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公开(公告)号：CN100569448C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200710148749.0
申请日：2002-10-03
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/04 , B24D13/00 , B24D18/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。
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公开(公告)号：CN101143428A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710148747.1
申请日：2002-10-03
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/04 , B24D3/20 , B24D13/00 , B24D18/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。
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公开(公告)号：CN101130233A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710148750.3
申请日：2002-10-03
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/04 , B24D3/20 , B24D13/00 , B24D18/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。
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公开(公告)号：CN104755228A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201380054933.2
申请日：2013-10-18
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
Inventor： 木村毅
IPC: B24B37/24 , B24B37/26 , H01L21/304
CPC classification number: B24D11/003 , B24B37/24 , B24B37/26 , C08G18/10 , C08G18/3206 , C08G18/4854 , C08G18/6674 , C08G18/725 , C08G18/73 , C08G18/7621 , C08G18/792 , C08G2101/0008 , Y10T83/0304 , C08G18/3243
Abstract: 本发明的抛光垫的制造方法为如下的抛光垫的制造方法：其包括在抛光层的表面形成槽的步骤，其中所述抛光层由软质聚氨酯树脂发泡体构成，所述软质聚氨酯树脂发泡体在25℃时的ASKER D硬度为30以下，所述步骤包括：步骤1，通过冷却所述抛光层，将所述软质聚氨酯树脂发泡体的ASKER D硬度调整至35以上；步骤2，在抛光层的表面形成槽，其中，所述抛光层由通过冷却调整了ASKER D硬度的所述软质聚氨酯树脂发泡体构成。该抛光垫的制造方法能够在抛光垫的抛光层为软质聚氨酯树脂发泡体的情况下精确地进行槽加工。
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公开(公告)号：CN101175603B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN200680017013.3
申请日：2006-02-24
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/26 , B24D3/32 , Y10T29/49995 , Y10T83/0304 , Y10T409/303808 , Y10T409/304536
Abstract: 本发明提供抛光垫和用于生产该抛光垫的方法，该抛光垫能够同时解决问题如划痕出现、抛光速率变化或劣化、在晶片面内抛光量的大量变化、抛光浆料过量消耗和不可能在抛光对象和抛光垫之间保持适当浆料，该抛光垫对将抛光速率保持在适当值和对改进抛光后抛光对象的面内均匀性尤其有用，且对例如半导体晶片等的化学机械抛光在生产上非常有用。该抛光垫由在抛光面内具有凹槽的聚氨酯泡沫体形成。凹槽形成面，即，凹槽的侧面和底面的表面粗糙度(Ra)不大于10。用于生产该抛光垫的方法包括逐步改变凹槽加工刀片的进给速度和进给量，以在抛光面内形成截面为矩形的同心圆形凹槽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101489721B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN200780027350.5
申请日：2007-08-16
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/24 , C08G18/79 , H01L21/304 , C08G101/00
CPC classification number: B24B37/24 , B24B29/00 , B24D3/26 , B24D3/32 , C08G18/10 , C08G18/14 , C08G18/4854 , C08G18/6674 , C08G18/724 , C08G18/7831 , C08G18/3814 , C08G18/792
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种在吸湿或吸水时可以高度地维持尺寸稳定性的抛光垫及其制造方法。其中，抛光垫的特征在于，具有由具有微小气泡的聚氨酯发泡体构成的抛光层，所述聚氨酯发泡体含有异氰酸酯封端的预聚物、多聚二异氰酸酯与增链剂的反应固化物，其中，所述异氰酸酯封端的预聚物含有异氰酸酯单体、高分子量多元醇及低分子量多元醇。
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公开(公告)号：CN101148030B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200710148745.2
申请日：2002-10-03
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/04 , B24D13/00 , B24D18/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。
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公开(公告)号：CN101148031B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710148746.7
申请日：2002-10-03
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/04 , B24D3/20 , B24D13/00 , B24D18/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。
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公开(公告)号：CN101489721A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780027350.5
申请日：2007-08-16
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/00 , C08G18/79 , H01L21/304 , C08G101/00
CPC classification number: B24B37/24 , B24B29/00 , B24D3/26 , B24D3/32 , C08G18/10 , C08G18/14 , C08G18/4854 , C08G18/6674 , C08G18/724 , C08G18/7831 , C08G18/3814 , C08G18/792
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种在吸湿或吸水时可以高度地维持尺寸稳定性的抛光垫及其制造方法。其中，抛光垫的特征在于，具有由具有微小气泡的聚氨酯发泡体构成的抛光层，所述聚氨酯发泡体含有异氰酸酯封端的预聚物、多聚二异氰酸酯与增链剂的反应固化物，其中，所述异氰酸酯封端的预聚物含有异氰酸酯单体、高分子量多元醇及低分子量多元醇。
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公开(公告)号：CN101448607A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200780017994.6
申请日：2007-05-15
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/205
Abstract: 本发明的目的在于提供在宽波长范围(特别是短波长侧)内光学检测精度优良的抛光垫。另外，本发明的目的在于提供包括使用该抛光垫对半导体晶片的表面进行抛光的工序的半导体器件制造方法。一种抛光垫，具有包含抛光区域和光透过区域的抛光层，其特征在于，所述光透过区域由芳环浓度为2重量％以下的聚氨酯树脂形成，并且所述光透过区域的光透过率在波长300～400nm的整个范围内为30％以上。
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