研磨垫及半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN100349267C

    公开(公告)日:2007-11-14

    申请号:CN200380104102.8

    申请日:2003-11-27

    Abstract: 本发明的目的在于提供可以在进行研磨的状态下实现高精度的光学终点检测并且研磨特性(表面均一性、面内均一性等)优良的研磨垫,进而可以获得宽范围的晶片的研磨轮廓的研磨垫。本发明之一的研磨垫,在透光区域的波长400~700nm的全区域中的透光率,在50%以上。本发明之二的研磨垫的透光区域的厚度为0.5~4mm,并且在透光区域的波长600~700nm的全区域中的透光率,在80%以上。本发明之三的研磨垫的透光区域被设于研磨垫的中心部和周端部之间,并且直径方向的长度(D)为圆周方向的长度(L)的3倍以上。

    研磨垫及其制造方法
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103153539B

    公开(公告)日:2015-09-09

    申请号:CN201080069494.9

    申请日:2010-10-26

    CPC classification number: B24B37/24 H01L21/304

    Abstract: 本发明的目的是提供难以在研磨对象物的表面产生刮痕、且修整性提高的研磨垫及其制造方法。本发明的研磨垫具有由无发泡聚氨酯形成的研磨层,其特征在于:所述无发泡聚氨酯是聚氨酯原料组合物的反应固化物,所述聚氨酯原料组合物包含:异氰酸酯封端的预聚物A,其将含有二异氰酸酯、高分子量多元醇(a)、及低分子量多元醇的预聚物A原料组合物反应而得,异氰酸酯封端的预聚物B,其将含有通过3个以上的二异氰酸酯加成而多聚物化的异氰酸酯改性物、及高分子量多元醇(b)的预聚物B原料组合物反应而得,及链延长剂;异氰酸酯封端的预聚物B的添加量相对于100重量份的异氰酸酯封端的预聚物A为5重量份~30重量份。

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