯树脂形成,并且所述光透过区域的光透过率在波长300~400nm的整个范围内为30%以上。

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